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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMP34M4SPS-13 DMP34M4SPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0007713677-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP34M4SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 87 A, 2900 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2055 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.7 EUR
102+2.3 EUR
143+1.5 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH6009LPS-13 DMTH6009LPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0007771163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH6009LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89.5 A, 7200 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2309 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.52 EUR
151+1.54 EUR
220+0.98 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH6005LPSQ-13 DMTH6005LPSQ-13 DIODES INC. DMTH6005LPSQ.pdf Description: DIODES INC. - DMTH6005LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
auf Bestellung 2375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.55 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH4015SPSQ-13 DMPH4015SPSQ-13 DIODES INC. DMPH4015SPSQ.pdf Description: DIODES INC. - DMPH4015SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 8000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.46 EUR
153+1.4 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT67M8LPSW-13 DMT67M8LPSW-13 DIODES INC. DMT67M8LPSW.pdf Description: DIODES INC. - DMT67M8LPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 82 A, 4400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.64V
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
auf Bestellung 2390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.82 EUR
108+2.17 EUR
152+1.4 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2DA1774R-7-F 2DA1774R-7-F DIODES INC. DIOD-S-A0013043636-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2DA1774R-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
486+0.51 EUR
758+0.31 EUR
1142+0.19 EUR
1389+0.15 EUR
1583+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 486 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2DA1774R-7-F 2DA1774R-7-F DIODES INC. DIOD-S-A0013043636-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2DA1774R-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
486+0.51 EUR
758+0.31 EUR
1142+0.19 EUR
1389+0.15 EUR
1583+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 486 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2710UTQ-7 DMN2710UTQ-7 DIODES INC. DMN2710UTQ.pdf Description: DIODES INC. - DMN2710UTQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 870 mA, 0.14 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 870mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1044 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
290+0.86 EUR
479+0.49 EUR
893+0.24 EUR
1013+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 290 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2900UT-7 DMP2900UT-7 DIODES INC. Description: DIODES INC. - DMP2900UT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
159+1.57 EUR
354+0.65 EUR
486+0.44 EUR
596+0.36 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 159 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2710UT-13 DMN2710UT-13 DIODES INC. DMN2710UT.pdf Description: DIODES INC. - DMN2710UT-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 870 mA, 0.14 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 870mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
257+0.98 EUR
468+0.5 EUR
685+0.31 EUR
918+0.24 EUR
1153+0.19 EUR
5000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 257 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2991UT-13 DMN2991UT-13 DIODES INC. DMN2991UT.pdf Description: DIODES INC. - DMN2991UT-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
282+0.89 EUR
508+0.45 EUR
752+0.29 EUR
1026+0.21 EUR
1513+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 282 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2900UT-7 DMP2900UT-7 DIODES INC. Description: DIODES INC. - DMP2900UT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.4ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
159+1.57 EUR
354+0.65 EUR
486+0.44 EUR
596+0.36 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 159 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2991UT-13 DMN2991UT-13 DIODES INC. DMN2991UT.pdf Description: DIODES INC. - DMN2991UT-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 430mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.4ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
282+0.89 EUR
508+0.45 EUR
752+0.29 EUR
1026+0.21 EUR
1513+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 282 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2710UT-13 DMN2710UT-13 DIODES INC. DMN2710UT.pdf Description: DIODES INC. - DMN2710UT-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 870 mA, 0.14 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 870mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 520mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
257+0.98 EUR
468+0.5 EUR
685+0.31 EUR
918+0.24 EUR
1153+0.19 EUR
5000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 257 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2710UTQ-7 DMN2710UTQ-7 DIODES INC. DMN2710UTQ.pdf Description: DIODES INC. - DMN2710UTQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 870 mA, 0.14 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 870mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1044 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
290+0.86 EUR
479+0.49 EUR
893+0.24 EUR
1013+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 290 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004TK-7 DMN2004TK-7 DIODES INC. DIODS13321-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2004TK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP22D6UT-7 DMP22D6UT-7 DIODES INC. DIODS10428-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP22D6UT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 430 mA, 0.7 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
291+0.86 EUR
400+0.58 EUR
807+0.26 EUR
870+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 291 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS40T-7-F BAS40T-7-F DIODES INC. DIODS10982-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BAS40T-7-F - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 1 mA, Einfach, SOT-523, 3 Pin(s), 380 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-523
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 380mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
390+0.64 EUR
589+0.39 EUR
901+0.24 EUR
1178+0.18 EUR
1255+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 390 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2004TK-7 DMP2004TK-7 DIODES INC. DIOD-S-A0006644031-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP2004TK-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 430 mA, 0.7 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
283+0.88 EUR
367+0.63 EUR
663+0.32 EUR
730+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 283 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D5V0L2B3T-7 D5V0L2B3T-7 DIODES INC. DIODS14469-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - D5V0L2B3T-7 - ESD-Schutzbaustein, 14 V, SOT-523, 3 Pin(s), 5 V, 200 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-523
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 14V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
498+0.5 EUR
752+0.31 EUR
1471+0.14 EUR
1755+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 498 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN601TK-7 DMN601TK-7 DIODES INC. DIOD-S-A0009831180-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN601TK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
291+0.86 EUR
428+0.55 EUR
827+0.26 EUR
962+0.23 EUR
1163+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 291 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004TK-7 DMN2004TK-7 DIODES INC. DIODS13321-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2004TK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN601TK-7 DMN601TK-7 DIODES INC. DIOD-S-A0009831180-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN601TK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
291+0.86 EUR
428+0.55 EUR
827+0.26 EUR
962+0.23 EUR
1163+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 291 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC2700UDMQ-7 DMC2700UDMQ-7 DIODES INC. DIOD-S-A0003551420-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC2700UDMQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.34 A, 1.34 A, 0.4 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.34A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.7ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.12W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.12W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
212+1.18 EUR
345+0.68 EUR
544+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 212 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBZ5242BS-7-F MMBZ5242BS-7-F DIODES INC. DIODS09919-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBZ5242BS-7-F - Zener-Diodenarray, 12 V, Zweifach, isoliert, 200 mW, 150 °C, SOT-363, 6 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: MMBZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
388+0.64 EUR
585+0.39 EUR
1334+0.17 EUR
1563+0.14 EUR
1887+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 388 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBZ5242B-7-F MMBZ5242B-7-F DIODES INC. DIOD-S-A0013889917-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBZ5242B-7-F - Zener-Diode, 12 V, 350 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1042+0.24 EUR
1725+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 1042 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBZ5242B-7-F MMBZ5242B-7-F DIODES INC. DIOD-S-A0013889917-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBZ5242B-7-F - Zener-Diode, 12 V, 350 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1042+0.24 EUR
1725+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 1042 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBZ5242BS-7-F MMBZ5242BS-7-F DIODES INC. DIODS09919-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBZ5242BS-7-F - Zener-Diodenarray, 12 V, Zweifach, isoliert, 200 mW, 150 °C, SOT-363, 6 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: MMBZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.64 EUR
585+0.39 EUR
1334+0.17 EUR
1563+0.14 EUR
1887+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBZ5242BW-7-F MMBZ5242BW-7-F DIODES INC. DIODS21246-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBZ5242BW-7-F - Zener-Diode, 12 V, 200 mW, SOT-323, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
614+0.4 EUR
885+0.26 EUR
1786+0.12 EUR
2000+0.11 EUR
2273+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 614 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBZ5242BW-7-F MMBZ5242BW-7-F DIODES INC. DIODS21246-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBZ5242BW-7-F - Zener-Diode, 12 V, 200 mW, SOT-323, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
614+0.4 EUR
885+0.26 EUR
1786+0.12 EUR
2000+0.11 EUR
2273+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 614 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMS81045SPQ-13 ZXMS81045SPQ-13 DIODES INC. ZXMS81045SPQ.pdf Description: DIODES INC. - ZXMS81045SPQ-13 - Leistungsverteilungsschalter, high-aktiv, 1 Ausgang, 18V, 32A, 0.045 Ohm, SOIC-EP-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.045ohm
rohsCompliant: Y-EX
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 32A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC-EP
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 18V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1099 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+2.8 EUR
123+1.89 EUR
136+1.58 EUR
154+1.39 EUR
250+1.31 EUR
500+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMS82090S14PQ-13 ZXMS82090S14PQ-13 DIODES INC. ZXMS82090S14PQ.pdf Description: DIODES INC. - ZXMS82090S14PQ-13 - Leistungsverteilungsschalter, high-aktiv, 2 Ausgänge, 18V, 25A, 0.075 Ohm, SOIC-EP-14
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.075ohm
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strombegrenzung: 25A
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 18V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.57 EUR
101+2.13 EUR
250+1.99 EUR
500+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMS81045SPQ-13 ZXMS81045SPQ-13 DIODES INC. ZXMS81045SPQ.pdf Description: DIODES INC. - ZXMS81045SPQ-13 - Leistungsverteilungsschalter, high-aktiv, 1 Ausgang, 18V, 32A, 0.045 Ohm, SOIC-EP-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.045ohm
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strombegrenzung: 32A
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 18V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 1099 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.8 EUR
123+1.89 EUR
136+1.58 EUR
154+1.39 EUR
250+1.31 EUR
500+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMS81200SPQ-13 ZXMS81200SPQ-13 DIODES INC. 4425881.pdf Description: DIODES INC. - ZXMS81200SPQ-13 - Leistungsverteilungsschalter, high-aktiv, 1 Ausgang, 18V, 9A, 0.2 Ohm, SOIC-EP-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.2ohm
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strombegrenzung: 9A
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 18V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 2470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.77 EUR
101+2.31 EUR
108+2 EUR
150+1.44 EUR
250+1.38 EUR
500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMS81200SPQ-13 ZXMS81200SPQ-13 DIODES INC. 4425881.pdf Description: DIODES INC. - ZXMS81200SPQ-13 - Leistungsverteilungsschalter, high-aktiv, 1 Ausgang, 18V, 9A, 0.2 Ohm, SOIC-EP-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.2ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 9A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC-EP
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 18V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+3.77 EUR
101+2.31 EUR
108+2 EUR
150+1.44 EUR
250+1.38 EUR
500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXTD6717E6TA ZXTD6717E6TA DIODES INC. ZXTD6717E6.pdf Description: DIODES INC. - ZXTD6717E6TA - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 15 V, 15 V, 1.5 A, 1.5 A, 1.1 W
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 75hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 180MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 1.1W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1.5A
Übergangsfrequenz, PNP: 220MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 15V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 75hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.1W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 15V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1.5A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2903 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
430+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 430 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXTD6717E6TA ZXTD6717E6TA DIODES INC. ZXTD6717E6.pdf Description: DIODES INC. - ZXTD6717E6TA - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 15 V, 15 V, 1.5 A, 1.5 A, 1.1 W
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 75hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 180MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 1.1W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1.5A
Übergangsfrequenz, PNP: 220MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 15V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 75hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.1W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 15V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1.5A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2903 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
430+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 430 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A08E6TA ZXMN10A08E6TA DIODES INC. DIOD-S-A0000495884-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMN10A08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.25 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
auf Bestellung 2547 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+3.55 EUR
146+1.59 EUR
208+1.04 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM62P03E6TA ZXM62P03E6TA DIODES INC. DIOD-S-A0000495942-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXM62P03E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.15 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
auf Bestellung 2972 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.2 EUR
163+1.43 EUR
231+0.93 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A08E6TA ZXMN10A08E6TA DIODES INC. DIOD-S-A0000495884-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMN10A08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.25 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
auf Bestellung 2547 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.55 EUR
146+1.59 EUR
208+1.04 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM62P03E6TA ZXM62P03E6TA DIODES INC. DIOD-S-A0000495942-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXM62P03E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.15 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
auf Bestellung 2972 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+3.2 EUR
163+1.43 EUR
231+0.93 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6007LFG-7 DMT6007LFG-7 DIODES INC. DIOD-S-A0002833186-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT6007LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0045 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 676 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.65 EUR
106+2.19 EUR
137+1.57 EUR
500+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6007LFGQ-7 DMT6007LFGQ-7 DIODES INC. DIOD-S-A0005815012-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT6007LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.73 EUR
136+1.71 EUR
179+1.2 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6007LFGQ-7 DMT6007LFGQ-7 DIODES INC. DIOD-S-A0005815012-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT6007LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0045 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2226 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+3.55 EUR
112+2.07 EUR
166+1.3 EUR
500+1.04 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2075UDW-7 DMN2075UDW-7 DIODES INC. DIODS13901-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2075UDW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.04 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
234+1.07 EUR
315+0.74 EUR
667+0.32 EUR
725+0.3 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 234 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2075UDW-7 DMN2075UDW-7 DIODES INC. DIODS13901-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2075UDW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.04 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
234+1.07 EUR
315+0.74 EUR
667+0.32 EUR
725+0.3 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 234 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2040LTS-13 DMN2040LTS-13 DIODES INC. ds31941.pdf Description: DIODES INC. - DMN2040LTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.7 A, 6.7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 890mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 890mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+1.24 EUR
290+0.8 EUR
354+0.61 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2019UTS-13 DMN2019UTS-13 DIODES INC. DMN2019UTS.pdf Description: DIODES INC. - DMN2019UTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.4 A, 5.4 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 780mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 780mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2075 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+1.12 EUR
325+0.71 EUR
479+0.45 EUR
610+0.36 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2019UTS-13 DMN2019UTS-13 DIODES INC. DMN2019UTS.pdf Description: DIODES INC. - DMN2019UTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.4 A, 5.4 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 780mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 780mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2075 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+1.12 EUR
325+0.71 EUR
479+0.45 EUR
610+0.36 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2016UTS-13 DMN2016UTS-13 DIODES INC. ds31995.pdf Description: DIODES INC. - DMN2016UTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8.58 A, 8.58 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.58A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.011ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 880mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 880mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 412 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
169+1.49 EUR
236+0.99 EUR
376+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2016UTS-13 DMN2016UTS-13 DIODES INC. ds31995.pdf Description: DIODES INC. - DMN2016UTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8.58 A, 8.58 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.58A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.011ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 880mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 880mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 412 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
169+1.49 EUR
236+0.99 EUR
376+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2040LTS-13 DMN2040LTS-13 DIODES INC. ds31941.pdf Description: DIODES INC. - DMN2040LTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.7 A, 6.7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 890mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 890mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+1.24 EUR
290+0.8 EUR
354+0.61 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCW68HTA BCW68HTA DIODES INC. DIODS15802-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BCW68HTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 500 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 350hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG9926UDM-7 DMG9926UDM-7 DIODES INC. DIODS11970-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG9926UDM-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.2 A, 4.2 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 980mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 980mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
291+0.86 EUR
324+0.71 EUR
498+0.43 EUR
610+0.36 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 291 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG9926UDM-7 DMG9926UDM-7 DIODES INC. DIODS11970-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG9926UDM-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.2 A, 4.2 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 980mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 980mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
291+0.86 EUR
324+0.71 EUR
498+0.43 EUR
610+0.36 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 291 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3413L-7 DMG3413L-7 DIODES INC. DMG3413L.pdf Description: DIODES INC. - DMG3413L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.073 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
244+1.02 EUR
360+0.64 EUR
681+0.31 EUR
776+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 244 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3413L-7 DMG3413L-7 DIODES INC. DMG3413L.pdf Description: DIODES INC. - DMG3413L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.073 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
244+1.02 EUR
360+0.64 EUR
681+0.31 EUR
776+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 244 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6017SK3-13 DMN6017SK3-13 DIODES INC. DIOD-S-A0003383571-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN6017SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.018 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
149+1.69 EUR
207+1.12 EUR
304+0.7 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 149 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6017SK3-13 DMN6017SK3-13 DIODES INC. DIOD-S-A0003383571-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN6017SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.018 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
149+1.69 EUR
207+1.12 EUR
304+0.7 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 149 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3010LK3-13 DMN3010LK3-13 DIODES INC. DIODS21520-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN3010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 0.008 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1369 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+1.96 EUR
185+1.26 EUR
271+0.8 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP34M4SPS-13 DIOD-S-A0007713677-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP34M4SPS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP34M4SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 87 A, 2900 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2055 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.7 EUR
102+2.3 EUR
143+1.5 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH6009LPS-13 DIOD-S-A0007771163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH6009LPS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH6009LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89.5 A, 7200 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2309 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.52 EUR
151+1.54 EUR
220+0.98 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMTH6005LPSQ-13 DMTH6005LPSQ.pdf
DMTH6005LPSQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH6005LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
auf Bestellung 2375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.55 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMPH4015SPSQ-13 DMPH4015SPSQ.pdf
DMPH4015SPSQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH4015SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 8000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.46 EUR
153+1.4 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT67M8LPSW-13 DMT67M8LPSW.pdf
DMT67M8LPSW-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT67M8LPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 82 A, 4400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.64V
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
auf Bestellung 2390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
52+4.82 EUR
108+2.17 EUR
152+1.4 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2DA1774R-7-F DIOD-S-A0013043636-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2DA1774R-7-F
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 2DA1774R-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
486+0.51 EUR
758+0.31 EUR
1142+0.19 EUR
1389+0.15 EUR
1583+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 486 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2DA1774R-7-F DIOD-S-A0013043636-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2DA1774R-7-F
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 2DA1774R-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
486+0.51 EUR
758+0.31 EUR
1142+0.19 EUR
1389+0.15 EUR
1583+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 486 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2710UTQ-7 DMN2710UTQ.pdf
DMN2710UTQ-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2710UTQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 870 mA, 0.14 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 870mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1044 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
290+0.86 EUR
479+0.49 EUR
893+0.24 EUR
1013+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 290 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2900UT-7
DMP2900UT-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2900UT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
159+1.57 EUR
354+0.65 EUR
486+0.44 EUR
596+0.36 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 159 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2710UT-13 DMN2710UT.pdf
DMN2710UT-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2710UT-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 870 mA, 0.14 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 870mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
257+0.98 EUR
468+0.5 EUR
685+0.31 EUR
918+0.24 EUR
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5000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 257 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2991UT-13 DMN2991UT.pdf
DMN2991UT-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2991UT-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
282+0.89 EUR
508+0.45 EUR
752+0.29 EUR
1026+0.21 EUR
1513+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 282 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2900UT-7
DMP2900UT-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2900UT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.4ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
159+1.57 EUR
354+0.65 EUR
486+0.44 EUR
596+0.36 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 159 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2991UT-13 DMN2991UT.pdf
DMN2991UT-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2991UT-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 430mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.4ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
282+0.89 EUR
508+0.45 EUR
752+0.29 EUR
1026+0.21 EUR
1513+0.14 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2710UT-13 DMN2710UT.pdf
DMN2710UT-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2710UT-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 870 mA, 0.14 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 870mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 520mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
257+0.98 EUR
468+0.5 EUR
685+0.31 EUR
918+0.24 EUR
1153+0.19 EUR
5000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 257 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2710UTQ-7 DMN2710UTQ.pdf
DMN2710UTQ-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2710UTQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 870 mA, 0.14 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 870mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1044 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
290+0.86 EUR
479+0.49 EUR
893+0.24 EUR
1013+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 290 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004TK-7 DIODS13321-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN2004TK-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2004TK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP22D6UT-7 DIODS10428-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP22D6UT-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP22D6UT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 430 mA, 0.7 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
291+0.86 EUR
400+0.58 EUR
807+0.26 EUR
870+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 291 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS40T-7-F DIODS10982-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAS40T-7-F
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BAS40T-7-F - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 1 mA, Einfach, SOT-523, 3 Pin(s), 380 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-523
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 380mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
390+0.64 EUR
589+0.39 EUR
901+0.24 EUR
1178+0.18 EUR
1255+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 390 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2004TK-7 DIOD-S-A0006644031-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP2004TK-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2004TK-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 430 mA, 0.7 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
283+0.88 EUR
367+0.63 EUR
663+0.32 EUR
730+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 283 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D5V0L2B3T-7 DIODS14469-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
D5V0L2B3T-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - D5V0L2B3T-7 - ESD-Schutzbaustein, 14 V, SOT-523, 3 Pin(s), 5 V, 200 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-523
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 14V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
498+0.5 EUR
752+0.31 EUR
1471+0.14 EUR
1755+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 498 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN601TK-7 DIOD-S-A0009831180-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN601TK-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN601TK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
291+0.86 EUR
428+0.55 EUR
827+0.26 EUR
962+0.23 EUR
1163+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 291 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2004TK-7 DIODS13321-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN2004TK-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2004TK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN601TK-7 DIOD-S-A0009831180-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN601TK-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN601TK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
291+0.86 EUR
428+0.55 EUR
827+0.26 EUR
962+0.23 EUR
1163+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 291 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC2700UDMQ-7 DIOD-S-A0003551420-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMC2700UDMQ-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC2700UDMQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.34 A, 1.34 A, 0.4 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.34A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.7ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.12W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.12W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
212+1.18 EUR
345+0.68 EUR
544+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 212 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBZ5242BS-7-F DIODS09919-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBZ5242BS-7-F
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBZ5242BS-7-F - Zener-Diodenarray, 12 V, Zweifach, isoliert, 200 mW, 150 °C, SOT-363, 6 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: MMBZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
388+0.64 EUR
585+0.39 EUR
1334+0.17 EUR
1563+0.14 EUR
1887+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 388 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBZ5242B-7-F DIOD-S-A0013889917-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBZ5242B-7-F
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBZ5242B-7-F - Zener-Diode, 12 V, 350 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1042+0.24 EUR
1725+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 1042 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBZ5242B-7-F DIOD-S-A0013889917-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBZ5242B-7-F
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBZ5242B-7-F - Zener-Diode, 12 V, 350 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1042+0.24 EUR
1725+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 1042 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBZ5242BS-7-F DIODS09919-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBZ5242BS-7-F
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBZ5242BS-7-F - Zener-Diodenarray, 12 V, Zweifach, isoliert, 200 mW, 150 °C, SOT-363, 6 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: MMBZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.64 EUR
585+0.39 EUR
1334+0.17 EUR
1563+0.14 EUR
1887+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBZ5242BW-7-F DIODS21246-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBZ5242BW-7-F
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBZ5242BW-7-F - Zener-Diode, 12 V, 200 mW, SOT-323, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
614+0.4 EUR
885+0.26 EUR
1786+0.12 EUR
2000+0.11 EUR
2273+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 614 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBZ5242BW-7-F DIODS21246-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBZ5242BW-7-F
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBZ5242BW-7-F - Zener-Diode, 12 V, 200 mW, SOT-323, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
614+0.4 EUR
885+0.26 EUR
1786+0.12 EUR
2000+0.11 EUR
2273+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 614 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMS81045SPQ-13 ZXMS81045SPQ.pdf
ZXMS81045SPQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMS81045SPQ-13 - Leistungsverteilungsschalter, high-aktiv, 1 Ausgang, 18V, 32A, 0.045 Ohm, SOIC-EP-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.045ohm
rohsCompliant: Y-EX
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 32A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC-EP
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 18V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1099 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
90+2.8 EUR
123+1.89 EUR
136+1.58 EUR
154+1.39 EUR
250+1.31 EUR
500+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMS82090S14PQ-13 ZXMS82090S14PQ.pdf
ZXMS82090S14PQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMS82090S14PQ-13 - Leistungsverteilungsschalter, high-aktiv, 2 Ausgänge, 18V, 25A, 0.075 Ohm, SOIC-EP-14
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.075ohm
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strombegrenzung: 25A
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 18V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.57 EUR
101+2.13 EUR
250+1.99 EUR
500+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMS81045SPQ-13 ZXMS81045SPQ.pdf
ZXMS81045SPQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMS81045SPQ-13 - Leistungsverteilungsschalter, high-aktiv, 1 Ausgang, 18V, 32A, 0.045 Ohm, SOIC-EP-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.045ohm
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strombegrenzung: 32A
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 18V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 1099 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.8 EUR
123+1.89 EUR
136+1.58 EUR
154+1.39 EUR
250+1.31 EUR
500+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMS81200SPQ-13 4425881.pdf
ZXMS81200SPQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMS81200SPQ-13 - Leistungsverteilungsschalter, high-aktiv, 1 Ausgang, 18V, 9A, 0.2 Ohm, SOIC-EP-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.2ohm
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strombegrenzung: 9A
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 18V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 2470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.77 EUR
101+2.31 EUR
108+2 EUR
150+1.44 EUR
250+1.38 EUR
500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMS81200SPQ-13 4425881.pdf
ZXMS81200SPQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMS81200SPQ-13 - Leistungsverteilungsschalter, high-aktiv, 1 Ausgang, 18V, 9A, 0.2 Ohm, SOIC-EP-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.2ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 9A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC-EP
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 18V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
67+3.77 EUR
101+2.31 EUR
108+2 EUR
150+1.44 EUR
250+1.38 EUR
500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXTD6717E6TA ZXTD6717E6.pdf
ZXTD6717E6TA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTD6717E6TA - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 15 V, 15 V, 1.5 A, 1.5 A, 1.1 W
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 75hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 180MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 1.1W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1.5A
Übergangsfrequenz, PNP: 220MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 15V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 75hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.1W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 15V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1.5A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2903 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
430+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 430 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXTD6717E6TA ZXTD6717E6.pdf
ZXTD6717E6TA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTD6717E6TA - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 15 V, 15 V, 1.5 A, 1.5 A, 1.1 W
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 75hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 180MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 1.1W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1.5A
Übergangsfrequenz, PNP: 220MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 15V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 75hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.1W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 15V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1.5A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2903 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
430+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 430 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A08E6TA DIOD-S-A0000495884-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXMN10A08E6TA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN10A08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.25 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
auf Bestellung 2547 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
71+3.55 EUR
146+1.59 EUR
208+1.04 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM62P03E6TA DIOD-S-A0000495942-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXM62P03E6TA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXM62P03E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.15 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
auf Bestellung 2972 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.2 EUR
163+1.43 EUR
231+0.93 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN10A08E6TA DIOD-S-A0000495884-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXMN10A08E6TA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN10A08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.25 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
auf Bestellung 2547 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.55 EUR
146+1.59 EUR
208+1.04 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXM62P03E6TA DIOD-S-A0000495942-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXM62P03E6TA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXM62P03E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.15 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
auf Bestellung 2972 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
79+3.2 EUR
163+1.43 EUR
231+0.93 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6007LFG-7 DIOD-S-A0002833186-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT6007LFG-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT6007LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0045 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 676 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.65 EUR
106+2.19 EUR
137+1.57 EUR
500+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6007LFGQ-7 DIOD-S-A0005815012-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT6007LFGQ-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT6007LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.73 EUR
136+1.71 EUR
179+1.2 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMT6007LFGQ-7 DIOD-S-A0005815012-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT6007LFGQ-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT6007LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0045 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2226 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
71+3.55 EUR
112+2.07 EUR
166+1.3 EUR
500+1.04 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2075UDW-7 DIODS13901-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN2075UDW-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2075UDW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.04 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
234+1.07 EUR
315+0.74 EUR
667+0.32 EUR
725+0.3 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 234 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2075UDW-7 DIODS13901-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN2075UDW-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2075UDW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.04 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
234+1.07 EUR
315+0.74 EUR
667+0.32 EUR
725+0.3 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 234 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2040LTS-13 ds31941.pdf
DMN2040LTS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2040LTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.7 A, 6.7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 890mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 890mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
202+1.24 EUR
290+0.8 EUR
354+0.61 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2019UTS-13 DMN2019UTS.pdf
DMN2019UTS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2019UTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.4 A, 5.4 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 780mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 780mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2075 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
223+1.12 EUR
325+0.71 EUR
479+0.45 EUR
610+0.36 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2019UTS-13 DMN2019UTS.pdf
DMN2019UTS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2019UTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.4 A, 5.4 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 780mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 780mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2075 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
223+1.12 EUR
325+0.71 EUR
479+0.45 EUR
610+0.36 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2016UTS-13 ds31995.pdf
DMN2016UTS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2016UTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8.58 A, 8.58 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.58A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.011ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 880mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 880mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 412 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
169+1.49 EUR
236+0.99 EUR
376+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2016UTS-13 ds31995.pdf
DMN2016UTS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2016UTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8.58 A, 8.58 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.58A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.011ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 880mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 880mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 412 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
169+1.49 EUR
236+0.99 EUR
376+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2040LTS-13 ds31941.pdf
DMN2040LTS-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2040LTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.7 A, 6.7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 890mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 890mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
202+1.24 EUR
290+0.8 EUR
354+0.61 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCW68HTA DIODS15802-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCW68HTA
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BCW68HTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 500 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 350hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG9926UDM-7 DIODS11970-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMG9926UDM-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG9926UDM-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.2 A, 4.2 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 980mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 980mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
291+0.86 EUR
324+0.71 EUR
498+0.43 EUR
610+0.36 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 291 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG9926UDM-7 DIODS11970-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMG9926UDM-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG9926UDM-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.2 A, 4.2 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 980mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 980mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
291+0.86 EUR
324+0.71 EUR
498+0.43 EUR
610+0.36 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 291 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3413L-7 DMG3413L.pdf
DMG3413L-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG3413L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.073 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
244+1.02 EUR
360+0.64 EUR
681+0.31 EUR
776+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 244 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG3413L-7 DMG3413L.pdf
DMG3413L-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG3413L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.073 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
244+1.02 EUR
360+0.64 EUR
681+0.31 EUR
776+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 244 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6017SK3-13 DIOD-S-A0003383571-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN6017SK3-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN6017SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.018 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
149+1.69 EUR
207+1.12 EUR
304+0.7 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 149 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6017SK3-13 DIOD-S-A0003383571-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN6017SK3-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN6017SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.018 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2715 Stücke:
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DMN3010LK3-13 DIODS21520-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN3010LK3-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 0.008 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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