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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRF151Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AE
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AE
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
auf Bestellung 342 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
177+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 177 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF160IR/MOT
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1607Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 142A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7750 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1607HRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1607PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 142A TO220AB
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 85A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 142A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7750 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1607PBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 75V 142A 7.5mOhm 210nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1607PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1607PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 142 A, 0.0058 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 142
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 380
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0058
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1640PBFInternational RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1644GIR95+ N/A
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1704Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 170A TO220AB
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1704Infineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1704PbFInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1740
Produktcode: 128896
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1744GIR02+ TO-220
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1830G
Produktcode: 116830
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1902IRSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1902GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1902GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1902PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1902TRIORSOP-8
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1902TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1902TRPBFIOR
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1905IR09+
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1910NA03+ TSOP8
auf Bestellung 22050 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF19520G
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1K49092HARRYS07+/08+ SOP8
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1S30P05SMRochester Electronics, LLCDescription: IRF1S30P05SM
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 209 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2001IR09+
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2001TRIR09+
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2002IR09+
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200B211Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 8243 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
399+1.64 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 399 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200B211INFINEONDescription: INFINEON - IRF200B211 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 12 A, 0.17 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 80W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
auf Bestellung 3843 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.72 EUR
63+3.74 EUR
123+1.75 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200B211International RectifierDescription: IRF200B - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
auf Bestellung 6346 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
319+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 319 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200B211Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2959 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.94 EUR
96+1.76 EUR
108+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200B211Infineon TechnologiesMOSFETs N
auf Bestellung 2349 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.32 EUR
10+1.8 EUR
100+1.52 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.24 EUR
2000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200B211INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9A; Idm: 34A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200B211International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
399+1.64 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 399 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200B211Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2959 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.94 EUR
95+1.81 EUR
108+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200B211Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.08 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200B211Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
399+1.64 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 399 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200B211International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
399+1.64 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 399 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200B211Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3255 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
399+1.64 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 399 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200B211XKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200B211XKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200B211XKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200P222Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
400+11 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200P222Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+14.27 EUR
14+12.57 EUR
25+10.88 EUR
100+9.71 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200P222Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 408 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+14.51 EUR
13+13.46 EUR
50+12.22 EUR
100+10.53 EUR
200+9.95 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200P222Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 182A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 182A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9820 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200P222Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200P222Infineon TechnologiesMOSFETs IFX OPTIMOS
auf Bestellung 972 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.39 EUR
10+16.4 EUR
25+14.47 EUR
100+13.15 EUR
250+12.71 EUR
400+10.42 EUR
2800+10.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200P222Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+14.28 EUR
14+12.85 EUR
25+11.3 EUR
100+10.26 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200P222Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+12.1 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200P222INFINEONDescription: INFINEON - IRF200P222 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 182 A, 0.0053 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 182A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 827 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+23.76 EUR
13+19.24 EUR
15+15.12 EUR
50+14.16 EUR
100+13.2 EUR
250+10.77 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200P222Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+12.1 EUR
16+10.98 EUR
25+9.82 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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IRF200P223Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5094 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF200P223Infineon TechnologiesMOSFETs IFX OPTIMOS
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.23 EUR
10+12.13 EUR
25+9.87 EUR
100+8.51 EUR
400+6.64 EUR
1200+6.26 EUR
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IRF200P223INFINEONDescription: INFINEON - IRF200P223 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 100 A, 0.0115 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 601 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+8.98 EUR
100+5.38 EUR
500+5.19 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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IRF200P223Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.61 EUR
19+9.02 EUR
100+7.57 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IRF200P223InfineonMOSFET N-Ch 200V 100A TO247AC Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF200P223Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.63 EUR
19+9.23 EUR
100+7.88 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IRF200S234Infineon
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF200S234Infineon TechnologiesEnhancement N Channel MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF200S234Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6484 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 51A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF200S234Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH_MOSFETS
auf Bestellung 1552 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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IRF200S234INFINEONDescription: INFINEON - IRF200S234 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 90
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 417
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: StrongIRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF200S234Infineon TechnologiesEnhancement N Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF2085SIR03+
auf Bestellung 1540 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF210IR/MOT
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF2101IOR01+ SOP
auf Bestellung 1388 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF2102STRIR
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF2103SIR09+
auf Bestellung 1018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF2103STRPBFIR09+
auf Bestellung 1018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF2104SIR
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2108IOR01+ SOP
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF210BFAIRCHILID
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF2110SIRFSOP
auf Bestellung 508 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF2113
Produktcode: 88829
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8542 39 90 00
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IRF2133STR
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF21362JTR
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF214Harris CorporationDescription: IRF214
Packaging: Bulk
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IRF2171
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF220International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) TO-3
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRF220Infineon / IRMOSFETs
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IRF220International RectifierTO-204AA/ 200V SINGLE N-CHANNEL HI-REL MOSFET 0.8 OHMS Транзистори
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IRF220International RectifierDescription: IRFN-CHANNHERMETMHEXFET
Packaging: Bulk
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IRF2204IRF2204 Транзисторы Прочие
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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IRF2204LIRTO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF2204LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 170A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 130A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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IRF2204PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF2204PBFInternational RectifierTO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF2204PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF2204PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF2204PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 210 A, 0.0036 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 210
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 330
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0036
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF2204PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
224+2.92 EUR
500+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 224 Stücke
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IRF2204PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF2204PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
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IRF2204PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 210A 3.6mOhm 130nC
auf Bestellung 902 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.26 EUR
10+3 EUR
100+2.43 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.24 EUR
5000+2.12 EUR
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IRF2204PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 210A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 330W
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+42.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2204PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
224+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 224 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF2204PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 210A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 130A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.01 EUR
50+3 EUR
100+2.71 EUR
500+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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