Produkte > IRF
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||
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| IRF2001 | IR | 09+ | auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF2001TR | IR | 09+ | auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF2002 | IR | 09+ | auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF200B211 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 2992 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF200B211 | International Rectifier | Description: IRF200B - 12V-300V N-CHANNEL POW Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V | auf Bestellung 6346 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF200B211 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 284 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF200B211 | INFINEON | Description: INFINEON - IRF200B211 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 12 A, 0.17 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V Verlustleistung: 80W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm | auf Bestellung 3843 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF200B211 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 284 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF200B211 | Infineon Technologies | MOSFETs N | auf Bestellung 2349 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF200B211 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | auf Bestellung 458 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF200B211 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF200B211 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1524 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF200B211XKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF200B211XKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF200B211XKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3-904 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF200P222 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF200P222 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF200P222 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 182A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 182A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 82A, 10V Power Dissipation (Max): 556W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9820 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF200P222 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 171 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF200P222 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 408 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF200P222 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX OPTIMOS | auf Bestellung 972 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF200P222 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF200P222 | INFINEON | Description: INFINEON - IRF200P222 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 182 A, 0.0053 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 182A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 556W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 827 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF200P222 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF200P222 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF200P223 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 9 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF200P223 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX OPTIMOS | auf Bestellung 780 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF200P223 | Infineon | MOSFET N-Ch 200V 100A TO247AC Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF200P223 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 50800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF200P223 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF200P223 | INFINEON | Description: INFINEON - IRF200P223 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 100 A, 0.0115 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 313W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 601 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF200P223 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 754 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF200P223 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 754 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF200P223 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5094 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247AC Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 60A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | auf Bestellung 646 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF200S234 | Infineon Technologies | Enhancement N Channel MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF200S234 | INFINEON | Description: INFINEON - IRF200S234 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 90 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 417 Bauform - Transistor: TO-263AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: StrongIRFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF200S234 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6484 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 51A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF200S234 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6484 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 51A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF200S234 | Infineon Technologies | Enhancement N Channel MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF200S234 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH_MOSFETS | auf Bestellung 1552 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF200S234 | Infineon | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRF2085S | IR | 03+ | auf Bestellung 1540 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF210 | IR/MOT | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRF2101 | IOR | 01+ SOP | auf Bestellung 1388 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF2102STR | IR | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRF2103S | IR | 09+ | auf Bestellung 1018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF2103STRPBF | IR | 09+ | auf Bestellung 1018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF2104S | IR | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRF2108 | IOR | 01+ SOP | auf Bestellung 368 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF210B | FAIRCHILID | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRF2110S | IRF | SOP | auf Bestellung 508 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF2113 Produktcode: 88829
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Lieblingsprodukt
| 8542 39 90 00 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRF2133STR | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF21362JTR | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF214 | Harris Corporation | Description: IRF214 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF2171 | auf Bestellung 650 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF220 | International Rectifier | TO-204AA/ 200V SINGLE N-CHANNEL HI-REL MOSFET 0.8 OHMS Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF220 | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF220 | International Rectifier | Description: IRFN-CHANNHERMETMHEXFET Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF220 | Infineon / IR | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF2204 | IRF2204 Транзисторы Прочие | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRF2204L | IR | TO-263 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF2204LPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 170A TO262 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-262 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 130A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF2204PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 40V 210A 3.6mOhm 130nC | auf Bestellung 902 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF2204PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF2204PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF2204PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 210A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 210A Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 330W Technology: HEXFET® | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF2204PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF2204PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 210A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 130A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF2204PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 575 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF2204PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF2204PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 210 A, 0.0036 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 210 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 330 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0036 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF2204PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF2204PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF2204PBF | International Rectifier | TO-220AB Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF2204PBP | IR | 09+ DIP8 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF2204S | IR | TO-263 | auf Bestellung 44000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF2204S | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF2204SPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | auf Bestellung 660 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF2204SPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 170A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 130A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF2204SPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | auf Bestellung 852 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF2204SPBF Produktcode: 119472
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRF2204SPBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF2204SPBF - IRF2204 - POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 852 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 156 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF2204SPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF2204SPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | auf Bestellung 660 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF2204SPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 40V 170A 3.6mOhm 130nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF2204SPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 170A D2PAK Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Bulk Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 130A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V | auf Bestellung 903 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF2204SPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF220NTRLPBF | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF221 | International Rectifier | Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF222GE | IOR | 89+ | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF222GE/RCA | IOR | 8940 DIP | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF223 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF224 | International Rectifier HiRel Products | IRF224 | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF224 | International Rectifier HiRel Products | IRF224 | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF224 | International Rectifier | Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A Power Dissipation (Max): 40W Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V | auf Bestellung 2200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF224 | International Rectifier HiRel Products | IRF224 | auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF225 | International Rectifier | Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A Power Dissipation (Max): 40W Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V | auf Bestellung 288 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF230 | International Rectifier | TO-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF230 | Semelab / TT Electronics | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF230 | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
