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DMN4800LSS-13 DMN4800LSS-13 DIODES INC. DIODS20632-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN4800LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.46W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4800LSSQ-13 DMN4800LSSQ-13 DIODES INC. DMN4800LSSQ.pdf Description: DIODES INC. - DMN4800LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.46W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4496SSS-13 DMG4496SSS-13 DIODES INC. DIODS20478-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG4496SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.42W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4800LSSL-13 DMN4800LSSL-13 DIODES INC. DMN4800LSSL.pdf Description: DIODES INC. - DMN4800LSSL-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.46W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 4735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4800LSSQ-13 DMN4800LSSQ-13 DIODES INC. DMN4800LSSQ.pdf Description: DIODES INC. - DMN4800LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.46W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2010UFV-13 DMP2010UFV-13 DIODES INC. DIOD-S-A0003383569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP2010UFV-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 7500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2457 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4496SSS-13 DMG4496SSS-13 DIODES INC. DIODS20478-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG4496SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.42W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2010UFV-13 DMP2010UFV-13 DIODES INC. DIOD-S-A0003383569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP2010UFV-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 7500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2457 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4007LPSQ-13 DMTH4007LPSQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0013120651-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH4007LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 5400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH41M8SPS-13 DMTH41M8SPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0008363783-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH41M8SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.03W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH8012LPSQ-13 DMTH8012LPSQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0013083928-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH8012LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 72 A, 0.0123 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4004SPS-13 DMTH4004SPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0003132841-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH4004SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2300 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4419 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2002UPS-13 DMP2002UPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0002832774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP2002UPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1300 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 982 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT32M5LPS-13 DMT32M5LPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0007771231-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT32M5LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 1600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH8003SPS-13 DMTH8003SPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0013889888-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH8003SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3100 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.9W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH43M8LPS-13 DMTH43M8LPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0004567215-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH43M8LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6009LPS-13 DMT6009LPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0002833412-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT6009LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 87 A, 7200 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1982 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH6009LPS-13 DMTH6009LPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0007771163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH6009LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89.5 A, 7200 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3010LPSQ-13 DMP3010LPSQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0004395499-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP3010LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 5700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.26W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1777 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT67M8LPSW-13 DMT67M8LPSW-13 DIODES INC. DIOD-S-A0009150503-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT67M8LPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 82 A, 4400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 82A
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auf Bestellung 2474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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auf Bestellung 989 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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auf Bestellung 2350 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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auf Bestellung 2324 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2387 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4008LPSQ-13 DMTH4008LPSQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0004887464-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH4008LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 64.8 A, 7300 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 2380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6005LPS-13 DMT6005LPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0013290117-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT6005LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 125 A, 3500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH8003SPS-13 DMTH8003SPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0013889888-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH8003SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3100 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP34M4SPS-13 DMP34M4SPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0007713677-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP34M4SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 87 A, 0.0029 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
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SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UPS-13 DMN2005UPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0011396950-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2005UPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 4600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
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Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UPS-13 DMN2005UPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0011396950-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2005UPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 4600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: PowerDI 5060
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Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH43M8LPS-13 DMTH43M8LPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0004567215-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH43M8LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: PowerDI 5060
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH6002LPS-13 DMTH6002LPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0012901561-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH6002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 205 A, 1700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Qualifikation: -
isCanonical: N
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH6016LPS-13 DMTH6016LPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0013083653-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH6016LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 37.1 A, 0.0124 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
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Qualifikation: -
isCanonical: N
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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Verlustleistung: 37.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1609 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH8012LPSQ-13 DMTH8012LPSQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0013083928-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH8012LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 72 A, 0.0123 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 72A
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4007LPSQ-13 DMTH4007LPSQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0013120651-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH4007LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 5400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT68M8LPS-13 DMT68M8LPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0010705909-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT68M8LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 69.2 A, 5900 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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Verlustleistung: 56.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 833 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT68M8LPS-13 DMT68M8LPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0010705909-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT68M8LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 69.2 A, 5900 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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Verlustleistung: 56.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 833 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT10H015LPS-13 DMT10H015LPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0011396860-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT10H015LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.011 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
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Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Dauer-Drainstrom Id: 44A
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Qualifikation: -
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
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Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT10H009SPS-13 DMT10H009SPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0007740392-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT10H009SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 989 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6012SPSQ-13 DMNH6012SPSQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0002497963-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMNH6012SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 8000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT10H010LPS-13 DMT10H010LPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0004259684-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT10H010LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 98 A, 6900 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2431 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH41M8SPSQ-13 DMTH41M8SPSQ-13 DIODES INC. DMTH41M8SPSQ.pdf Description: DIODES INC. - DMTH41M8SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.03W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1972 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT4004LPS-13 DMT4004LPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0002833169-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT4004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 2500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 138W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2713 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH41M8SPSQ-13 DMTH41M8SPSQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0008363826-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH41M8SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.03W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1972 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMCJ85A-13-F SMCJ85A-13-F DIODES INC. DIOD-S-A0000285740-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - SMCJ85A-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMCJ, Unidirektional, 85 V, 137 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 94.4V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 104V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 85V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: Produktreihe SMCJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 137V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 4915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMCJ85A-13-F SMCJ85A-13-F DIODES INC. ds19003.pdf Description: DIODES INC. - SMCJ85A-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMCJ, Unidirektional, 85 V, 137 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 94.4V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 104V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 85V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SMCJ
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 137V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170P DIODES INC. DIOD-S-A0005632443-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BS170P - MOSFET, N-KANAL, E-LINE
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3929 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBZ5244B-7-F MMBZ5244B-7-F DIODES INC. DIOD-S-A0013889917-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBZ5244B-7-F - Zener-Diode, 14 V, 350 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Produktreihe MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 14V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DDZ9701T-7 DDZ9701T-7 DIODES INC. DIOD-S-A0003550665-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DDZ9701T-7 - Zener-Diode, 14 V, 150 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: DDZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 14V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DDZ9701S-7 DDZ9701S-7 DIODES INC. DIODS11836-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DDZ9701S-7 - Zener-Diode, 14 V, 200 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: Produktreihe DDZ97
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 14V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 4130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DDZ9701T-7 DDZ9701T-7 DIODES INC. DIOD-S-A0003550665-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DDZ9701T-7 - Zener-Diode, 14 V, 150 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: DDZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 14V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3056LSS-13 DMP3056LSS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0003132723-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP3056LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.1 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3056LSS-13 DMP3056LSS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0003132723-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP3056LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.1 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3056LSD-13 DMP3056LSD-13 DIODES INC. DIODS21213-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP3056LSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.9 A, 6.9 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3056LSDQ-13 DMP3056LSDQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0013083690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP3056LSDQ-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.9 A, 6.9 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3056LSDQ-13 DMP3056LSDQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0013083690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP3056LSDQ-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.9 A, 6.9 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3056LSD-13 DMP3056LSD-13 DIODES INC. DIODS21213-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP3056LSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.9 A, 6.9 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D3V3F8U9LP3810-7 D3V3F8U9LP3810-7 DIODES INC. DIOD-S-A0004889085-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - D3V3F8U9LP3810-7 - TVS-Diode, Unidirektional, 3.3 V, 5 V, U-DFN3810, 9 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: U-DFN3810
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 5.5V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: -
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 3.3V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 32W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Klemmspannung, max.: 5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1657 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D3V3F8U9LP3810-7 D3V3F8U9LP3810-7 DIODES INC. DIOD-S-A0004889085-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - D3V3F8U9LP3810-7 - TVS-Diode, Unidirektional, 3.3 V, 5 V, U-DFN3810, 9 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: U-DFN3810
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Diodenmontage: Oberflächenmontage
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Durchbruchspannung, min.: 5.5V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: -
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Sperrspannung: 3.3V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 32W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Klemmspannung, max.: 5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1657 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4800LSS-13 DIODS20632-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN4800LSS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN4800LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.46W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4800LSSQ-13 DMN4800LSSQ.pdf
DMN4800LSSQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN4800LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
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Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4496SSS-13 DIODS20478-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMG4496SSS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG4496SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
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Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4800LSSL-13 DMN4800LSSL.pdf
DMN4800LSSL-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN4800LSSL-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Dauer-Drainstrom Id: 8A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
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Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 4735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4800LSSQ-13 DMN4800LSSQ.pdf
DMN4800LSSQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN4800LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
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Bauform - Transistor: SOIC
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Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2010UFV-13 DIOD-S-A0003383569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP2010UFV-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2010UFV-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 7500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2457 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG4496SSS-13 DIODS20478-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMG4496SSS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG4496SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
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Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2010UFV-13 DIOD-S-A0003383569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP2010UFV-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2010UFV-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 7500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
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Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2457 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4007LPSQ-13 DIOD-S-A0013120651-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH4007LPSQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH4007LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 5400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH41M8SPS-13 DIOD-S-A0008363783-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH41M8SPS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH41M8SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.03W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH8012LPSQ-13 DIOD-S-A0013083928-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH8012LPSQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH8012LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 72 A, 0.0123 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 72A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4004SPS-13 DIOD-S-A0003132841-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH4004SPS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH4004SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2300 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4419 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2002UPS-13 DIOD-S-A0002832774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP2002UPS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2002UPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1300 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 982 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT32M5LPS-13 DIOD-S-A0007771231-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT32M5LPS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT32M5LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 1600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH8003SPS-13 DIOD-S-A0013889888-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH8003SPS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH8003SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3100 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.9W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH43M8LPS-13 DIOD-S-A0004567215-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH43M8LPS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH43M8LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6009LPS-13 DIOD-S-A0002833412-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT6009LPS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT6009LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 87 A, 7200 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1982 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH6009LPS-13 DIOD-S-A0007771163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH6009LPS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH6009LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89.5 A, 7200 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3010LPSQ-13 DIOD-S-A0004395499-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP3010LPSQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3010LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 5700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.26W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1777 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT67M8LPSW-13 DIOD-S-A0009150503-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT67M8LPSW-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT67M8LPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 82 A, 4400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 82A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.64V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT10H009SPS-13 DIOD-S-A0007740392-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT10H009SPS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT10H009SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 989 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT10H010SPS-13 DIOD-S-A0004145048-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT10H010SPS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT10H010SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 113 A, 6600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 113A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT10H010SPS-13 DIOD-S-A0004145048-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT10H010SPS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT10H010SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 113 A, 6600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 113A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH6010LPSQ-13 DIOD-S-A0007713661-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH6010LPSQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH6010LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 6400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2324 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH1006UPSQ-13 DIOD-S-A0011756480-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMPH1006UPSQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH1006UPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 80 A, 4000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2387 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4008LPSQ-13 DIOD-S-A0004887464-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH4008LPSQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH4008LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 64.8 A, 7300 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64.8A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6005LPS-13 DIOD-S-A0013290117-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT6005LPS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT6005LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 125 A, 3500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1161 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH8003SPS-13 DIOD-S-A0013889888-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH8003SPS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH8003SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3100 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.9W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1439 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP34M4SPS-13 DIOD-S-A0007713677-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP34M4SPS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP34M4SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 87 A, 0.0029 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UPS-13 DIOD-S-A0011396950-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN2005UPS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2005UPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 4600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2005UPS-13 DIOD-S-A0011396950-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN2005UPS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2005UPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 4600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH43M8LPS-13 DIOD-S-A0004567215-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH43M8LPS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH43M8LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH6002LPS-13 DIOD-S-A0012901561-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH6002LPS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH6002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 205 A, 1700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH6016LPS-13 DIOD-S-A0013083653-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH6016LPS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH6016LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 37.1 A, 0.0124 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1609 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH8012LPSQ-13 DIOD-S-A0013083928-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH8012LPSQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH8012LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 72 A, 0.0123 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH4007LPSQ-13 DIOD-S-A0013120651-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH4007LPSQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH4007LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 5400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT68M8LPS-13 DIOD-S-A0010705909-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT68M8LPS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT68M8LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 69.2 A, 5900 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 833 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT68M8LPS-13 DIOD-S-A0010705909-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT68M8LPS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT68M8LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 69.2 A, 5900 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 833 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT10H015LPS-13 DIOD-S-A0011396860-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT10H015LPS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT10H015LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.011 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT10H009SPS-13 DIOD-S-A0007740392-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT10H009SPS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT10H009SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 989 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMNH6012SPSQ-13 DIOD-S-A0002497963-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMNH6012SPSQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMNH6012SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 8000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT10H010LPS-13 DIOD-S-A0004259684-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT10H010LPS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT10H010LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 98 A, 6900 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2431 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH41M8SPSQ-13 DMTH41M8SPSQ.pdf
DMTH41M8SPSQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH41M8SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.03W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1972 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT4004LPS-13 DIOD-S-A0002833169-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT4004LPS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT4004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 2500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 138W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2713 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH41M8SPSQ-13 DIOD-S-A0008363826-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH41M8SPSQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH41M8SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.03W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1972 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMCJ85A-13-F DIOD-S-A0000285740-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SMCJ85A-13-F
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SMCJ85A-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMCJ, Unidirektional, 85 V, 137 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 94.4V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 104V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 85V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: Produktreihe SMCJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 137V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 4915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMCJ85A-13-F ds19003.pdf
SMCJ85A-13-F
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SMCJ85A-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMCJ, Unidirektional, 85 V, 137 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 94.4V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 104V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 85V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SMCJ
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 137V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170P DIOD-S-A0005632443-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BS170P - MOSFET, N-KANAL, E-LINE
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3929 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBZ5244B-7-F DIOD-S-A0013889917-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBZ5244B-7-F
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBZ5244B-7-F - Zener-Diode, 14 V, 350 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Produktreihe MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 14V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DDZ9701T-7 DIOD-S-A0003550665-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DDZ9701T-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DDZ9701T-7 - Zener-Diode, 14 V, 150 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: DDZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 14V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DDZ9701S-7 DIODS11836-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DDZ9701S-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DDZ9701S-7 - Zener-Diode, 14 V, 200 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: Produktreihe DDZ97
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 14V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 4130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DDZ9701T-7 DIOD-S-A0003550665-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DDZ9701T-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DDZ9701T-7 - Zener-Diode, 14 V, 150 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: DDZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 14V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3056LSS-13 DIOD-S-A0003132723-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP3056LSS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3056LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.1 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3056LSS-13 DIOD-S-A0003132723-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP3056LSS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3056LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.1 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3056LSD-13 DIODS21213-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP3056LSD-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3056LSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.9 A, 6.9 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3056LSDQ-13 DIOD-S-A0013083690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP3056LSDQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3056LSDQ-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.9 A, 6.9 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3056LSDQ-13 DIOD-S-A0013083690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP3056LSDQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3056LSDQ-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.9 A, 6.9 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP3056LSD-13 DIODS21213-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP3056LSD-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3056LSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.9 A, 6.9 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D3V3F8U9LP3810-7 DIOD-S-A0004889085-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
D3V3F8U9LP3810-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - D3V3F8U9LP3810-7 - TVS-Diode, Unidirektional, 3.3 V, 5 V, U-DFN3810, 9 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: U-DFN3810
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 5.5V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: -
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 3.3V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 32W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Klemmspannung, max.: 5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1657 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D3V3F8U9LP3810-7 DIOD-S-A0004889085-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
D3V3F8U9LP3810-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - D3V3F8U9LP3810-7 - TVS-Diode, Unidirektional, 3.3 V, 5 V, U-DFN3810, 9 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: U-DFN3810
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 5.5V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: -
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 3.3V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 32W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Klemmspannung, max.: 5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1657 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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