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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
CYT2B63BADES Infineon Technologies CYT2B63BADES
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYT2B73CADES Infineon Technologies CYT2B73CADES
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTN7970B BTN7970B Infineon Technologies btn7970_ds_11.pdf H-Bridge Motor Driver Automotive AEC-Q100 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R045M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imbg40r045m2h-datasheet-v02_00-en.pdf Cool SiC G2 MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R036M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imbg40r036m2h-datasheet-v02_00-en.pdf Cool SiC G2 MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R025M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imbg40r025m2h-datasheet-v02_00-en.pdf Cool SiC G2 MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R015M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imbg40r015m2h-datasheet-v02_00-en.pdf Cool SiC G2 MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB165N15NZ3GXUMA3 Infineon Technologies Infineon-BSB165N15NZ3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30432e779412012e7b04a1353843 BSB165N15NZ3GXUMA3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB165N15NZ3GXUMA2 Infineon Technologies Infineon-BSB165N15NZ3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30432e779412012e7b04a1353843 BSB165N15NZ3GXUMA2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY5677 CY5677 Infineon Technologies quickstartguide_0.pdf CYBL11573-56LQX Bluetooth Development Board
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SLB9672VU20FW1523XTMA1 SLB9672VU20FW1523XTMA1 Infineon Technologies infineon-optigatpmslb9672fw15-datasheet-v01_20-en.pdf Secure MCU 16bit OPTIGA™ TPM CISC 1.8V/3.3V 32-Pin UQFN EP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SLB9672AU20FW1610XTMA1 SLB9672AU20FW1610XTMA1 Infineon Technologies infineon-optigatpmslb9672fw15-datasheet-v01_20-en.pdf Secure MCU 16bit OPTIGA™ TPM CISC 1.8V/3.3V 32-Pin UQFN EP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SLB9672XU20FW1523XTMA1 Infineon Technologies Infineon-OPTIGA%20TPM%20SLB%209672%20FW15-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f89965f764432 TPM
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SLB9672XU20FW1613XTMA1 SLB9672XU20FW1613XTMA1 Infineon Technologies infineon-optigatpmslb9672fw16-datasheet-v01_10-en.pdf Secure MCU 32bit OPTIGA™ TPM RISC 51KB Flash 1.8V/3.3V 32-Pin UQFN EP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SLB9672AU20FW1612XTMA1 Infineon Technologies SP005750322
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SLB9672AU20FW1613XTMA1 SLB9672AU20FW1613XTMA1 Infineon Technologies infineon-optigatpmslb9672fw16-datasheet-v01_10-en.pdf Secure MCU 32bit OPTIGA™ TPM RISC 51KB Flash 1.8V/3.3V 32-Pin UQFN EP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SLB9672VU20FW1522XTMA1 Infineon Technologies infineon-optigatpmslb9672fw16-datasheet-v01_10-en.pdf Secure MCU 32bit OPTIGA™ TPM RISC 51KB Flash 1.8V/3.3V 32-Pin UQFN EP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC025N15NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPTC025N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01907740b75c7021 IPTC025N15NM6ATMA1
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT025N15NM6ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipt025n15nm6-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 26A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC055N15NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC055N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a0190772508436ff9 ISC055N15NM6ATMA1
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC044N15NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC044N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a0190774086997018 ISC044N15NM6ATMA1
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPF026N15NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPF026N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01907752f9db7046 IPF026N15NM6ATMA1
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP089N15NM6AKSA1 Infineon Technologies IPP089N15NM6AKSA1
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T3401N33TOFS20XPSA1 Infineon Technologies SP000091136
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL215C H6327 Infineon Technologies 4040bsl215c_rev2.2.pdffolderiddb3a30431add1d95011aed428f2d0285fileidd.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB20N60H3ATMA1 IGB20N60H3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB20N60H3-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP20N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+2.13 EUR
38+1.89 EUR
43+1.70 EUR
44+1.63 EUR
47+1.54 EUR
250+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW20N60H3FKSA1 IGW20N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW20N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+3.35 EUR
24+3.00 EUR
32+2.26 EUR
34+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB20N60H3ATMA1 IKB20N60H3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB20N60H3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB20N60TATMA1 IKB20N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB20N60T.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 166W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 28A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60H3XKSA1 IKP20N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP20N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP20N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.03 EUR
32+2.25 EUR
34+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW20N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW20N60TFKSA1 IKW20N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW20N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+5.62 EUR
24+3.05 EUR
25+2.89 EUR
60+2.86 EUR
120+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA20N60C3 SPA20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES spp20n60c3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 34.5W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 34.5W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+5.71 EUR
14+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA20N60CFDXKSA1 SPA20N60CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPA20N60CFD.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 35W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB20N60C3 SPB20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 816 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+4.49 EUR
21+3.45 EUR
22+3.26 EUR
250+3.20 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB20N60S5 SPB20N60S5 INFINEON TECHNOLOGIES SPB20N60S5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0030TRPBF IRLML0030TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml0030pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 7919 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+0.43 EUR
268+0.27 EUR
404+0.18 EUR
685+0.10 EUR
725+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR220NTRLPBF IRFR220NTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr220npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr220npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK
Power dissipation: 43W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 2056 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+1.14 EUR
70+1.04 EUR
190+0.38 EUR
200+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS1602VH6327XTSA1 BAS1602VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS1602VH6327XTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC79; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SC79
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
auf Bestellung 3291 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
556+0.13 EUR
676+0.11 EUR
754+0.10 EUR
895+0.08 EUR
995+0.07 EUR
1257+0.06 EUR
1327+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 556
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS1603WE6327HTSA1 BAS1603WE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS1603WE6327HTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 4ns; SOD323; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
auf Bestellung 2864 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
410+0.17 EUR
895+0.08 EUR
995+0.07 EUR
1210+0.06 EUR
1280+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 410
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS16E6327HTSA1 BAS16E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS1603WE6327HTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 370mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.37W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
auf Bestellung 13921 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
777+0.09 EUR
893+0.08 EUR
1087+0.07 EUR
1211+0.06 EUR
1306+0.06 EUR
1493+0.05 EUR
1583+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 777
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NPBF IRFZ48NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz48n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 1648 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+0.97 EUR
83+0.87 EUR
135+0.53 EUR
143+0.50 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz48nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7545PBF IRFB7545PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb7545pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 95A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 95A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+0.73 EUR
114+0.63 EUR
144+0.50 EUR
152+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML5203TRPBF IRLML5203TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml5203pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 2375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+0.56 EUR
201+0.36 EUR
291+0.25 EUR
343+0.21 EUR
650+0.11 EUR
685+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857AE6327 BC857AE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BC857B-DTE.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
auf Bestellung 1557 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1441+0.05 EUR
1557+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 1441
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9z34n.pdf description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+1.39 EUR
109+0.66 EUR
159+0.45 EUR
168+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP15N65F5XKSA1 IKP15N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP15N65F5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 52.5W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 38nC
Manufacturer series: H5
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 18A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 166ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2104PBF IR2104PBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2104PBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -270...130mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.09 EUR
31+2.36 EUR
33+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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IR2104SPBF IR2104SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2104.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+2.85 EUR
41+1.74 EUR
45+1.60 EUR
48+1.50 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2104STRPBF IR2104STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2104PBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+1.80 EUR
62+1.17 EUR
83+0.87 EUR
88+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB50N60T-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP50N60TXKSA1 IGP50N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP50N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW50N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Mounting: THT
auf Bestellung 42 Stücke:
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12+5.99 EUR
17+4.29 EUR
18+4.05 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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IGW50N60TFKSA1 IGW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW50N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 150A
auf Bestellung 153 Stücke:
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11+6.52 EUR
17+4.23 EUR
18+4.00 EUR
30+3.98 EUR
120+3.85 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N60DTP.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+3.60 EUR
27+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 54ns
auf Bestellung 221 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+6.61 EUR
14+5.12 EUR
15+4.83 EUR
120+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYT2B63BADES
Hersteller: Infineon Technologies
CYT2B63BADES
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYT2B73CADES
Hersteller: Infineon Technologies
CYT2B73CADES
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTN7970B btn7970_ds_11.pdf
BTN7970B
Hersteller: Infineon Technologies
H-Bridge Motor Driver Automotive AEC-Q100 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R045M2HXTMA1 infineon-imbg40r045m2h-datasheet-v02_00-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Cool SiC G2 MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R036M2HXTMA1 infineon-imbg40r036m2h-datasheet-v02_00-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Cool SiC G2 MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R025M2HXTMA1 infineon-imbg40r025m2h-datasheet-v02_00-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Cool SiC G2 MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG40R015M2HXTMA1 infineon-imbg40r015m2h-datasheet-v02_00-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Cool SiC G2 MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB165N15NZ3GXUMA3 Infineon-BSB165N15NZ3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30432e779412012e7b04a1353843
Hersteller: Infineon Technologies
BSB165N15NZ3GXUMA3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB165N15NZ3GXUMA2 Infineon-BSB165N15NZ3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30432e779412012e7b04a1353843
Hersteller: Infineon Technologies
BSB165N15NZ3GXUMA2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY5677 quickstartguide_0.pdf
CY5677
Hersteller: Infineon Technologies
CYBL11573-56LQX Bluetooth Development Board
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SLB9672VU20FW1523XTMA1 infineon-optigatpmslb9672fw15-datasheet-v01_20-en.pdf
SLB9672VU20FW1523XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Secure MCU 16bit OPTIGA™ TPM CISC 1.8V/3.3V 32-Pin UQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SLB9672AU20FW1610XTMA1 infineon-optigatpmslb9672fw15-datasheet-v01_20-en.pdf
SLB9672AU20FW1610XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Secure MCU 16bit OPTIGA™ TPM CISC 1.8V/3.3V 32-Pin UQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SLB9672XU20FW1523XTMA1 Infineon-OPTIGA%20TPM%20SLB%209672%20FW15-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f89965f764432
Hersteller: Infineon Technologies
TPM
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SLB9672XU20FW1613XTMA1 infineon-optigatpmslb9672fw16-datasheet-v01_10-en.pdf
SLB9672XU20FW1613XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Secure MCU 32bit OPTIGA™ TPM RISC 51KB Flash 1.8V/3.3V 32-Pin UQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SLB9672AU20FW1612XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
SP005750322
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SLB9672AU20FW1613XTMA1 infineon-optigatpmslb9672fw16-datasheet-v01_10-en.pdf
SLB9672AU20FW1613XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Secure MCU 32bit OPTIGA™ TPM RISC 51KB Flash 1.8V/3.3V 32-Pin UQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SLB9672VU20FW1522XTMA1 infineon-optigatpmslb9672fw16-datasheet-v01_10-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Secure MCU 32bit OPTIGA™ TPM RISC 51KB Flash 1.8V/3.3V 32-Pin UQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC025N15NM6ATMA1 Infineon-IPTC025N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01907740b75c7021
Hersteller: Infineon Technologies
IPTC025N15NM6ATMA1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT025N15NM6ATMA1 infineon-ipt025n15nm6-datasheet-v02_00-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 26A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC055N15NM6ATMA1 Infineon-ISC055N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a0190772508436ff9
Hersteller: Infineon Technologies
ISC055N15NM6ATMA1
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC044N15NM6ATMA1 Infineon-ISC044N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a0190774086997018
Hersteller: Infineon Technologies
ISC044N15NM6ATMA1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPF026N15NM6ATMA1 Infineon-IPF026N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01907752f9db7046
Hersteller: Infineon Technologies
IPF026N15NM6ATMA1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP089N15NM6AKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IPP089N15NM6AKSA1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T3401N33TOFS20XPSA1
Hersteller: Infineon Technologies
SP000091136
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL215C H6327 4040bsl215c_rev2.2.pdffolderiddb3a30431add1d95011aed428f2d0285fileidd.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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IGB20N60H3ATMA1 IGB20N60H3-DTE.pdf
IGB20N60H3ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3-DTE.pdf
IGP20N60H3XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.13 EUR
38+1.89 EUR
43+1.70 EUR
44+1.63 EUR
47+1.54 EUR
250+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 34
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IGW20N60H3FKSA1 IGW20N60H3-DTE.pdf
IGW20N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.35 EUR
24+3.00 EUR
32+2.26 EUR
34+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 22
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IKB20N60H3ATMA1 IKB20N60H3.pdf
IKB20N60H3ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB20N60TATMA1 IKB20N60T.pdf
IKB20N60TATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 166W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 28A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60H3XKSA1 IKP20N60H3-DTE.pdf
IKP20N60H3XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
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IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T.pdf
IKP20N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.03 EUR
32+2.25 EUR
34+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3.pdf
IKW20N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW20N60TFKSA1 IKW20N60T.pdf
IKW20N60TFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.62 EUR
24+3.05 EUR
25+2.89 EUR
60+2.86 EUR
120+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA20N60C3 spp20n60c3.pdf
SPA20N60C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 34.5W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 34.5W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.71 EUR
14+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA20N60CFDXKSA1 SPA20N60CFD.pdf
SPA20N60CFDXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 35W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB20N60C3
SPB20N60C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 816 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.49 EUR
21+3.45 EUR
22+3.26 EUR
250+3.20 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB20N60S5 SPB20N60S5.pdf
SPB20N60S5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0030TRPBF irlml0030pbf.pdf
IRLML0030TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 7919 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
268+0.27 EUR
404+0.18 EUR
685+0.10 EUR
725+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR220NTRLPBF irfr220npbf.pdf
IRFR220NTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR220NTRPBF irfr220npbf.pdf
IRFR220NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK
Power dissipation: 43W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 2056 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.14 EUR
70+1.04 EUR
190+0.38 EUR
200+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS1602VH6327XTSA1 BAS1602VH6327XTSA1.pdf
BAS1602VH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC79; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SC79
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
auf Bestellung 3291 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
556+0.13 EUR
676+0.11 EUR
754+0.10 EUR
895+0.08 EUR
995+0.07 EUR
1257+0.06 EUR
1327+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 556
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS1603WE6327HTSA1 BAS1603WE6327HTSA1.pdf
BAS1603WE6327HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 4ns; SOD323; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
auf Bestellung 2864 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
410+0.17 EUR
895+0.08 EUR
995+0.07 EUR
1210+0.06 EUR
1280+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 410
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS16E6327HTSA1 BAS1603WE6327HTSA1.pdf
BAS16E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 370mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.37W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
auf Bestellung 13921 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
777+0.09 EUR
893+0.08 EUR
1087+0.07 EUR
1211+0.06 EUR
1306+0.06 EUR
1493+0.05 EUR
1583+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 777
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NPBF irfz48n.pdf
IRFZ48NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 1648 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
74+0.97 EUR
83+0.87 EUR
135+0.53 EUR
143+0.50 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NSTRLPBF irfz48nspbf.pdf
IRFZ48NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7545PBF irfb7545pbf.pdf
IRFB7545PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 95A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 95A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
99+0.73 EUR
114+0.63 EUR
144+0.50 EUR
152+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML5203TRPBF irlml5203pbf.pdf
IRLML5203TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 2375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
129+0.56 EUR
201+0.36 EUR
291+0.25 EUR
343+0.21 EUR
650+0.11 EUR
685+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857AE6327 BC857B-DTE.pdf
BC857AE6327
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
auf Bestellung 1557 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1441+0.05 EUR
1557+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 1441
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NPBF description irf9z34n.pdf
IRF9Z34NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.39 EUR
109+0.66 EUR
159+0.45 EUR
168+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP15N65F5XKSA1 IKP15N65F5.pdf
IKP15N65F5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 52.5W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 38nC
Manufacturer series: H5
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 18A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 166ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2104PBF description IR2104PBF.pdf
IR2104PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -270...130mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.09 EUR
31+2.36 EUR
33+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2104SPBF description ir2104.pdf
IR2104SPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.85 EUR
41+1.74 EUR
45+1.60 EUR
48+1.50 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2104STRPBF description IR2104PBF.pdf
IR2104STRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.80 EUR
62+1.17 EUR
83+0.87 EUR
88+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N60TATMA1 IGB50N60T-DTE.pdf
IGB50N60TATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP50N60TXKSA1 IGP50N60T-DTE.pdf
IGP50N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3-DTE.pdf
IGW50N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Mounting: THT
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
12+5.99 EUR
17+4.29 EUR
18+4.05 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60T-DTE.pdf
IGW50N60TFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 150A
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.52 EUR
17+4.23 EUR
18+4.00 EUR
30+3.98 EUR
120+3.85 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTP.pdf
IKW50N60DTPXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.60 EUR
27+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3.pdf
IKW50N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 54ns
auf Bestellung 221 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.61 EUR
14+5.12 EUR
15+4.83 EUR
120+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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