Produkte > DIODES INC. > Alle Produkte des Herstellers DIODES INC. (10413) > Seite 152 nach 174
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APX825A-46W6G-7 | DIODES INC. |
 Description: DIODES INC. - APX825A-46W6G-7 - Mikroprozessor-Überwachungsschaltung, 1 Wächter, 2.9V, manuell/Active-High/-Low, 1.1-5.5V, SOT-26-6tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Reset-Schwellenspannung, min.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Verzögerungszeit: 200ms Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOT-26 Reset-Ausgang: Manuell, Aktiv-High / Aktiv-Low usEccn: EAR99 Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors Reset-Schwellenspannung, nom.: 4.63V Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.1V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
APX825A-29W6G-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - APX825A-29W6G-7 - Mikroprozessor-Überwachungsschaltung, 1 Wächter, 2.9V, manuell/Active-High/-Low, 1.1-5.5V, SOT-26-6 tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Reset-Schwellenspannung, min.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Verzögerungszeit: 200ms Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOT-26 Reset-Ausgang: Manuell, Aktiv-High / Aktiv-Low usEccn: EAR99 Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors Reset-Schwellenspannung, nom.: 2.93V Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.1V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1855 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
APX825A-29W6G-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - APX825A-29W6G-7 - Mikroprozessor-Überwachungsschaltung, 1 Wächter, 2.9V, manuell/Active-High/-Low, 1.1-5.5V, SOT-26-6 tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Reset-Schwellenspannung, min.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Verzögerungszeit: 200ms Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOT-26 Reset-Ausgang: Manuell, Aktiv-High / Aktiv-Low usEccn: EAR99 Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors Reset-Schwellenspannung, nom.: 2.93V Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.1V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1855 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
APX825A-46W6G-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - APX825A-46W6G-7 - Mikroprozessor-Überwachungsschaltung, 1 Wächter, 2.9V, manuell/Active-High/-Low, 1.1-5.5V, SOT-26-6 tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Reset-Schwellenspannung, min.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Verzögerungszeit: 200ms Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOT-26 Reset-Ausgang: Manuell, Aktiv-High / Aktiv-Low usEccn: EAR99 Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors Reset-Schwellenspannung, nom.: 4.63V Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.1V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
PD3Z284C5V1Q-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - PD3Z284C5V1Q-7 - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, POWERDI 323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: POWERDI 323 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: PowerDI Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 5.1V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
DDZX15-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DDZX15-7 - Zener-Diode, 15 V, 300 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DDZX Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 15V SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2859 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
DDZX15-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DDZX15-7 - Zener-Diode, 15 V, 300 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DDZX Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 15V SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2859 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
AP9211SA-AK-HAC-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - AP9211SA-AK-HAC-7 - Akkuschutz, Auto-Wake-Up, 1 Zelle, Lithium-Ionen-Akku, 1.5V bis 5.5Vin, UDFN2030-EP tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anzahl der Zellen: 1Cells IC-Gehäuse / Bauform: UDFN2030-EP Abschaltstrom: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.5V Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Batterie-/Akkuschutz: Strom-/Spannungsüberladung, übermäßige Strom-/Spannungs-Entladung, Kurzschluss productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2998 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
DDTA123ECA-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DDTA123ECA-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
DDTA123ECA-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DDTA123ECA-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
1N4448W-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - 1N4448W-7-F - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 500 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N4448 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 75V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 5223 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
74AHC1G07QSE-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - 74AHC1G07QSE-7 - Puffer / Treiber, 74AHC1G07, 2V bis 5.5V, 5 Pins, SOT-353, -40°C bis 125°C tariffCode: 85423190 Logik-IC-Sockelnummer: 741G07 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 74AHC Bauform - Logikbaustein: SOT-353 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353 usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V Logikfamilie / Sockelnummer: 74AHC1G07 euEccn: NLR Logikbaustein: Puffer/Treiber Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 4720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
BAT42W-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BAT42W-7-F - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 1 V, 4 A, 125 °C tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 5ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BAT42 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3455 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
DMG6602SVTQ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG6602SVTQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm Verlustleistung, p-Kanal: 840mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 840mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 3616 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
DMG6602SVT-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG6602SVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.4A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm Verlustleistung, p-Kanal: 840mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 840mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 22660 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
DMG6602SVT-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG6602SVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm Verlustleistung, p-Kanal: 840mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 840mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
DMG6602SVTQ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG6602SVTQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.4A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm Verlustleistung, p-Kanal: 840mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 840mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 866 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
DMG6602SVTX-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG6602SVTX-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.035 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.035ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2215 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
DMG6602SVTX-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG6602SVTX-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.035 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.035ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2215 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
DMC3400SDW-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC3400SDW-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 650mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 310mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 310mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 35990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
DMC3400SDW-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC3400SDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 650mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 310mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 310mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
DMC3400SDW-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC3400SDW-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 650mA Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 650mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 310mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 310mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 36085 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
DMC3071LVT-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC3071LVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.6 A, 4.6 A, 0.034 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
DMC3025LSDQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC3025LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.015 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 3274 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
DMC3032LSD-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC3032LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.1 A, 8.1 A, 0.023 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 190 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
DMC3028LSDXQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC3028LSDXQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.019 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2397 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
DMC31D5UDJ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC31D5UDJ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 0.9 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm Verlustleistung, p-Kanal: 350mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-963 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.9ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 350mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 8270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
DMC3016LSD-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC3016LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.2 A, 8.2 A, 0.012 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2265 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
DMC3026LSD-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC3026LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.019 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2199 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
DMC3025LSDQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC3025LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.015 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 3274 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
DMC31D5UDJ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC31D5UDJ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 0.9 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm Verlustleistung, p-Kanal: 350mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-963 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.9ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 350mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 7250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
DMC31D5UDJ-7B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC31D5UDJ-7B - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 0.9 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm Verlustleistung, p-Kanal: 350mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-963 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.9ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 350mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 9940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
DMC3730UFL3-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC3730UFL3-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 1.1 A, 1.1 A, 0.291 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.291ohm Verlustleistung, p-Kanal: 390mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: X2-DFN1310 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.291ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 390mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
DMC3016LSD-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC3016LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.2 A, 8.2 A, 0.012 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2215 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
DMC3071LVT-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC3071LVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.6 A, 4.6 A, 0.034 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
DMC31D5UDJ-7B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC31D5UDJ-7B - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 0.9 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm Verlustleistung, p-Kanal: 350mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-963 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.9ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 350mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 9940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
DMC3730UFL3-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC3730UFL3-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 1.1 A, 1.1 A, 0.291 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.291ohm Verlustleistung, p-Kanal: 390mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: X2-DFN1310 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.291ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 390mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
DMC3025LDV-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC3025LDV-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 15 A, 15 A, 0.015 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerDI3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1620 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
DMC3026LSD-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC3026LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.019 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2199 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
DMC3032LSD-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC3032LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.1 A, 8.1 A, 0.023 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1495 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
DMC3028LSDXQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC3028LSDXQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.019 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
DMC3025LDV-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC3025LDV-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 15 A, 15 A, 0.015 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerDI3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1620 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
ZXMP6A16KTC | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP6A16KTC - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.2 A, 0.085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 9.76W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 10552 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
DMT3009UDT-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT3009UDT-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10.6 A, 10.6 A, 0.0086 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0086ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: V-DFN3030 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0086ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1489 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
DMT3009UDT-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT3009UDT-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10.6 A, 10.6 A, 0.0086 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.6A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0086ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: V-DFN3030 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0086ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1489 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
DMN3009LFVQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3009LFVQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0035 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2981 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
DMN3009LFVQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3009LFVQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0035 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2981 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
DMN3404L-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3404L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.2 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 114404 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
DMN3069L-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3069L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.02 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
DMN3061SWQ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3061SWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.041 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 490mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
DMP3125L-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3125L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.076 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.076ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 11511 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
DMG6402LVT-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG6402LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.022 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.75W Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: DMG6402LVT productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 5645 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
DMN3060LWQ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3060LWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.6 A, 0.048 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 5350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
DMN3028LQ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3028LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.2 A, 0.016 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 860mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 5470 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
DMN3016LDV-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3016LDV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 21 A, 21 A, 0.0095 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0095ohm Verlustleistung, p-Kanal: 900mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerDI3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0095ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 900mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1272 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
DMN3032LFDB-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3032LFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6.2 A, 6.2 A, 0.025 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
DMN3150L-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3150L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.039 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 920mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
DMN3065LW-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3065LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.052 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 770mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1483 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
DMP2010UFG-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2010UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 42 A, 0.0095 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.3W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
|
DMP2010UFG-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2010UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 42 A, 0.0095 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.3W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| APX825A-46W6G-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - APX825A-46W6G-7 - Mikroprozessor-Überwachungsschaltung, 1 Wächter, 2.9V, manuell/Active-High/-Low, 1.1-5.5V, SOT-26-6
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Reset-Schwellenspannung, min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 200ms
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-26
Reset-Ausgang: Manuell, Aktiv-High / Aktiv-Low
usEccn: EAR99
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
Reset-Schwellenspannung, nom.: 4.63V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.1V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - APX825A-46W6G-7 - Mikroprozessor-Überwachungsschaltung, 1 Wächter, 2.9V, manuell/Active-High/-Low, 1.1-5.5V, SOT-26-6
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Reset-Schwellenspannung, min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 200ms
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-26
Reset-Ausgang: Manuell, Aktiv-High / Aktiv-Low
usEccn: EAR99
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
Reset-Schwellenspannung, nom.: 4.63V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.1V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| APX825A-29W6G-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - APX825A-29W6G-7 - Mikroprozessor-Überwachungsschaltung, 1 Wächter, 2.9V, manuell/Active-High/-Low, 1.1-5.5V, SOT-26-6
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Reset-Schwellenspannung, min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 200ms
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-26
Reset-Ausgang: Manuell, Aktiv-High / Aktiv-Low
usEccn: EAR99
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
Reset-Schwellenspannung, nom.: 2.93V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.1V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - APX825A-29W6G-7 - Mikroprozessor-Überwachungsschaltung, 1 Wächter, 2.9V, manuell/Active-High/-Low, 1.1-5.5V, SOT-26-6
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Reset-Schwellenspannung, min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 200ms
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-26
Reset-Ausgang: Manuell, Aktiv-High / Aktiv-Low
usEccn: EAR99
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
Reset-Schwellenspannung, nom.: 2.93V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.1V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| APX825A-29W6G-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - APX825A-29W6G-7 - Mikroprozessor-Überwachungsschaltung, 1 Wächter, 2.9V, manuell/Active-High/-Low, 1.1-5.5V, SOT-26-6
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Reset-Schwellenspannung, min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 200ms
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-26
Reset-Ausgang: Manuell, Aktiv-High / Aktiv-Low
usEccn: EAR99
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
Reset-Schwellenspannung, nom.: 2.93V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.1V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - APX825A-29W6G-7 - Mikroprozessor-Überwachungsschaltung, 1 Wächter, 2.9V, manuell/Active-High/-Low, 1.1-5.5V, SOT-26-6
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Reset-Schwellenspannung, min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 200ms
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-26
Reset-Ausgang: Manuell, Aktiv-High / Aktiv-Low
usEccn: EAR99
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
Reset-Schwellenspannung, nom.: 2.93V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.1V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| APX825A-46W6G-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - APX825A-46W6G-7 - Mikroprozessor-Überwachungsschaltung, 1 Wächter, 2.9V, manuell/Active-High/-Low, 1.1-5.5V, SOT-26-6
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Reset-Schwellenspannung, min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 200ms
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-26
Reset-Ausgang: Manuell, Aktiv-High / Aktiv-Low
usEccn: EAR99
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
Reset-Schwellenspannung, nom.: 4.63V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.1V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - APX825A-46W6G-7 - Mikroprozessor-Überwachungsschaltung, 1 Wächter, 2.9V, manuell/Active-High/-Low, 1.1-5.5V, SOT-26-6
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Reset-Schwellenspannung, min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 200ms
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-26
Reset-Ausgang: Manuell, Aktiv-High / Aktiv-Low
usEccn: EAR99
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
Reset-Schwellenspannung, nom.: 4.63V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.1V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| PD3Z284C5V1Q-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - PD3Z284C5V1Q-7 - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, POWERDI 323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: POWERDI 323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PowerDI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - PD3Z284C5V1Q-7 - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, POWERDI 323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: POWERDI 323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PowerDI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DDZX15-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DDZX15-7 - Zener-Diode, 15 V, 300 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DDZX Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DDZX15-7 - Zener-Diode, 15 V, 300 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DDZX Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2859 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DDZX15-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DDZX15-7 - Zener-Diode, 15 V, 300 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DDZX Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DDZX15-7 - Zener-Diode, 15 V, 300 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DDZX Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2859 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| AP9211SA-AK-HAC-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AP9211SA-AK-HAC-7 - Akkuschutz, Auto-Wake-Up, 1 Zelle, Lithium-Ionen-Akku, 1.5V bis 5.5Vin, UDFN2030-EP
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Zellen: 1Cells
IC-Gehäuse / Bauform: UDFN2030-EP
Abschaltstrom: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.5V
Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Batterie-/Akkuschutz: Strom-/Spannungsüberladung, übermäßige Strom-/Spannungs-Entladung, Kurzschluss
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - AP9211SA-AK-HAC-7 - Akkuschutz, Auto-Wake-Up, 1 Zelle, Lithium-Ionen-Akku, 1.5V bis 5.5Vin, UDFN2030-EP
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Zellen: 1Cells
IC-Gehäuse / Bauform: UDFN2030-EP
Abschaltstrom: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.5V
Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Batterie-/Akkuschutz: Strom-/Spannungsüberladung, übermäßige Strom-/Spannungs-Entladung, Kurzschluss
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DDTA123ECA-7-F |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DDTA123ECA-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DDTA123ECA-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DDTA123ECA-7-F |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DDTA123ECA-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DDTA123ECA-7-F - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 1N4448W-7-F |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 1N4448W-7-F - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 500 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N4448
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - 1N4448W-7-F - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 500 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N4448
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 74AHC1G07QSE-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 74AHC1G07QSE-7 - Puffer / Treiber, 74AHC1G07, 2V bis 5.5V, 5 Pins, SOT-353, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423190
Logik-IC-Sockelnummer: 741G07
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74AHC
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74AHC1G07
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer/Treiber
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - 74AHC1G07QSE-7 - Puffer / Treiber, 74AHC1G07, 2V bis 5.5V, 5 Pins, SOT-353, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423190
Logik-IC-Sockelnummer: 741G07
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74AHC
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74AHC1G07
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer/Treiber
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BAT42W-7-F |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BAT42W-7-F - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 1 V, 4 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAT42
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - BAT42W-7-F - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 1 V, 4 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAT42
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DMG6602SVTQ-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG6602SVTQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 840mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 840mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMG6602SVTQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 840mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 840mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DMG6602SVT-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG6602SVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 840mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 840mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMG6602SVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 840mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 840mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 22660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DMG6602SVT-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG6602SVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 840mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 840mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMG6602SVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 840mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 840mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DMG6602SVTQ-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG6602SVTQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 840mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 840mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMG6602SVTQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 840mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 840mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 866 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DMG6602SVTX-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG6602SVTX-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.035 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.035ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMG6602SVTX-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.035 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.035ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DMG6602SVTX-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG6602SVTX-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.035 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.035ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMG6602SVTX-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.035 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.035ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DMC3400SDW-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3400SDW-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 310mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 310mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMC3400SDW-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 310mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 310mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 35990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DMC3400SDW-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3400SDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 310mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 310mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMC3400SDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 310mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 310mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DMC3400SDW-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3400SDW-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 650mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 310mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 310mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMC3400SDW-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 650mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 310mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 310mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 36085 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DMC3071LVT-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3071LVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.6 A, 4.6 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMC3071LVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.6 A, 4.6 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DMC3025LSDQ-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3025LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMC3025LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DMC3032LSD-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3032LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.1 A, 8.1 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMC3032LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.1 A, 8.1 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DMC3028LSDXQ-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3028LSDXQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMC3028LSDXQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DMC31D5UDJ-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC31D5UDJ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 0.9 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 350mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.9ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMC31D5UDJ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 0.9 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 350mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.9ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 8270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DMC3016LSD-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3016LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.2 A, 8.2 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMC3016LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.2 A, 8.2 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DMC3026LSD-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3026LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMC3026LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DMC3025LSDQ-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3025LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMC3025LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DMC31D5UDJ-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC31D5UDJ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 0.9 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 350mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.9ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMC31D5UDJ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 0.9 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 350mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.9ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 7250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DMC31D5UDJ-7B |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC31D5UDJ-7B - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 0.9 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 350mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.9ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMC31D5UDJ-7B - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 0.9 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 350mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.9ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 9940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DMC3730UFL3-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3730UFL3-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 1.1 A, 1.1 A, 0.291 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.291ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 390mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X2-DFN1310
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.291ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 390mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMC3730UFL3-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 1.1 A, 1.1 A, 0.291 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.291ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 390mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X2-DFN1310
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.291ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 390mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DMC3016LSD-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3016LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.2 A, 8.2 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMC3016LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.2 A, 8.2 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DMC3071LVT-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3071LVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.6 A, 4.6 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMC3071LVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.6 A, 4.6 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DMC31D5UDJ-7B |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC31D5UDJ-7B - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 0.9 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 350mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.9ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMC31D5UDJ-7B - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 0.9 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 350mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.9ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 9940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DMC3730UFL3-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3730UFL3-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 1.1 A, 1.1 A, 0.291 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.291ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 390mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X2-DFN1310
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.291ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 390mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMC3730UFL3-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 1.1 A, 1.1 A, 0.291 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.291ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 390mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X2-DFN1310
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.291ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 390mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DMC3025LDV-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3025LDV-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 15 A, 15 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMC3025LDV-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 15 A, 15 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DMC3026LSD-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3026LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMC3026LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DMC3032LSD-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3032LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.1 A, 8.1 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMC3032LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.1 A, 8.1 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DMC3028LSDXQ-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3028LSDXQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMC3028LSDXQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DMC3025LDV-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3025LDV-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 15 A, 15 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMC3025LDV-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 15 A, 15 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| ZXMP6A16KTC |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP6A16KTC - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.2 A, 0.085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 9.76W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - ZXMP6A16KTC - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.2 A, 0.085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 9.76W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 10552 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DMT3009UDT-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT3009UDT-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10.6 A, 10.6 A, 0.0086 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0086ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0086ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMT3009UDT-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10.6 A, 10.6 A, 0.0086 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0086ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0086ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1489 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DMT3009UDT-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT3009UDT-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10.6 A, 10.6 A, 0.0086 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0086ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0086ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMT3009UDT-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10.6 A, 10.6 A, 0.0086 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0086ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0086ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1489 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DMN3009LFVQ-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3009LFVQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0035 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMN3009LFVQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0035 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2981 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DMN3009LFVQ-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3009LFVQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0035 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMN3009LFVQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0035 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2981 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DMN3404L-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3404L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.2 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - DMN3404L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.2 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 114404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DMN3069L-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3069L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.02 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMN3069L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.02 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DMN3061SWQ-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3061SWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.041 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMN3061SWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.041 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DMP3125L-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3125L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.076 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.076ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMP3125L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.076 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.076ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 11511 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DMG6402LVT-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG6402LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.022 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: DMG6402LVT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMG6402LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.022 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: DMG6402LVT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DMN3060LWQ-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3060LWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.6 A, 0.048 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMN3060LWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.6 A, 0.048 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DMN3028LQ-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3028LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.2 A, 0.016 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 860mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMN3028LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.2 A, 0.016 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 860mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 5470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DMN3016LDV-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3016LDV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 21 A, 21 A, 0.0095 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - DMN3016LDV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 21 A, 21 A, 0.0095 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DMN3032LFDB-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3032LFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6.2 A, 6.2 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMN3032LFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6.2 A, 6.2 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DMN3150L-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3150L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.039 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 920mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMN3150L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.039 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 920mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DMN3065LW-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3065LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.052 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 770mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMN3065LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.052 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 770mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1483 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DMP2010UFG-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2010UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 42 A, 0.0095 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMP2010UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 42 A, 0.0095 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DMP2010UFG-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2010UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 42 A, 0.0095 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMP2010UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 42 A, 0.0095 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH