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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDD2512Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 6.7A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 75 V
auf Bestellung 9940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
252+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 252 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2512ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 6.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
316+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 316 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2512ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 6.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
316+2.12 EUR
500+1.88 EUR
1000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 316 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2512ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD2512 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 9940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
445+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 445 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2512onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 6.7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2512ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 6.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7293 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
316+2.12 EUR
500+1.88 EUR
1000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 316 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2570ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD2570 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 84908 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
247+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 247 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2570Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 4.7A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1907 pF @ 75 V
auf Bestellung 84908 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
180+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2570ON SemiconductorFDD2570
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+2.8 EUR
500+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2570ON SemiconductorFDD2570
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+2.8 EUR
500+2.63 EUR
1000+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2570ON SemiconductorFDD2570
auf Bestellung 78008 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+2.8 EUR
500+2.63 EUR
1000+2.43 EUR
10000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2570onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1907 pF @ 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2570ON SemiconductorFDD2570
auf Bestellung 3970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+2.8 EUR
500+2.63 EUR
1000+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2570onsemi / FairchildMOSFET 150V NCh PowerTrench
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4684 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.74 EUR
57+3.08 EUR
100+2.53 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.63 EUR
2000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2572onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
auf Bestellung 892 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.51 EUR
10+3.57 EUR
100+2.46 EUR
500+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2572onsemi / FairchildMOSFETs N-Ch Power Trench
auf Bestellung 19441 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.88 EUR
10+3.25 EUR
100+1.92 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
255+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 255 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 41300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
255+2.63 EUR
500+2.32 EUR
1000+2.11 EUR
10000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 255 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2572onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2572onsemiMOSFETs N-Ch Power Trench
auf Bestellung 4175 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.01 EUR
10+3.92 EUR
100+2.7 EUR
500+2.28 EUR
2500+1.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2572ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4A; 135W; DPAK
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 3.4nC
On-state resistance: 146mΩ
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 135W
Drain-source voltage: 150V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 2052 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4684 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2572-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD2572-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: PowerTrench FDD
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2572-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2572-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD2572-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 29
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 135
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench FDD
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2572-F085onsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2572-NLFSC09+ SSOP-56
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2572F085Fairchild SemiconductorDescription: 41500.054OHN-CHANNPOWMOSFETO-252
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2572_F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2582ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2582ONS/FAIMOSFET N-CH 150V 3.7/21A TO252AA Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2582ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.94 EUR
100+1.96 EUR
200+1.75 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2582onsemiMOSFETs N-Ch PowerTrench
auf Bestellung 5738 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.42 EUR
10+2.18 EUR
100+1.54 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.08 EUR
2500+0.99 EUR
5000+0.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2582ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 95W; DPAK
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 172mΩ
Drain current: 21A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 95W
Drain-source voltage: 150V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2582
Produktcode: 181480
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2582onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 3.7/21A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 25 V
auf Bestellung 2475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.53 EUR
10+2.24 EUR
50+1.69 EUR
100+1.51 EUR
500+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2582ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD2582 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.058 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 95W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 95W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.058ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.55 EUR
135+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2582ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2582onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 3.7/21A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDD2582ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD2582 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.058 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 95W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+4.34 EUR
91+2.55 EUR
135+1.59 EUR
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FDD2582onsemi / FairchildMOSFETs N-Ch PowerTrench
auf Bestellung 6502 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.01 EUR
10+2.03 EUR
100+1.36 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.99 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2582_Qonsemi / FairchildMOSFET N-Ch PowerTrench
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FDD2612Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 4.9A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 234 pF @ 100 V
auf Bestellung 2261 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
245+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 245 Stücke
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FDD2612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 4.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
307+2.18 EUR
500+1.93 EUR
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FDD2612onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 4.9A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 234 pF @ 100 V
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FDD2612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 4.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1701 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
307+2.18 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.74 EUR
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FDD2670
Produktcode: 126745
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FDD2670onsemiMOSFETs N-CH 200V 18A Q-FET
auf Bestellung 3011 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.57 EUR
10+3.61 EUR
100+2.48 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.87 EUR
2500+1.8 EUR
5000+1.76 EUR
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FDD2670onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3.6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1228 pF @ 100 V
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2670onsemi / FairchildMOSFETs N-CH 200V 18A Q-FET
auf Bestellung 3068 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.05 EUR
10+2.81 EUR
100+2.05 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.5 EUR
2500+1.39 EUR
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FDD2670onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3.6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1228 pF @ 100 V
auf Bestellung 1133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.13 EUR
10+2.88 EUR
100+2.06 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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FDD2670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD26AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
255+2.63 EUR
500+2.32 EUR
1000+2.11 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD26AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 15590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
255+2.63 EUR
500+2.32 EUR
1000+2.11 EUR
10000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 255 Stücke
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FDD26AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5191 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
255+2.63 EUR
500+2.32 EUR
1000+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 255 Stücke
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FDD26AN06A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/36A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD26AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
255+2.63 EUR
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FDD26AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 8005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
255+2.63 EUR
500+2.32 EUR
1000+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 255 Stücke
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FDD26AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1251 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
255+2.63 EUR
500+2.32 EUR
1000+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 255 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD26AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 864 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
255+2.63 EUR
500+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 255 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD26AN06A0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/36A TO252AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 42115 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
203+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 203 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD26AN06A0-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD26AN06A0-F085 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD26AN06A0-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 60V N-CHAN PwrTrench 60V 36A 26mOhm
auf Bestellung 1885 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD26AN06A0-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/36A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD26AN06A0-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1678 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
255+2.63 EUR
500+2.32 EUR
1000+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 255 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD26AN06A0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 7A DPAK-3
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD26AN06A0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 7A DPAK-3
auf Bestellung 3087 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD26AN06A0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 7A DPAK-3
auf Bestellung 30877500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2712SOP-8 0327+
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2SA-GABB Installation ProductsEnclosures, Boxes & Cases DEADEND BOX DEEP 1GNG 2HUB 3/4IN AL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD300003Diodes ZetexOscillator XO 133MHz 15pF LVCMOS/LVTTL 55% 3.3V 4-Pin CSMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD300003Diodes IncorporatedStandard Clock Oscillators Crystal Oscillator SEAM5032 T&R 1K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD300003Diodes IncorporatedDescription: XTAL OSC XO SMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD300004Diodes IncorporatedStandard Clock Oscillators Crystal Oscillator SEAM5032 T&R 1K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD300004Diodes IncorporatedDescription: XTAL OSC XO 133.0000MHZ CMOS SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: CMOS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 3.3V
Current - Supply (Max): 45mA
Height - Seated (Max): 0.051" (1.30mm)
Frequency: 133 MHz
Base Resonator: Crystal
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD300004Diodes ZetexCrystal Clock Oscillator
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 6.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD306PonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 52W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 6 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD306Ponsemi / FairchildMOSFETs SPECIFIED POWER TR 1.8V PCH
auf Bestellung 43391 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.92 EUR
10+1.65 EUR
100+1.12 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.83 EUR
2500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD306PONSEMIDescription: ONSEMI - FDD306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6.7 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
auf Bestellung 519 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3 EUR
112+2.08 EUR
164+1.31 EUR
500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 6.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD306PonsemiMOSFETs SPECIFIED POWER TR 1.8V PCH
auf Bestellung 29364 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.75 EUR
10+1.73 EUR
100+1.15 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
2500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD306PONSEMIDescription: ONSEMI - FDD306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6.7 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
auf Bestellung 519 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+3 EUR
112+2.08 EUR
164+1.31 EUR
500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD306PonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 52W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 6 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD306P ON SemiconductorON-SemiconductorP-Channel 12V 6.7A (Ta) 52W (Ta) Surface Mount TO-252 FDD306P TFDD306P
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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FDD330003Diodes IncorporatedDescription: XTAL OSC XO 133.3300MHZ CMOS SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: CMOS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 3.3V
Current - Supply (Max): 45mA
Height - Seated (Max): 0.051" (1.30mm)
Frequency: 133.33 MHz
Base Resonator: Crystal
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD330005Diodes IncorporatedDescription: XTAL OSC SEAM5032 SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS, LVCMOS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 3.3V
Current - Supply (Max): 45mA
Height - Seated (Max): 0.053" (1.35mm)
Frequency: 133.33 MHz
Base Resonator: Crystal
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3510HONSEMIDescription: ONSEMI - FDD3510H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 80 V, 13.9 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK)
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3510HonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 80V 4.3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A, 2.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3510HON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDD3510Honsemi / FairchildMOSFET 80V Dual N & P-Chan PowerTrench
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FDD3510HONSEMIDescription: ONSEMI - FDD3510H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 80 V, 13.9 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK)
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 13.9
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3570ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD3570 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 8926 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD3570onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 10A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH