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NVTFWS014P04M8LTAG

Description: MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 420µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1734 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS014P04M8LTAG

ON Semiconductor

MOSFET Power MOSFET, Single P-Channel, -40 V, 13.8 mO, -49 A

auf Bestellung 888 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS014P04M8LTAG

auf Bestellung 590 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS014P04M8LTAG

Description: ONSEMI - NVTFWS014P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 49 A, 0.01 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1890 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.05 EUR
126+	1.84 EUR
167+	1.29 EUR
500+	1.04 EUR
1000+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS014P04M8LTAG

Description: MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 420µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1734 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 547 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.31 EUR
14+	1.51 EUR
100+	1.14 EUR
500+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS014P04M8LTAG

MOSFETs Power MOSFET, Single P-Channel, -40 V, 13.8 mohm, -49 A

auf Bestellung 7058 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.51 EUR
10+	1.61 EUR
100+	1.14 EUR
500+	0.92 EUR
1000+	0.84 EUR
1500+	0.81 EUR
3000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS015N04CTAG

Description: MOSFET N-CH 40V 9.4A/27A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 24034 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.17 EUR
11+	2.01 EUR
100+	1.36 EUR
500+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS015N04CTAG

Description: MOSFET N-CH 40V 9.4A/27A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1500+	0.93 EUR
3000+	0.86 EUR
4500+	0.82 EUR
7500+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS015N04CTAG

MOSFETs Single N-Chn Pwr Mosfet 40V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.42 EUR
10+	2.15 EUR
100+	1.45 EUR
500+	1.14 EUR
1000+	1.07 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS015P03P8ZTAG

MOSFETs Power MOSFET, Single, P-Channel, u8FL -30 V, 7.5 mohm, -88.6 A Wettable Option

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS015P03P8ZTAG

Description: PT8P PORTFOLIO EXPANSION
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 88.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1358 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.78 EUR
12+	1.77 EUR
100+	1.18 EUR
500+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS015P03P8ZTAG

ON Semiconductor

Power MOSFET, Single P-Channel Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS015P03P8ZTAG

Description: PT8P PORTFOLIO EXPANSION
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 88.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS015P03P8ZTAG

ON Semiconductor

Power MOSFET, Single P-Channel Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 770 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

647+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 647 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS016N06CT1G

Description: POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL,
Qualification: AEC-Q101
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Power Dissipation (Max): 36W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS016N06CTAG

Description: MOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 17896 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	4.08 EUR
10+	2.62 EUR
100+	1.77 EUR
500+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS016N06CTAG

ON Semiconductor

POWER MOSFET TRANSISTOR

auf Bestellung 1300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

418+	1.55 EUR
500+	1.37 EUR
1000+	1.24 EUR

Mindestbestellmenge: 418 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS016N06CTAG

Description: MOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 16500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1500+	1.15 EUR
3000+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS016N06CTAG

MOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS020N06CTAG

Description: MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 22500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.69 EUR
10+	2.34 EUR
100+	1.58 EUR
500+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS020N06CTAG

MOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS020N06CTAG

Description: MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 22500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1500+	1.02 EUR
3000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS020N06CTAG

ON Semiconductor

POWER MOSFET TRANSISTOR

auf Bestellung 1200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

447+	1.44 EUR
500+	1.29 EUR
1000+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 447 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS020N06CTAG

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 27A; Idm: 128A; 15W; WDFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 15W
Case: WDFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS024N06CT1G

Description: POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL,
Qualification: AEC-Q101
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Power Dissipation (Max): 28W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS024N06CTAG

Description: MOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.64 EUR
10+	2.33 EUR
100+	1.57 EUR
500+	1.24 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS024N06CTAG

Description: ONSEMI - NVTFWS024N06CTAG - POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, µ8FL,
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS024N06CTAG

Description: MOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1500+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS024N06CTAG

MOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.58 EUR
10+	2.28 EUR
100+	1.54 EUR
500+	1.21 EUR
1000+	1 EUR
1500+	0.99 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS027N10MCLTAG

Description: PTNG 100V LL U8FL
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 3990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.92 EUR
12+	1.84 EUR
100+	1.23 EUR
500+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS027N10MCLTAG

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 7.4A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R

auf Bestellung 712 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

688+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 688 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS027N10MCLTAG

MOSFETs PTNG 100V LL U8FL

auf Bestellung 22 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	3.28 EUR
10+	2.05 EUR
100+	1.36 EUR
500+	1.07 EUR
1000+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS027N10MCLTAG

Description: PTNG 100V LL U8FL
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1500+	0.77 EUR
3000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS027N10MCLTAG

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 7.4A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS030N06CTAG

MOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS030N06CTAG

Description: MOSFET N-CH 60V 6A/19A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.61 EUR
10+	2.3 EUR
50+	1.73 EUR
100+	1.55 EUR
500+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS030N06CTAG

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 19A; Idm: 86A; 11W; WDFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 86A
Power dissipation: 11W
Case: WDFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS030N06CTAG

Description: MOSFET N-CH 60V 6A/19A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1500+	0.96 EUR
3000+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS040N10MCLTAG

Description: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1269 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.4 EUR
14+	1.52 EUR
100+	1.01 EUR
500+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS040N10MCLTAG

MOSFETs PTNG 100V LL U8FL

auf Bestellung 203 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.59 EUR
10+	1.63 EUR
100+	1.08 EUR
500+	0.84 EUR
1000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS040N10MCLTAG

Description: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS052P04M8LTAG

Description: MOSFET P-CH 40V 4.7A/13.2A 8WDFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 95µA
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 13.2A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1500+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS052P04M8LTAG

MOSFETs Power MOSFET, Single P-Channel, -40V, 69mohm, -13.2A

auf Bestellung 8430 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.62 EUR
10+	1.29 EUR
100+	0.89 EUR
500+	0.79 EUR
1000+	0.68 EUR
1500+	0.57 EUR
3000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS052P04M8LTAG

Description: MOSFET P-CH 40V 4.7A/13.2A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 13.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 95µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.7 EUR
15+	1.48 EUR
100+	1.02 EUR
500+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS070N10MCLTAG

Description: PTNG 100V LL U8FL
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15µA
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1500+	0.64 EUR
3000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS070N10MCLTAG

MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100 V, 13 A, 64.4 mohm

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS070N10MCLTAG

Description: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 18135 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.48 EUR
14+	1.56 EUR
100+	1.02 EUR
500+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS1D3N04XMTAG

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 40V 178A 8-Pin WDFNW EP T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS1D3N04XMTAG

MOSFETs 40V T10M IN U8FL GEN 2 PACKAGE

auf Bestellung 1352 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.86 EUR
10+	3.17 EUR
100+	2.15 EUR
500+	1.73 EUR
1000+	1.5 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS1D3N04XMTAG

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 40V 178A 8-Pin WDFNW EP T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1500+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS1D3N04XMTAG

Description: ONSEMI - NVTFWS1D3N04XMTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 178 A, 1430 µohm, WDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1430µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.25 EUR
104+	2.06 EUR
500+	1.64 EUR
1000+	1.52 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS1D3N04XMTAG

Description: ONSEMI - NVTFWS1D3N04XMTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 178 A, 1430 µohm, WDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 178A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1430µohm

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

46+	5.45 EUR
72+	3.25 EUR
104+	2.06 EUR
500+	1.64 EUR
1000+	1.52 EUR

Mindestbestellmenge: 46 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS1D9N04XMTAG

MOSFETs 40V T10M IN U8FL PACKAGE

auf Bestellung 4199 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.12 EUR
10+	1.39 EUR
100+	1.15 EUR
500+	1.11 EUR
1000+	1.07 EUR
1500+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS1D9N04XMTAG

Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40

auf Bestellung 11791 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.32 EUR
13+	1.69 EUR
25+	1.54 EUR
100+	1.36 EUR
250+	1.27 EUR
500+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS1D9N04XMTAG

Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40

auf Bestellung 10500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1500+	1.12 EUR
3000+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS4D9N04XMTAG

Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 673 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

16+	1.34 EUR
22+	0.95 EUR
25+	0.86 EUR
100+	0.75 EUR
250+	0.7 EUR
500+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 16 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS4D9N04XMTAG

MOSFETs 40V T10M IN U8FL PACKAGE

auf Bestellung 685 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.36 EUR
10+	0.86 EUR
100+	0.7 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.67 EUR
1500+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS4D9N04XMTAG

Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 673 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1500+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS8D1N08HTAG

Description: 80V T8 IN U8FL HEFET PACK

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS9D6P04M8LTAG

Description: MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 580µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2312 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 9090 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.95 EUR
11+	1.96 EUR
100+	1.34 EUR
500+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS9D6P04M8LTAG

ON Semiconductor

MOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM

auf Bestellung 2620 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS9D6P04M8LTAG

ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 40V 13A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS9D6P04M8LTAG

Description: MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 580µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2312 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1500+	0.89 EUR
3000+	0.88 EUR
4500+	0.86 EUR
7500+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTFWS9D6P04M8LTAG

ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 40V 13A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1500+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

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NVTFWS9D6P04M8LTAG

MOSFETs MOSFET - Power, Single P-Channel Wettable Option

auf Bestellung 3443 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.95 EUR
10+	1.96 EUR
100+	1.33 EUR
500+	1.13 EUR
1500+	0.92 EUR
3000+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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NVTFWS9D6P04M8LTAG

ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 40V 13A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

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NVTGS3455T1G

ON Semiconductor

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

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NVTGS3455T1G

ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 3.5A 6-TSOP

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

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NVTJD4001NT1G

MOSFETs NFET 30V 250MA 1.5OH

auf Bestellung 922939 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.94 EUR
10+	0.42 EUR
100+	0.37 EUR
500+	0.27 EUR
3000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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NVTJD4001NT1G

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.272W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.18A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω

auf Bestellung 2662 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

167+	0.51 EUR
209+	0.4 EUR
239+	0.36 EUR
327+	0.26 EUR
368+	0.23 EUR
500+	0.18 EUR
1000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 167 Stücke

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NVTJD4001NT1G

Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.21 EUR
6000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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NVTJD4001NT1G

Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

23+	0.94 EUR
36+	0.58 EUR
50+	0.43 EUR
100+	0.37 EUR
500+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 23 Stücke

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NVTJD4001NT2G

ON Semiconductor

Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC-88

auf Bestellung 2733 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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NVTJD4001NT2G

ON Semiconductor

Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC-88

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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NVTJD4001NT2G

ON Semiconductor

MOSFET NFET 30V 250MA 1.5OH

auf Bestellung 14731 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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NVTJD4105CT1G

Description: MOSFET 20V 0.63A SC-88

Produkt ist nicht verfügbar

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NVTJD4158CT1G

MOSFET PFET 20V .88A 1OHM

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

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NVTJD4158CT1G

ON Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 20V 0.88A SC-88

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

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NVTJD4401NT1G

ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 20V 0.63A SC-88

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTP2955G

Description: MOSFET 60V 12A 196
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTP2955G

Description: MOSFET 60V 12A 196
Packaging: Bulk
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3974 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

443+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 443 Stücke

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NVTR01P02L

onsemi PFET SOT23 20V 1.3A 0.075

Produkt ist nicht verfügbar

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NVTR01P02LT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTR01P02LT1G

Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 750mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 5 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5481 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

22+	0.96 EUR
36+	0.6 EUR
100+	0.37 EUR
500+	0.29 EUR
1000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 22 Stücke

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NVTR01P02LT1G

MOSFETs PFET 20V 0.160R TR

auf Bestellung 66 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.37 EUR
10+	0.94 EUR
100+	0.6 EUR
500+	0.37 EUR
1000+	0.27 EUR
3000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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NVTR01P02LT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTR01P02LT1G

Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 750mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 5 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTR01P02LT1G

ON Semiconductor

auf Bestellung 2758 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTR0202PLT1G

MOSFETs PFET 20V 0.4A 80MOH

auf Bestellung 29560 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	0.58 EUR
10+	0.37 EUR
100+	0.2 EUR
1000+	0.18 EUR
3000+	0.14 EUR
9000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTR0202PLT1G

Description: ONSEMI - NVTR0202PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 400 mA, 0.55 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 404 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

362+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 362 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTR0202PLT1G

Description: MOSFET P-CH 20V 400MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.15 EUR
9000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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NVTR0202PLT1G

ON Semiconductor

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTR0202PLT1G

Description: ONSEMI - NVTR0202PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 400 mA, 0.55 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 404 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

362+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 362 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTR0202PLT1G

Description: MOSFET P-CH 20V 400MA SOT23
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive

auf Bestellung 17777 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

29+	0.74 EUR
41+	0.51 EUR
100+	0.26 EUR
500+	0.23 EUR
1000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 29 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTR4502P

PFET SOT23 30V 1.95A 20MO

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTR4502PT1G

Description: MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.95A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTR4502PT1G

MOSFETs PFET 30V 1.95A 20MO

auf Bestellung 26633 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.44 EUR
10+	0.89 EUR
100+	0.58 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.39 EUR
3000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTR4502PT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 30V 1.13A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.26 EUR
6000+	0.25 EUR
9000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTR4502PT1G

Description: ONSEMI - NVTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.13 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 610 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

171+	1.46 EUR
230+	1.01 EUR
333+	0.64 EUR
500+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 171 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NVTR4502PT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET P-CH 30V 1.13A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.27 EUR
6000+	0.26 EUR
9000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

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