Produkte > DIODES INC. > Alle Produkte des Herstellers DIODES INC. (10947) > Seite 140 nach 183
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BAW56W | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BAW56W - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 75 V, 300 mA, 1.25 V, 4 ns, 2 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-323 Durchlassstoßstrom: 2A euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 4ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 300mA SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAW56 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 75V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
DMP2008UFG-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2008UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 54 A, 8000 µohm, PowerDI 3333, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 41W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
DMP2008UFG-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2008UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 54 A, 8000 µohm, PowerDI 3333, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 41W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 41W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 11 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
DMP2008UFG-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2008UFG-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 54 A, 0.008 ohm, PowerDI 3333, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2955 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
DMP2008UFG-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2008UFG-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 54 A, 0.008 ohm, PowerDI 3333, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2955 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
ZXTN07012EFFTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN07012EFFTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 4.5 A, 2 W, SOT-23F, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23F Dauerkollektorstrom: 4.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 220MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2735 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
ZXTN07012EFFTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN07012EFFTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 4.5 A, 2 W, SOT-23F, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung: 2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23F Dauerkollektorstrom: 4.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 220MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2735 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
DGD2104MS8-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DGD2104MS8-13 - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgung, 0.6Aout, 35ns Verzögerung, SOIC-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 600mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 70ns Ausgabeverzögerung: 35ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 757 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
DGD2104MS8-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DGD2104MS8-13 - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgung, 0.6Aout, 35ns Verzögerung, SOIC-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 600mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 70ns Ausgabeverzögerung: 35ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 757 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
SMCJ40A-13-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - SMCJ40A-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMCJ, Unidirektional, 40 V, 64.5 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 44.4V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 49.1V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 40V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Produktreihe SMCJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 64.5V SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
SMCJ40A-13-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - SMCJ40A-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMCJ, Unidirektional, 40 V, 64.5 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 44.4V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 49.1V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 40V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Produktreihe SMCJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 64.5V SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
DXTN10060DFJBWQ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXTN10060DFJBWQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 1.8 W, WDFN2020, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: WDFN2020 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 125MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1685 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
DXTP03060BFG-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXTP03060BFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.4 W, PowerDI 3333, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 3.4W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Dauerkollektorstrom: 5.5A Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 1853 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
DXTP03060CFG-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXTP03060CFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.4 W, PowerDI 3333, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 3.4W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Dauerkollektorstrom: 5.5A Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 1737 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
DXTN10060DFJBQ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXTN10060DFJBQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 1.8 W, UDFN2020, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: UDFN2020 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 125MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
DXTN10060DFJBQ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXTN10060DFJBQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 1.8 W, UDFN2020, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: UDFN2020 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 125MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
DXTN10060DFJBWQ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXTN10060DFJBWQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 1.8 W, WDFN2020, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: WDFN2020 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 125MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1685 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
AH1912-W-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - AH1912-W-7 - Hall-Effekt-Schalter, Omnipolarer Hall-Effekt-Schalter, 30 G, 23 G, 1.6 V, 5.5 VtariffCode: 85365080 Hall-Effekt-Typ: Omnipolar euEccn: NLR rohsCompliant: YES Schaltertyp: Omnipolarer Hall-Effekt-Schalter hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Ausschaltpunkt, typ.: 23G Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.6V Sensorgehäuse/-bauform: SC-59 Bauform - Sensor: SC-59 SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Schaltpunkt, typ.: 30G Anzahl der Pins: 3 Pins Sensorausgang: Digital Produktpalette: - Hysterese, typ.: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C Ausgangsschnittstelle: - Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
auf Bestellung 10299 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
AH1912-W-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - AH1912-W-7 - Hall-Effekt-Schalter, Omnipolarer Hall-Effekt-Schalter, 30 G, 23 G, 1.6 V, 5.5 VtariffCode: 85365080 Hall-Effekt-Typ: Omnipolar euEccn: NLR rohsCompliant: YES Schaltertyp: Omnipolarer Hall-Effekt-Schalter hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Ausschaltpunkt, typ.: 23G Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.6V Sensorgehäuse/-bauform: SC-59 Bauform - Sensor: SC-59 SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Schaltpunkt, typ.: 30G Anzahl der Pins: 3 Pins Sensorausgang: Digital Produktpalette: - Hysterese, typ.: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C Ausgangsschnittstelle: - Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
auf Bestellung 10299 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
AZ23C16-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - AZ23C16-7-F - Zener-Diode, Array, 16 V, 300 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: AZ23C productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 16V |
auf Bestellung 2913 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
AZ23C3V0-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - AZ23C3V0-7-F - Zener-Diode, Array, 3 V, 300 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: AZ23C productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 3V |
auf Bestellung 274 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 274 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
ZTX451 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZTX451 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 1 A, 1 W, E-Line, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: E-Line Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2984 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
ZXTR2012P5-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTR2012P5-13 - Linearer Festspannungsregler, 15 bis 100Vin, 12V/50mAout, PowerDI5-3tariffCode: 85411000 Ausgang: Fest rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 IC-Gehäuse / Bauform: PowerDI5 Nennausgangsspannung: 12V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 100V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 50mA Eingangsspannung, min.: 15V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 12V 50mA Linear Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 50mA Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1514 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
DMP3098LSS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3098LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.056 ohm, SOP, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2160 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
DMP3098LDM-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3098LDM-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.056 ohm, SOT-26, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2799 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
DMP3098LQ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3098LQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.056 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.08W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1045 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
DMP3098LDM-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3098LDM-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.056 ohm, SOT-26, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2799 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
DMP3098LQ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3098LQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.056 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.08W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1045 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
DMP3098LSS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3098LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.056 ohm, SOP, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2160 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
FMMT614QTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - FMMT614QTA - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 100 V, 500 mA, 500 mWtariffCode: 85411000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 5000hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: - usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 100V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 500mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 746 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
FMMT614TA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - FMMT614TA - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 500 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s)tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5000hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 5000hFE Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung Pd: 500mW Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - HF-Transistor: SOT-23 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 500mA Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2905 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
FMMT614QTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - FMMT614QTA - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 100 V, 500 mA, 500 mWtariffCode: 85411000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 5000hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: - usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 100V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 500mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 746 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
FMMT614TA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - FMMT614TA - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 500 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s)tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 5000hFE Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung Pd: 500mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - HF-Transistor: SOT-23 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 500mA Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2905 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
AL1794AFE-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - AL1794AFE-13 - LED-Treiber, AC/DC, linear, 6.5V bis 30V, 1.5A, 1 Ausgang, SMD, -40°C bis 125°CtariffCode: 85423990 Schaltfrequenz: - euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 30V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: U-DFN4030 Schaltfrequenz, typ.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 30V Bauform - Treiber: U-DFN4030 SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Ausgangsstrom, max.: 1.5A Bausteintopologie: Linear Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Eingangsspannung, min.: 6.5V Topologie: Linear Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 LED-Treiber: - Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
auf Bestellung 359 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
AL1794AFE-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - AL1794AFE-13 - LED-Treiber, AC/DC, linear, 6.5V bis 30V, 1.5A, 1 Ausgang, SMD, -40°C bis 125°CtariffCode: 85423990 Schaltfrequenz: - euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 30V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: U-DFN4030 Schaltfrequenz, typ.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 30V Bauform - Treiber: U-DFN4030 SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Ausgangsstrom, max.: 1.5A Bausteintopologie: Linear Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Eingangsspannung, min.: 6.5V Topologie: Linear Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 LED-Treiber: - Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
auf Bestellung 359 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
ZXTP25100BFH | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP25100BFH - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 1.25 W, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1830 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
ZXT10N50DE6TA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXT10N50DE6TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 1.7 W, SOT-26, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 165MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
ZXT10N50DE6TA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXT10N50DE6TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 1.7 W, SOT-26, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 165MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
ZXTD09N50DE6TA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTD09N50DE6TA - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 1 A, 1.1 WtariffCode: 85411000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 75hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 215MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 1.1W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A |
auf Bestellung 755 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
ZXTD09N50DE6TA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTD09N50DE6TA - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 1 A, 1.1 WtariffCode: 85411000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 75hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 215MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 1.1W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A |
auf Bestellung 755 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
SBRT10U60D1Q-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - SBRT10U60D1Q-13 - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 10 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 520 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 140A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 520mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe Trench SBR productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 60V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 578 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
SBRT10U60D1Q-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - SBRT10U60D1Q-13 - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 10 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 520 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 140A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 520mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe Trench SBR productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 60V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 578 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
DFLS240L-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DFLS240L-7 - Schottky-Gleichrichterdiode, POWERDI®, 40 V, 2 A, Einfach, PowerDI 123, 2 Pin(s), 500 mVtariffCode: 85044083 Bauform - Diode: PowerDI 123 Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 500mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: DFLS2 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 40V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 25554 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
APX825A-31W6G-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - APX825A-31W6G-7 - MPU-ÜBERW.SCHALTUNG/WÄCHTER -40 BIS 85°C tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Reset-Schwellenspannung, min.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Verzögerungszeit: 200ms Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOT-26 Reset-Ausgang: Manuell, Aktiv-High / Aktiv-Low MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors Reset-Schwellenspannung, nom.: 3.08V Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.1V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
74LVC1G58W6-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - 74LVC1G58W6-7 - Multifunktions-Logikgatter, 3 Eingänge, 32mA, 1.65V bis 5.5V, SOT-26-6tariffCode: 85423190 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Logikfunktion: Konfigurierbares Multifunktionsgatter Logik-IC-Familie: 74LVC Anzahl der Elemente: Eins Bauform - Logikbaustein: SOT-26 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 32mA isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOT-26 MSL: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.65V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: 74LVC1G58 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 3Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 150°C |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
DMN601DMK-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN601DMK-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 510 mA, 510 mA, 2.4 ohmtariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 510mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 510mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 980mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.4ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 980mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 213 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
DMN601DMK-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN601DMK-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 510 mA, 510 mA, 2.4 ohmtariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 510mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 510mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 980mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.4ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 980mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 213 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
DDZ9689-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DDZ9689-7 - Zener-Diode, hohe Genauigkeit, 5.1 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: DDZ96 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 5.1V |
auf Bestellung 1425 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
SMCJ100CA-13-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - SMCJ100CA-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMCJ, Bidirektional, 100 V, 162 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 111V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 123V isCanonical: Y Sperrspannung: 100V SVHC: Lead (04-Feb-2026) Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW TVS-Polarität: Bidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Produktreihe SMCJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 162V |
auf Bestellung 1774 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
DXTP560BP5-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXTP560BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 500 V, 150 mA, 2.8 W, PowerDI5, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 2.8W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI5 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 500V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 60MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 4490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
B340LB-13-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - B340LB-13-F - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 450 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Durchlassstoßstrom: 70A euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 450mV Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A SVHC: Lead (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: B340L productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 40V Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 5664 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
BCV49TA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BCV49TA - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 60 V, 1 W, 500 mA, SOT-89, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10000hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1W euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - HF-Transistor: SOT-89 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 500mA Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 98 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 98 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
BAS16T-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BAS16T-7-F - Kleinsignaldiode, Einfach, 85 V, 155 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-523 Durchlassstoßstrom: 4A euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 4ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 155mA SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 85V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
MMSZ5239B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMSZ5239B - Zener-Diode, Baureihe MMSZ52, 9.1 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MMSZxxxT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 9.1V |
auf Bestellung 283 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
|
DGD2181MS8-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DGD2181MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), SOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2.3A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.9A Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 180ns Ausgabeverzögerung: 220ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2221 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
DGD2181MS8-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DGD2181MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), SOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2.3A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.9A Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 180ns Ausgabeverzögerung: 220ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2221 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
DGD2136MS28-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DGD2136MS28-13 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 28 Pin(s), SOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 350mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 200mA Versorgungsspannung, min.: 10V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 330ns Ausgabeverzögerung: 330ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 1372 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
DGD2190MS8-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DGD2190MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 4.5A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4.5A Versorgungsspannung, min.: 10V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 140ns Ausgabeverzögerung: 140ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 11716 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
DGD2106MS8-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DGD2106MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), SOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 10V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 100ns Ausgabeverzögerung: 100ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 4843 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
DGD2190MS8-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DGD2190MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 4.5A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4.5A Versorgungsspannung, min.: 10V Bauform - Treiber: SOIC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 140ns Ausgabeverzögerung: 140ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 11716 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| BAW56W |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BAW56W - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 75 V, 300 mA, 1.25 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 2A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 300mA
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAW56
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - BAW56W - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 75 V, 300 mA, 1.25 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 2A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 300mA
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAW56
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMP2008UFG-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2008UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 54 A, 8000 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
Description: DIODES INC. - DMP2008UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 54 A, 8000 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMP2008UFG-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2008UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 54 A, 8000 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 41W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
Description: DIODES INC. - DMP2008UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 54 A, 8000 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 41W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMP2008UFG-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2008UFG-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 54 A, 0.008 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMP2008UFG-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 54 A, 0.008 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 155+ | 1.62 EUR |
| 200+ | 1.17 EUR |
| 290+ | 0.74 EUR |
| 500+ | 0.57 EUR |
| 1000+ | 0.49 EUR |
| DMP2008UFG-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2008UFG-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 54 A, 0.008 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMP2008UFG-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 54 A, 0.008 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 155+ | 1.62 EUR |
| 200+ | 1.17 EUR |
| 290+ | 0.74 EUR |
| 500+ | 0.57 EUR |
| 1000+ | 0.49 EUR |
| ZXTN07012EFFTA |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTN07012EFFTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 4.5 A, 2 W, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23F
Dauerkollektorstrom: 4.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - ZXTN07012EFFTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 4.5 A, 2 W, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23F
Dauerkollektorstrom: 4.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 116+ | 2.17 EUR |
| 224+ | 1.04 EUR |
| 341+ | 0.63 EUR |
| 500+ | 0.56 EUR |
| 1000+ | 0.5 EUR |
| ZXTN07012EFFTA |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTN07012EFFTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 4.5 A, 2 W, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23F
Dauerkollektorstrom: 4.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - ZXTN07012EFFTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 4.5 A, 2 W, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23F
Dauerkollektorstrom: 4.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 116+ | 2.17 EUR |
| 224+ | 1.04 EUR |
| 341+ | 0.63 EUR |
| 500+ | 0.56 EUR |
| 1000+ | 0.5 EUR |
| DGD2104MS8-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DGD2104MS8-13 - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgung, 0.6Aout, 35ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 70ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: DIODES INC. - DGD2104MS8-13 - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgung, 0.6Aout, 35ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 70ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 757 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 82+ | 3.07 EUR |
| 113+ | 2.07 EUR |
| 124+ | 1.74 EUR |
| 140+ | 1.54 EUR |
| 250+ | 1.51 EUR |
| 500+ | 1.48 EUR |
| DGD2104MS8-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DGD2104MS8-13 - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgung, 0.6Aout, 35ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 70ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: DIODES INC. - DGD2104MS8-13 - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgung, 0.6Aout, 35ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 70ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 757 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.07 EUR |
| 113+ | 2.07 EUR |
| 124+ | 1.74 EUR |
| 140+ | 1.54 EUR |
| 250+ | 1.51 EUR |
| 500+ | 1.48 EUR |
| SMCJ40A-13-F |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SMCJ40A-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMCJ, Unidirektional, 40 V, 64.5 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 44.4V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 49.1V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 40V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SMCJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 64.5V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - SMCJ40A-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMCJ, Unidirektional, 40 V, 64.5 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 44.4V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 49.1V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 40V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SMCJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 64.5V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 154+ | 1.62 EUR |
| 188+ | 1.24 EUR |
| 219+ | 0.98 EUR |
| 500+ | 0.88 EUR |
| 1000+ | 0.87 EUR |
| SMCJ40A-13-F |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SMCJ40A-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMCJ, Unidirektional, 40 V, 64.5 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 44.4V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 49.1V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 40V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SMCJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 64.5V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - SMCJ40A-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMCJ, Unidirektional, 40 V, 64.5 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 44.4V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 49.1V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 40V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SMCJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 64.5V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 154+ | 1.62 EUR |
| 188+ | 1.24 EUR |
| 219+ | 0.98 EUR |
| 500+ | 0.88 EUR |
| 1000+ | 0.87 EUR |
| DXTN10060DFJBWQ-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXTN10060DFJBWQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 1.8 W, WDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: WDFN2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DXTN10060DFJBWQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 1.8 W, WDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: WDFN2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1685 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 238+ | 1.05 EUR |
| 278+ | 0.83 EUR |
| 399+ | 0.54 EUR |
| 506+ | 0.43 EUR |
| 1000+ | 0.35 EUR |
| DXTP03060BFG-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXTP03060BFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Dauerkollektorstrom: 5.5A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: DIODES INC. - DXTP03060BFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Dauerkollektorstrom: 5.5A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1853 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 102+ | 2.45 EUR |
| 174+ | 1.33 EUR |
| 267+ | 0.81 EUR |
| 500+ | 0.63 EUR |
| 1000+ | 0.57 EUR |
| DXTP03060CFG-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXTP03060CFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Dauerkollektorstrom: 5.5A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: DIODES INC. - DXTP03060CFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Dauerkollektorstrom: 5.5A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1737 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 102+ | 2.48 EUR |
| 174+ | 1.33 EUR |
| 267+ | 0.81 EUR |
| 500+ | 0.63 EUR |
| 1000+ | 0.58 EUR |
| DXTN10060DFJBQ-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXTN10060DFJBQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 1.8 W, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DXTN10060DFJBQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 1.8 W, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DXTN10060DFJBQ-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXTN10060DFJBQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 1.8 W, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DXTN10060DFJBQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 1.8 W, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DXTN10060DFJBWQ-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXTN10060DFJBWQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 1.8 W, WDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: WDFN2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DXTN10060DFJBWQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 1.8 W, WDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: WDFN2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1685 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 238+ | 1.05 EUR |
| 278+ | 0.83 EUR |
| 399+ | 0.54 EUR |
| 506+ | 0.43 EUR |
| 1000+ | 0.35 EUR |
| AH1912-W-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AH1912-W-7 - Hall-Effekt-Schalter, Omnipolarer Hall-Effekt-Schalter, 30 G, 23 G, 1.6 V, 5.5 V
tariffCode: 85365080
Hall-Effekt-Typ: Omnipolar
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Omnipolarer Hall-Effekt-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Ausschaltpunkt, typ.: 23G
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
Sensorgehäuse/-bauform: SC-59
Bauform - Sensor: SC-59
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Schaltpunkt, typ.: 30G
Anzahl der Pins: 3 Pins
Sensorausgang: Digital
Produktpalette: -
Hysterese, typ.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Ausgangsschnittstelle: -
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: DIODES INC. - AH1912-W-7 - Hall-Effekt-Schalter, Omnipolarer Hall-Effekt-Schalter, 30 G, 23 G, 1.6 V, 5.5 V
tariffCode: 85365080
Hall-Effekt-Typ: Omnipolar
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Omnipolarer Hall-Effekt-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Ausschaltpunkt, typ.: 23G
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
Sensorgehäuse/-bauform: SC-59
Bauform - Sensor: SC-59
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Schaltpunkt, typ.: 30G
Anzahl der Pins: 3 Pins
Sensorausgang: Digital
Produktpalette: -
Hysterese, typ.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Ausgangsschnittstelle: -
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 10299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 306+ | 0.82 EUR |
| 407+ | 0.57 EUR |
| 451+ | 0.48 EUR |
| 550+ | 0.39 EUR |
| 1000+ | 0.38 EUR |
| 5000+ | 0.37 EUR |
| AH1912-W-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AH1912-W-7 - Hall-Effekt-Schalter, Omnipolarer Hall-Effekt-Schalter, 30 G, 23 G, 1.6 V, 5.5 V
tariffCode: 85365080
Hall-Effekt-Typ: Omnipolar
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Omnipolarer Hall-Effekt-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Ausschaltpunkt, typ.: 23G
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
Sensorgehäuse/-bauform: SC-59
Bauform - Sensor: SC-59
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Schaltpunkt, typ.: 30G
Anzahl der Pins: 3 Pins
Sensorausgang: Digital
Produktpalette: -
Hysterese, typ.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Ausgangsschnittstelle: -
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: DIODES INC. - AH1912-W-7 - Hall-Effekt-Schalter, Omnipolarer Hall-Effekt-Schalter, 30 G, 23 G, 1.6 V, 5.5 V
tariffCode: 85365080
Hall-Effekt-Typ: Omnipolar
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Omnipolarer Hall-Effekt-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Ausschaltpunkt, typ.: 23G
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
Sensorgehäuse/-bauform: SC-59
Bauform - Sensor: SC-59
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Schaltpunkt, typ.: 30G
Anzahl der Pins: 3 Pins
Sensorausgang: Digital
Produktpalette: -
Hysterese, typ.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Ausgangsschnittstelle: -
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 10299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 306+ | 0.82 EUR |
| 407+ | 0.57 EUR |
| 451+ | 0.48 EUR |
| 550+ | 0.39 EUR |
| 1000+ | 0.38 EUR |
| 5000+ | 0.37 EUR |
| AZ23C16-7-F |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AZ23C16-7-F - Zener-Diode, Array, 16 V, 300 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: AZ23C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 16V
Description: DIODES INC. - AZ23C16-7-F - Zener-Diode, Array, 16 V, 300 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: AZ23C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 16V
auf Bestellung 2913 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 0.55 EUR |
| 855+ | 0.27 EUR |
| 1411+ | 0.15 EUR |
| 1467+ | 0.14 EUR |
| AZ23C3V0-7-F |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AZ23C3V0-7-F - Zener-Diode, Array, 3 V, 300 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: AZ23C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3V
Description: DIODES INC. - AZ23C3V0-7-F - Zener-Diode, Array, 3 V, 300 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: AZ23C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3V
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| ZTX451 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZTX451 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 1 A, 1 W, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: E-Line
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - ZTX451 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 1 A, 1 W, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: E-Line
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2984 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 106+ | 2.38 EUR |
| 169+ | 1.37 EUR |
| 259+ | 0.83 EUR |
| 500+ | 0.81 EUR |
| 1000+ | 0.8 EUR |
| ZXTR2012P5-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTR2012P5-13 - Linearer Festspannungsregler, 15 bis 100Vin, 12V/50mAout, PowerDI5-3
tariffCode: 85411000
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
IC-Gehäuse / Bauform: PowerDI5
Nennausgangsspannung: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 100V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 50mA
Eingangsspannung, min.: 15V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 12V 50mA Linear Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 50mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - ZXTR2012P5-13 - Linearer Festspannungsregler, 15 bis 100Vin, 12V/50mAout, PowerDI5-3
tariffCode: 85411000
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
IC-Gehäuse / Bauform: PowerDI5
Nennausgangsspannung: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 100V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 50mA
Eingangsspannung, min.: 15V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 12V 50mA Linear Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 50mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1514 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 209+ | 1.2 EUR |
| 301+ | 0.77 EUR |
| 387+ | 0.56 EUR |
| 500+ | 0.49 EUR |
| 1000+ | 0.46 EUR |
| DMP3098LSS-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3098LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.056 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMP3098LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.056 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 171+ | 1.46 EUR |
| 233+ | 1 EUR |
| 341+ | 0.63 EUR |
| 500+ | 0.48 EUR |
| 1000+ | 0.42 EUR |
| DMP3098LDM-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3098LDM-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.056 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMP3098LDM-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.056 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 141+ | 1.78 EUR |
| 201+ | 1.15 EUR |
| 301+ | 0.71 EUR |
| 500+ | 0.56 EUR |
| 1000+ | 0.5 EUR |
| DMP3098LQ-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3098LQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.056 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.08W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMP3098LQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.056 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.08W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 203+ | 1.24 EUR |
| 329+ | 0.7 EUR |
| 667+ | 0.32 EUR |
| 800+ | 0.26 EUR |
| 1013+ | 0.21 EUR |
| DMP3098LDM-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3098LDM-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.056 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMP3098LDM-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.056 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 141+ | 1.78 EUR |
| 201+ | 1.15 EUR |
| 301+ | 0.71 EUR |
| 500+ | 0.56 EUR |
| 1000+ | 0.5 EUR |
| DMP3098LQ-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3098LQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.056 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.08W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMP3098LQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.056 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.08W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 203+ | 1.24 EUR |
| 329+ | 0.7 EUR |
| 667+ | 0.32 EUR |
| 800+ | 0.26 EUR |
| 1013+ | 0.21 EUR |
| DMP3098LSS-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3098LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.056 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMP3098LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.056 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 171+ | 1.46 EUR |
| 233+ | 1 EUR |
| 341+ | 0.63 EUR |
| 500+ | 0.48 EUR |
| 1000+ | 0.42 EUR |
| FMMT614QTA |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - FMMT614QTA - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 100 V, 500 mA, 500 mW
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 5000hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 100V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 500mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - FMMT614QTA - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 100 V, 500 mA, 500 mW
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 5000hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 100V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 500mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 746 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 148+ | 1.69 EUR |
| 218+ | 1.07 EUR |
| 318+ | 0.68 EUR |
| 500+ | 0.51 EUR |
| FMMT614TA |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - FMMT614TA - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 500 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 5000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 500mW
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - FMMT614TA - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 500 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 5000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 500mW
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 105+ | 2.39 EUR |
| 231+ | 1.01 EUR |
| 262+ | 0.82 EUR |
| 500+ | 0.81 EUR |
| 1500+ | 0.79 EUR |
| FMMT614QTA |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - FMMT614QTA - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 100 V, 500 mA, 500 mW
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 5000hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 100V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 500mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - FMMT614QTA - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 100 V, 500 mA, 500 mW
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 5000hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 100V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 500mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 746 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 148+ | 1.69 EUR |
| 218+ | 1.07 EUR |
| 318+ | 0.68 EUR |
| 500+ | 0.51 EUR |
| FMMT614TA |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - FMMT614TA - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 500 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 5000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 500mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - FMMT614TA - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 500 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 5000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 500mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 105+ | 2.39 EUR |
| 231+ | 1.01 EUR |
| 262+ | 0.82 EUR |
| 500+ | 0.81 EUR |
| 1500+ | 0.79 EUR |
| AL1794AFE-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AL1794AFE-13 - LED-Treiber, AC/DC, linear, 6.5V bis 30V, 1.5A, 1 Ausgang, SMD, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 30V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: U-DFN4030
Schaltfrequenz, typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
Bauform - Treiber: U-DFN4030
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Bausteintopologie: Linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: 6.5V
Topologie: Linear
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: DIODES INC. - AL1794AFE-13 - LED-Treiber, AC/DC, linear, 6.5V bis 30V, 1.5A, 1 Ausgang, SMD, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 30V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: U-DFN4030
Schaltfrequenz, typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
Bauform - Treiber: U-DFN4030
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Bausteintopologie: Linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: 6.5V
Topologie: Linear
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 55+ | 4.59 EUR |
| 70+ | 3.32 EUR |
| 79+ | 2.74 EUR |
| 82+ | 2.63 EUR |
| 100+ | 2.51 EUR |
| 250+ | 2.36 EUR |
| AL1794AFE-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AL1794AFE-13 - LED-Treiber, AC/DC, linear, 6.5V bis 30V, 1.5A, 1 Ausgang, SMD, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 30V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: U-DFN4030
Schaltfrequenz, typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
Bauform - Treiber: U-DFN4030
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Bausteintopologie: Linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: 6.5V
Topologie: Linear
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: DIODES INC. - AL1794AFE-13 - LED-Treiber, AC/DC, linear, 6.5V bis 30V, 1.5A, 1 Ausgang, SMD, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 30V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: U-DFN4030
Schaltfrequenz, typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
Bauform - Treiber: U-DFN4030
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Bausteintopologie: Linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: 6.5V
Topologie: Linear
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.51 EUR |
| 250+ | 2.36 EUR |
| ZXTP25100BFH |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP25100BFH - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 1.25 W, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - ZXTP25100BFH - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 1.25 W, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 157+ | 1.59 EUR |
| 196+ | 1.19 EUR |
| 292+ | 0.74 EUR |
| 500+ | 0.57 EUR |
| 1000+ | 0.52 EUR |
| ZXT10N50DE6TA |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXT10N50DE6TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 1.7 W, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 165MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - ZXT10N50DE6TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 1.7 W, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 165MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 148+ | 1.69 EUR |
| 211+ | 1.11 EUR |
| 308+ | 0.69 EUR |
| 500+ | 0.54 EUR |
| 1000+ | 0.45 EUR |
| ZXT10N50DE6TA |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXT10N50DE6TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 1.7 W, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 165MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - ZXT10N50DE6TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 1.7 W, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 165MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 148+ | 1.69 EUR |
| 211+ | 1.11 EUR |
| 308+ | 0.69 EUR |
| 500+ | 0.54 EUR |
| 1000+ | 0.45 EUR |
| ZXTD09N50DE6TA |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTD09N50DE6TA - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 1 A, 1.1 W
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 75hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 215MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.1W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
Description: DIODES INC. - ZXTD09N50DE6TA - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 1 A, 1.1 W
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 75hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 215MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.1W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
auf Bestellung 755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 59+ | 4.3 EUR |
| 91+ | 2.57 EUR |
| 146+ | 1.46 EUR |
| 500+ | 1.33 EUR |
| ZXTD09N50DE6TA |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTD09N50DE6TA - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 1 A, 1.1 W
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 75hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 215MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.1W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
Description: DIODES INC. - ZXTD09N50DE6TA - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 1 A, 1.1 W
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 75hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 215MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.1W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
auf Bestellung 755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.57 EUR |
| 146+ | 1.46 EUR |
| 500+ | 1.33 EUR |
| SBRT10U60D1Q-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SBRT10U60D1Q-13 - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 10 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 520 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 140A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 520mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Trench SBR
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - SBRT10U60D1Q-13 - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 10 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 520 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 140A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 520mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Trench SBR
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 578 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 102+ | 2.46 EUR |
| 144+ | 1.62 EUR |
| 172+ | 1.25 EUR |
| 500+ | 0.98 EUR |
| SBRT10U60D1Q-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SBRT10U60D1Q-13 - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 10 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 520 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 140A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 520mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Trench SBR
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - SBRT10U60D1Q-13 - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 10 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 520 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 140A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 520mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Trench SBR
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 578 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 102+ | 2.46 EUR |
| 144+ | 1.62 EUR |
| 172+ | 1.25 EUR |
| 500+ | 0.98 EUR |
| DFLS240L-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DFLS240L-7 - Schottky-Gleichrichterdiode, POWERDI®, 40 V, 2 A, Einfach, PowerDI 123, 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85044083
Bauform - Diode: PowerDI 123
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 500mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: DFLS2
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DFLS240L-7 - Schottky-Gleichrichterdiode, POWERDI®, 40 V, 2 A, Einfach, PowerDI 123, 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85044083
Bauform - Diode: PowerDI 123
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 500mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: DFLS2
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 25554 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 186+ | 1.34 EUR |
| 333+ | 0.7 EUR |
| 371+ | 0.58 EUR |
| 500+ | 0.44 EUR |
| 1000+ | 0.39 EUR |
| 5000+ | 0.29 EUR |
| APX825A-31W6G-7 |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - APX825A-31W6G-7 - MPU-ÜBERW.SCHALTUNG/WÄCHTER -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Reset-Schwellenspannung, min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 200ms
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-26
Reset-Ausgang: Manuell, Aktiv-High / Aktiv-Low
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
Reset-Schwellenspannung, nom.: 3.08V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.1V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - APX825A-31W6G-7 - MPU-ÜBERW.SCHALTUNG/WÄCHTER -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Reset-Schwellenspannung, min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 200ms
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-26
Reset-Ausgang: Manuell, Aktiv-High / Aktiv-Low
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
Reset-Schwellenspannung, nom.: 3.08V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.1V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 125+ | 2 EUR |
| 209+ | 1.11 EUR |
| 331+ | 0.65 EUR |
| 500+ | 0.49 EUR |
| 1000+ | 0.44 EUR |
| 74LVC1G58W6-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 74LVC1G58W6-7 - Multifunktions-Logikgatter, 3 Eingänge, 32mA, 1.65V bis 5.5V, SOT-26-6
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Konfigurierbares Multifunktionsgatter
Logik-IC-Familie: 74LVC
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SOT-26
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-26
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 74LVC1G58
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 3Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - 74LVC1G58W6-7 - Multifunktions-Logikgatter, 3 Eingänge, 32mA, 1.65V bis 5.5V, SOT-26-6
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Konfigurierbares Multifunktionsgatter
Logik-IC-Familie: 74LVC
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SOT-26
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-26
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 74LVC1G58
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 3Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| DMN601DMK-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN601DMK-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 510 mA, 510 mA, 2.4 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 510mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 510mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 980mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 980mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMN601DMK-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 510 mA, 510 mA, 2.4 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 510mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 510mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 980mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 980mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 213 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 155+ | 1.62 EUR |
| DMN601DMK-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN601DMK-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 510 mA, 510 mA, 2.4 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 510mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 510mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 980mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.4ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 980mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMN601DMK-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 510 mA, 510 mA, 2.4 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 510mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 510mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 980mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.4ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 980mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 213 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 155+ | 1.62 EUR |
| DDZ9689-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DDZ9689-7 - Zener-Diode, hohe Genauigkeit, 5.1 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: DDZ96
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
Description: DIODES INC. - DDZ9689-7 - Zener-Diode, hohe Genauigkeit, 5.1 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: DDZ96
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
auf Bestellung 1425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 633+ | 0.39 EUR |
| 788+ | 0.3 EUR |
| SMCJ100CA-13-F |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SMCJ100CA-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMCJ, Bidirektional, 100 V, 162 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 111V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 123V
isCanonical: Y
Sperrspannung: 100V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SMCJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 162V
Description: DIODES INC. - SMCJ100CA-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMCJ, Bidirektional, 100 V, 162 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 111V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 123V
isCanonical: Y
Sperrspannung: 100V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SMCJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 162V
auf Bestellung 1774 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 89+ | 2.82 EUR |
| 142+ | 1.64 EUR |
| 215+ | 1 EUR |
| 500+ | 0.95 EUR |
| 1000+ | 0.9 EUR |
| DXTP560BP5-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DXTP560BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 500 V, 150 mA, 2.8 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 500V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - DXTP560BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 500 V, 150 mA, 2.8 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 500V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.73 EUR |
| 148+ | 1.57 EUR |
| 227+ | 0.94 EUR |
| 500+ | 0.67 EUR |
| 1000+ | 0.61 EUR |
| B340LB-13-F |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - B340LB-13-F - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 450 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 70A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 450mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: B340L
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: DIODES INC. - B340LB-13-F - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 450 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 70A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 450mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: B340L
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 5664 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 119+ | 2.12 EUR |
| 191+ | 1.21 EUR |
| 299+ | 0.71 EUR |
| 500+ | 0.7 EUR |
| 1000+ | 0.69 EUR |
| BCV49TA |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BCV49TA - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 60 V, 1 W, 500 mA, SOT-89, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - HF-Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - BCV49TA - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 60 V, 1 W, 500 mA, SOT-89, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - HF-Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BAS16T-7-F |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BAS16T-7-F - Kleinsignaldiode, Einfach, 85 V, 155 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-523
Durchlassstoßstrom: 4A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 155mA
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 85V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - BAS16T-7-F - Kleinsignaldiode, Einfach, 85 V, 155 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-523
Durchlassstoßstrom: 4A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 155mA
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 85V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 269+ | 0.93 EUR |
| 443+ | 0.52 EUR |
| 705+ | 0.31 EUR |
| 944+ | 0.23 EUR |
| 1065+ | 0.2 EUR |
| MMSZ5239B |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMSZ5239B - Zener-Diode, Baureihe MMSZ52, 9.1 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 9.1V
Description: DIODES INC. - MMSZ5239B - Zener-Diode, Baureihe MMSZ52, 9.1 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 9.1V
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DGD2181MS8-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DGD2181MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 180ns
Ausgabeverzögerung: 220ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DGD2181MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 180ns
Ausgabeverzögerung: 220ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2221 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.46 EUR |
| 104+ | 2.07 EUR |
| 127+ | 1.69 EUR |
| 250+ | 1.64 EUR |
| 500+ | 1.59 EUR |
| 1000+ | 1.56 EUR |
| DGD2181MS8-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DGD2181MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 180ns
Ausgabeverzögerung: 220ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DGD2181MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 180ns
Ausgabeverzögerung: 220ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2221 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 70+ | 3.59 EUR |
| 95+ | 2.46 EUR |
| 104+ | 2.07 EUR |
| 127+ | 1.69 EUR |
| 250+ | 1.64 EUR |
| 500+ | 1.59 EUR |
| 1000+ | 1.56 EUR |
| DGD2136MS28-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DGD2136MS28-13 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 28 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 350mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 200mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 330ns
Ausgabeverzögerung: 330ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: DIODES INC. - DGD2136MS28-13 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 28 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 350mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 200mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 330ns
Ausgabeverzögerung: 330ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 1372 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 49+ | 5.15 EUR |
| 66+ | 3.52 EUR |
| 72+ | 2.98 EUR |
| 76+ | 2.83 EUR |
| 100+ | 2.68 EUR |
| 250+ | 2.63 EUR |
| 500+ | 2.59 EUR |
| 1000+ | 2.55 EUR |
| DGD2190MS8-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DGD2190MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 140ns
Ausgabeverzögerung: 140ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: DIODES INC. - DGD2190MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 140ns
Ausgabeverzögerung: 140ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 11716 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 58+ | 4.38 EUR |
| 78+ | 3 EUR |
| 85+ | 2.52 EUR |
| 100+ | 2.25 EUR |
| 250+ | 2.11 EUR |
| 500+ | 2.07 EUR |
| 1000+ | 2.02 EUR |
| 2500+ | 1.98 EUR |
| DGD2106MS8-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DGD2106MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 100ns
Ausgabeverzögerung: 100ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: DIODES INC. - DGD2106MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 100ns
Ausgabeverzögerung: 100ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 4843 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 66+ | 3.8 EUR |
| 90+ | 2.59 EUR |
| 99+ | 2.19 EUR |
| 101+ | 2.14 EUR |
| 250+ | 2.09 EUR |
| 500+ | 2.05 EUR |
| 1000+ | 2 EUR |
| 2500+ | 1.96 EUR |
| DGD2190MS8-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DGD2190MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
Bauform - Treiber: SOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 140ns
Ausgabeverzögerung: 140ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: DIODES INC. - DGD2190MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
Bauform - Treiber: SOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 140ns
Ausgabeverzögerung: 140ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 11716 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.25 EUR |
| 250+ | 2.11 EUR |
| 500+ | 2.07 EUR |
| 1000+ | 2.02 EUR |
| 2500+ | 1.98 EUR |

























