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Preis
CY62157EV30LL-45ZSXAT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62157EV30_MoBL_8-Mbit_(512_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v20_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe669131ef&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files&redirId=File_4_0 Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 45ns; TSOP44 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 512kx16bit
Access time: 45ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY62158EV30LL-45BVXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62158EV30_MOBL_8_MBIT_(1024K_X_8)_STATIC_RAM-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebecb9632aa&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files 62158EV30LL45BVXIT Parallel SRAM memories - integ. circ.
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY62158EV30LL-45ZSXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62158EV30_MOBL_8_MBIT_(1024K_X_8)_STATIC_RAM-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebecb9632aa&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files 62158EV30LL45ZSXIT Parallel SRAM memories - integ. circ.
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CY62167DV30LL-55BVXIT INFINEON TECHNOLOGIES download 62167DV30LL55BVXIT Parallel SRAM memories - integ. circ.
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY62167EV18LL-55BVXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62167EV18_MoBL_16-Mbit_(1_M_16)_Static_RAM-DataSheet-v16_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe53a531d2&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files 62167EV18LL55BVXIT Parallel SRAM memories - integ. circ.
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY62167EV30LL-45BVXAT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62167EV30_MoBL_16-Mbit_(1M_x_16_2M_x_8)_Static_RAM-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe4ea831c9&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files 62167EV30LL45BVXAT Parallel SRAM memories - integ. circ.
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY62168EV30LL-45BVXIT INFINEON TECHNOLOGIES ?docID=50111 Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 2Mx8bit; 45ns; VFBGA48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx8bit
Access time: 45ns
Case: VFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY62177EV30LL-55BAXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62177EV30_MOBL_32_MBIT_(2M_X_16_4M_X_8)_STATIC_RAM-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebefcbd3300&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files 62177EV30LL55BAXIT Parallel SRAM memories - integ. circ.
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY62187EV30LL-55BAXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62187EV30_MoBL_64-Mbit_(4M_x_16)_Static_RAM-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebef92d32fb&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files 62187EV30LL55BAXIT Parallel SRAM memories - integ. circ.
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
65DN06B02ELEMXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-65DN06B02-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb320175079ef4d40391 65DN06B02ELEMXPSA1 Diodes - others
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
6EDL04I06PTXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES 6ED2-DB-Rev2_3.pdf?folderId=db3a30431a5c32f2011a77fa27a86cb5&fileId=db3a304336797ff901367c18c18445af 6EDL04I06PTXUMA1 MOSFET/IGBT drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
6EDL04N02PR INFINEON TECHNOLOGIES 6EDL04N02PR MOSFET/IGBT drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY7C1061GE30-10BV1XIT INFINEON TECHNOLOGIES download 7C1061GE3010BV1XIT Parallel SRAM memories - integ. circ.
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY7C1312KV18-250BZXCT INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; FBGA165; parallel; 0÷70°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Mounting: SMD
Case: FBGA165
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: reel; tape
Memory: 18Mb SRAM
Supply voltage: 1.7...1.9V DC
Frequency: 250MHz
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 1Mx18bit
Kind of interface: parallel
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY7C15632KV18-400BZXC INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 4Mx18bit; FBGA165; parallel; 0÷70°C
Supply voltage: 1.7...1.9V DC
Frequency: 400MHz
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 4Mx18bit
Kind of package: in-tray
Kind of interface: parallel
Memory: 72Mb SRAM
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Case: FBGA165
Anzahl je Verpackung: 680 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY7C25632KV18-550BZXI INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 4Mx18bit; FBGA165; parallel; -40÷85°C
Supply voltage: 1.7...1.9V DC
Frequency: 550MHz
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 4Mx18bit
Kind of package: in-tray
Kind of interface: parallel
Memory: 72Mb SRAM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Case: FBGA165
Anzahl je Verpackung: 272 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY7C25652KV18-400BZXI INFINEON TECHNOLOGIES download 7C25652KV18400BZXI Parallel SRAM memories - integ. circ.
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY7C25652KV18-500BZXC INFINEON TECHNOLOGIES download 7C25652KV18500BZXC Parallel SRAM memories - integ. circ.
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIDK08S65C5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-AIDK08S65C5-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601701ac3d82a2f4b AIDK08S65C5ATMA1 SMD Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIDK10S65C5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-AIDK10S65C5-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601701ac3e0ec2f4e AIDK10S65C5ATMA1 SMD Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIDK12S65C5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-AIDK12S65C5-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601701ac3e9892f51 AIDK12S65C5ATMA1 SMD Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIDW10S65C5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-AIDW10S65C5-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d462675a6972016773c2e5c35686 AIDW10S65C5XKSA1 THT Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIDW12S65C5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-AIDW12S65C5-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d462675a6972016773c2fc4c568f AIDW12S65C5XKSA1 THT Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIDW16S65C5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-AIDW16S65C5-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d462675a6972016773c2d4eb5680 AIDW16S65C5XKSA1 THT Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIDW20S65C5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-AIDW20S65C5-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d462675a6972016773c2ecdd5689 AIDW20S65C5XKSA1 THT Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIDW30S65C5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-AIDW30S65C5-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d462675a6972016773c2de0c5683 AIDW30S65C5XKSA1 THT Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIDW40S65C5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-AIDW40S65C5-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d462675a6972016773c2f4e4568c AIDW40S65C5XKSA1 THT Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIGW40N65F5XKSA1 AIGW40N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIGW40N65F5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 178ns
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.42 EUR
9+8.17 EUR
10+7.72 EUR
90+7.42 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIGW40N65H5XKSA1 AIGW40N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIGW40N65H5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 160ns
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.32 EUR
12+6.02 EUR
240+5.79 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIGW50N65F5XKSA1 AIGW50N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIGW50N65F5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIGW50N65H5XKSA1 AIGW50N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIGW50N65H5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 184ns
Anzahl je Verpackung: 240 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIHD04N60RATMA1 AIHD04N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIHD04N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 27nC
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIHD04N60RFATMA1 AIHD04N60RFATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIHD04N60RF.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 153ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 27nC
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIHD06N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIHD06N60RATMA1 SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIHD06N60RFATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIHD06N60RFATMA1 SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIHD10N60RATMA1 AIHD10N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIHD10N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 331ns
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIHD10N60RFATMA1 AIHD10N60RFATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIHD10N60RF.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 186ns
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIHD15N60RATMA1 AIHD15N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIHD15N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIHD15N60RFATMA1 AIHD15N60RFATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIHD15N60RF.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 177ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKB20N60CTATMA1 AIKB20N60CTATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKB20N60CT.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CTAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKP20N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 316 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.29 EUR
16+4.68 EUR
18+4.05 EUR
19+3.83 EUR
250+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKQ100N60CTXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-AIKQ100N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382b3b37c99 AIKQ100N60CTXKSA1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKQ120N60CTXKSA1 AIKQ120N60CTXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKQ120N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 480A
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 772nC
Anzahl je Verpackung: 240 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW20N60CTXKSA1 AIKW20N60CTXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKW20N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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AIKW30N60CTXKSA1 AIKW30N60CTXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKW30N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 187W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 167nC
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 90A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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AIKW40N65DF5XKSA1 AIKW40N65DF5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKW40N65DF5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 178ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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AIKW40N65DH5XKSA1 AIKW40N65DH5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKW40N65DH5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 164ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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AIKW50N60CTXKSA1 AIKW50N60CTXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKW50N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 328ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 55ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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AIKW50N65DF5XKSA1 AIKW50N65DF5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKW50N65DF5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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AIKW50N65DH5XKSA1 AIKW50N65DH5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKW50N65DH5XKSA1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 256ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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AIKW75N60CTXKSA1 AIKW75N60CTXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKW75N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 365ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 69ns
Pulsed collector current: 225A
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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AIMW120R045M1XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-AIMW120R045M1-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4626e8d4b8f016e9304fd2e66c4 AIMW120R045M1XKSA1 THT N channel transistors
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AUIPS2051LTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-AUIPS2052G-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aae0b6fb04c51 AUIPS2051LTR Power switches - integrated circuits
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AUIPS2052GTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-AUIPS2052G-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aae0b6fb04c51 AUIPS2052GTR Power switches - integrated circuits
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AUIPS6031RTRL INFINEON TECHNOLOGIES auips6031.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a797f51311 AUIPS6031RTRL Power switches - integrated circuits
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AUIPS7091GTR AUIPS7091GTR INFINEON TECHNOLOGIES auips7091.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a7c0d21322 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 8A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8; reel
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 8A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.12Ω
Kind of package: reel
Technology: Classic PROFET
Operating temperature: -40...150°C
Power dissipation: 1.25W
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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AUIPS7111STRL INFINEON TECHNOLOGIES auips7111s.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a7c94e1326 AUIPS7111STRL Power switches - integrated circuits
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AUIPS71451GTR AUIPS71451GTR INFINEON TECHNOLOGIES auips71451g.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a7f7461332 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8; reel
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.5A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.1Ω
Kind of package: reel
Technology: Classic PROFET
Operating temperature: -40...150°C
Power dissipation: 1.25W
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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AUIR2085STR INFINEON TECHNOLOGIES auir2085s.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a82609133f AUIR2085STR MOSFET/IGBT drivers
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AUIR3240STR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-AUIR3240S-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a835801345 AUIR3240STR MOSFET/IGBT drivers
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CY62157EV30LL-45ZSXAT Infineon-CY62157EV30_MoBL_8-Mbit_(512_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v20_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe669131ef&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files&redirId=File_4_0
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 45ns; TSOP44 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 512kx16bit
Access time: 45ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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CY62158EV30LL-45BVXIT Infineon-CY62158EV30_MOBL_8_MBIT_(1024K_X_8)_STATIC_RAM-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebecb9632aa&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
62158EV30LL45BVXIT Parallel SRAM memories - integ. circ.
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CY62158EV30LL-45ZSXIT Infineon-CY62158EV30_MOBL_8_MBIT_(1024K_X_8)_STATIC_RAM-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebecb9632aa&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
62158EV30LL45ZSXIT Parallel SRAM memories - integ. circ.
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CY62167DV30LL-55BVXIT download
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
62167DV30LL55BVXIT Parallel SRAM memories - integ. circ.
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CY62167EV18LL-55BVXIT Infineon-CY62167EV18_MoBL_16-Mbit_(1_M_16)_Static_RAM-DataSheet-v16_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe53a531d2&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
62167EV18LL55BVXIT Parallel SRAM memories - integ. circ.
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CY62167EV30LL-45BVXAT Infineon-CY62167EV30_MoBL_16-Mbit_(1M_x_16_2M_x_8)_Static_RAM-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe4ea831c9&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
62167EV30LL45BVXAT Parallel SRAM memories - integ. circ.
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CY62168EV30LL-45BVXIT ?docID=50111
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 2Mx8bit; 45ns; VFBGA48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx8bit
Access time: 45ns
Case: VFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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CY62177EV30LL-55BAXIT Infineon-CY62177EV30_MOBL_32_MBIT_(2M_X_16_4M_X_8)_STATIC_RAM-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebefcbd3300&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
62177EV30LL55BAXIT Parallel SRAM memories - integ. circ.
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY62187EV30LL-55BAXIT Infineon-CY62187EV30_MoBL_64-Mbit_(4M_x_16)_Static_RAM-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebef92d32fb&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
62187EV30LL55BAXIT Parallel SRAM memories - integ. circ.
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
65DN06B02ELEMXPSA1 Infineon-65DN06B02-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb320175079ef4d40391
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
65DN06B02ELEMXPSA1 Diodes - others
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6EDL04I06PTXUMA1 6ED2-DB-Rev2_3.pdf?folderId=db3a30431a5c32f2011a77fa27a86cb5&fileId=db3a304336797ff901367c18c18445af
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
6EDL04I06PTXUMA1 MOSFET/IGBT drivers
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6EDL04N02PR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
6EDL04N02PR MOSFET/IGBT drivers
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CY7C1061GE30-10BV1XIT download
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
7C1061GE3010BV1XIT Parallel SRAM memories - integ. circ.
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CY7C1312KV18-250BZXCT download
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; FBGA165; parallel; 0÷70°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Mounting: SMD
Case: FBGA165
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: reel; tape
Memory: 18Mb SRAM
Supply voltage: 1.7...1.9V DC
Frequency: 250MHz
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 1Mx18bit
Kind of interface: parallel
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY7C15632KV18-400BZXC download
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 4Mx18bit; FBGA165; parallel; 0÷70°C
Supply voltage: 1.7...1.9V DC
Frequency: 400MHz
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 4Mx18bit
Kind of package: in-tray
Kind of interface: parallel
Memory: 72Mb SRAM
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Case: FBGA165
Anzahl je Verpackung: 680 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY7C25632KV18-550BZXI download
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 4Mx18bit; FBGA165; parallel; -40÷85°C
Supply voltage: 1.7...1.9V DC
Frequency: 550MHz
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 4Mx18bit
Kind of package: in-tray
Kind of interface: parallel
Memory: 72Mb SRAM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Case: FBGA165
Anzahl je Verpackung: 272 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY7C25652KV18-400BZXI download
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
7C25652KV18400BZXI Parallel SRAM memories - integ. circ.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY7C25652KV18-500BZXC download
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
7C25652KV18500BZXC Parallel SRAM memories - integ. circ.
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIDK08S65C5ATMA1 Infineon-AIDK08S65C5-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601701ac3d82a2f4b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AIDK08S65C5ATMA1 SMD Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIDK10S65C5ATMA1 Infineon-AIDK10S65C5-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601701ac3e0ec2f4e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AIDK10S65C5ATMA1 SMD Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIDK12S65C5ATMA1 Infineon-AIDK12S65C5-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601701ac3e9892f51
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AIDK12S65C5ATMA1 SMD Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIDW10S65C5XKSA1 Infineon-AIDW10S65C5-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d462675a6972016773c2e5c35686
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AIDW10S65C5XKSA1 THT Schottky diodes
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AIDW12S65C5XKSA1 Infineon-AIDW12S65C5-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d462675a6972016773c2fc4c568f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AIDW12S65C5XKSA1 THT Schottky diodes
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AIDW16S65C5XKSA1 Infineon-AIDW16S65C5-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d462675a6972016773c2d4eb5680
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AIDW16S65C5XKSA1 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
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AIDW20S65C5XKSA1 Infineon-AIDW20S65C5-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d462675a6972016773c2ecdd5689
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AIDW20S65C5XKSA1 THT Schottky diodes
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AIDW30S65C5XKSA1 Infineon-AIDW30S65C5-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d462675a6972016773c2de0c5683
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AIDW30S65C5XKSA1 THT Schottky diodes
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AIDW40S65C5XKSA1 Infineon-AIDW40S65C5-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d462675a6972016773c2f4e4568c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AIDW40S65C5XKSA1 THT Schottky diodes
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AIGW40N65F5XKSA1 AIGW40N65F5.pdf
AIGW40N65F5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 178ns
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.42 EUR
9+8.17 EUR
10+7.72 EUR
90+7.42 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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AIGW40N65H5XKSA1 AIGW40N65H5.pdf
AIGW40N65H5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 160ns
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.32 EUR
12+6.02 EUR
240+5.79 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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AIGW50N65F5XKSA1 AIGW50N65F5.pdf
AIGW50N65F5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIGW50N65H5XKSA1 AIGW50N65H5.pdf
AIGW50N65H5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 184ns
Anzahl je Verpackung: 240 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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AIHD04N60RATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 27nC
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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AIHD04N60RFATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 153ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 27nC
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIHD06N60RATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AIHD06N60RATMA1 SMD IGBT transistors
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AIHD06N60RFATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AIHD06N60RFATMA1 SMD IGBT transistors
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AIHD10N60RATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 331ns
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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AIHD10N60RFATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 186ns
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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AIHD15N60RATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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AIHD15N60RFATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 177ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKB20N60CTATMA1 AIKB20N60CT.pdf
AIKB20N60CTATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CT.pdf
AIKP20N60CTAKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 316 Stücke:
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AIKQ100N60CTXKSA1 THT IGBT transistors
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AIKQ120N60CTXKSA1 AIKQ120N60CT.pdf
AIKQ120N60CTXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 480A
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 772nC
Anzahl je Verpackung: 240 Stücke
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AIKW20N60CTXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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AIKW30N60CTXKSA1 AIKW30N60CT.pdf
AIKW30N60CTXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 187W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 167nC
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 90A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW40N65DF5XKSA1 AIKW40N65DF5.pdf
AIKW40N65DF5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 178ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW40N65DH5XKSA1 AIKW40N65DH5.pdf
AIKW40N65DH5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 164ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW50N60CTXKSA1 AIKW50N60CT.pdf
AIKW50N60CTXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 328ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 55ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW50N65DF5XKSA1 AIKW50N65DF5.pdf
AIKW50N65DF5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW50N65DH5XKSA1 AIKW50N65DH5XKSA1.pdf
AIKW50N65DH5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 256ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW75N60CTXKSA1 AIKW75N60CT.pdf
AIKW75N60CTXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 365ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 69ns
Pulsed collector current: 225A
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMW120R045M1XKSA1 Infineon-AIMW120R045M1-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4626e8d4b8f016e9304fd2e66c4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AIMW120R045M1XKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIPS2051LTR Infineon-AUIPS2052G-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aae0b6fb04c51
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIPS2051LTR Power switches - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIPS2052GTR Infineon-AUIPS2052G-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aae0b6fb04c51
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIPS2052GTR Power switches - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIPS6031RTRL auips6031.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a797f51311
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIPS6031RTRL Power switches - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIPS7091GTR auips7091.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a7c0d21322
AUIPS7091GTR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 8A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8; reel
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 8A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.12Ω
Kind of package: reel
Technology: Classic PROFET
Operating temperature: -40...150°C
Power dissipation: 1.25W
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIPS7111STRL auips7111s.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a7c94e1326
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIPS7111STRL Power switches - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIPS71451GTR auips71451g.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a7f7461332
AUIPS71451GTR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8; reel
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.5A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.1Ω
Kind of package: reel
Technology: Classic PROFET
Operating temperature: -40...150°C
Power dissipation: 1.25W
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIR2085STR auir2085s.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a82609133f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIR2085STR MOSFET/IGBT drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIR3240STR Infineon-AUIR3240S-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a835801345
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIR3240STR MOSFET/IGBT drivers
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