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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
RJK6002DPH-E0#T2RenesasDescription: RJK6002DPH - N CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V
auf Bestellung 3467 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
235+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6002DPH-E0#T2Renesas ElectronicsMOSFET Power MOSFET , 600V 2A , LDPAK-S
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6006DPD-00#J2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 5A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 77.6W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6006DPD-00#J2Renesas ElectronicsMOSFET Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6006DPP-A0#T2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Ta)
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
auf Bestellung 1711 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.08 EUR
10+5.33 EUR
100+3.78 EUR
500+3.12 EUR
1000+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6006DPP-A0#T2Renesas ElectronicsMOSFETs POWER TRS1 HV-MOS TO220FP MOS AP5H POWER
auf Bestellung 775 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.23 EUR
10+5.43 EUR
100+3.83 EUR
500+3.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6006DPP-E0#T2Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 600V 5A TO220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6006DPP-E0#T2Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET, 600V, TO-220FP, Pb Free
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6009DPP-00#T2Renesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 99 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6011DJE-00#Z0Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6011DJE-00#Z0Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 100MA TO92MOD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92MOD
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52Ohm @ 50mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6011DP3-A0#J2RenesasDescription: RJK6011DP3-A0#J2 - SILICON NCH S
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
190+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6012
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6012DPE
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6012DPE-00#J3Renesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 600V 10A 920mohm TO-263 / D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6012DPE-00#J3Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 10A 4LDPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LDPAK
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-83
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6012DPE-00-J3
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6012DPP
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6012DPP-00#T2Renesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 1385 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
91+5.82 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6012DPP-A0#T2Renesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 600V 10A 920mohm TO-220F
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6012DPP-A0#T2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.37Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.5W (Ta)
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6012DPP-E0#T2RenesasTO-220FPNCH, TO-220FP, 600V, ID(DC)10A, 0.92OHM
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6012DPP-E0#T2RenesasDescription: RJK6012DPP - N CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
auf Bestellung 3960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
91+5.82 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6012DPP-K0#T2Renesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
91+5.82 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6013
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6013DPE
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6013DPE-00#J3Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 11A 4LDPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-83
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LDPAK
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6013DPE-00#J3Renesas ElectronicsMOSFET Power TRS, 600V/11A, LDPAK(S)-(1)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6013DPE-00-J3
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6013DPE-WS#J3Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 600V 11A 4LDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-83
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LDPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6013DPP
auf Bestellung 8200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6013DPP-00#T2Renesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 36564 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
52+10.31 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6013DPP-E0#T2RenesasDescription: RJK6013DPP-E0#T2 - SILICON N CHA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
auf Bestellung 1877 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
54+9.78 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6013DPP-E0#T2Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6014DPK
auf Bestellung 8200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6014DPK-00#T0Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 600V 16A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 575mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6014DPK-00#T0Renesas ElectronicsMOSFET Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6014DPP
auf Bestellung 8200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6014DPP-00#T2Renesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
61+8.73 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6014DPP-A0#T2Renesas Electronics CorporationDescription: RJK6014DPP-A0#T2
Packaging: Tray
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 575mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FPA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6014DPP-A0#T2Renesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 600V 16A 575mohm TO-220F
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6014DPP-E0#T2Renesas ElectronicsMOSFET Power TRS, 600V/16A, TO-220FN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6014DPP-E0#T2Renesas Electronics CorporationDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 575mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
auf Bestellung 5052 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+11.14 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6015DPK
auf Bestellung 8200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6015DPK-00#T0Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 10.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6015DPK-00#T0Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6015DPM-00#T1Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO3PFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Supplier Device Package: TO-3PFM
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 10.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6015DPM-00#T1Renesas ElectronicsMOSFET Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6018DPK
auf Bestellung 8200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6018DPK-00#T0RenesasTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6018DPK-00#T0Renesas ElectronicsMOSFET PWR MOS TRS TO3P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6018DPK-00#T0Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6018DPM-00#T1Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3PFM
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
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RJK6018DPM-00#T1Renesas ElectronicsMOSFET Power MOSFET
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RJK6020DPK
auf Bestellung 8200 Stücke:
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RJK6020DPK-00#T0Renesas ElectronicsMOSFET PMOSFET
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RJK6020DPK-00#T0Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 600V 32A TO3P
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RJK6022DJE-00#Z0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 600V 0.2A TO92
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RJK6024DP3-A0#J2Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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RJK6024DPD-00#J2Renesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 27.2W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.5 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
188+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 188 Stücke
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RJK6024DPD-00#J2Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET, 600V
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RJK6024DPD-00#J2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 400MA MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 27.2W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.5 pF @ 25 V
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RJK6024DPE-00#J3Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 600V 0.4A LDPAK
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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RJK6024DPH-E0#T2Renesas ElectronicsMOSFET Power MOSFET , 600V, IPAK
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RJK6024DPH-E0#T2Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 600V 0.4A LDPAK
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RJK6025DPD-00#J2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 1A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 29.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: MP-3A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.5 pF @ 25 V
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RJK6025DPD-00#J2Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET, 600V
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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RJK6025DPE-00#J3Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 600V 0.8A LDPAK
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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RJK6026DPE
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RJK6026DPE-00#J3Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET, 600V, LDPAK(S)-(1), Pb Free
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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RJK6026DPE-00#J3Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 600V 5A 4LDPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LDPAK
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-83
Packaging: Tube
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RJK6026DPP
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RJK6026DPP-00#T2Renesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 25529 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
212+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 212 Stücke
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RJK6026DPP-90#T2FRenesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 38500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
212+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 212 Stücke
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RJK6026DPP-B1#T2FRenesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
212+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 212 Stücke
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RJK6026DPP-E0#T2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 28.5W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
auf Bestellung 40100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
169+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
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RJK6029DJA-00#Z0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH TO92
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6032DPD-00#J2Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 600V 3A MP3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: MP-3A
Power Dissipation (Max): 40.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6032DPD-00#J2Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6032DPH-E0#T2Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2750 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6032DPH-E0#T2Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 600V 3A TO251
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6034DPH-E0#T2Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 600V TO252
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6034DPP-E0#T2Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 600V TO220
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6035DPP-A0#T2Renesas ElectronicsMOSFETs POWER TRS1 HV-MOS/IGBT
auf Bestellung 1017 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.71 EUR
10+3.72 EUR
100+2.62 EUR
500+2.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6035DPP-A0#T2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 1.2A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
auf Bestellung 2775 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.62 EUR
10+3.67 EUR
100+2.57 EUR
500+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6035DPP-E0#T2Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO220
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6035DPP-E0#T2RenesasTO-220FPNCH, TO-220FP, 600V, ID(DC)6A, 1.4OHM
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6035DPP-E0#T2Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET, 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK6036DP3-A0#J2Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK60S1DPD-00#J2RenesasTO252/VDSS 600V, ID(DC)8A, 1.05OHM, SJ MOS FET RJK60S1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK60S1DPP-E0#T2RenesasTO-220FPNCH, TO-220FP, 600V, ID(DC)8A, 1.05OHM,
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK60S2DPP-E0#T2RenesasTO-220FPNCH, TO-220FP, 600V, ID(DC)10A, 0.67OHM
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK60S3DPD-00#J2Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 600V 12A MP-3A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK60S3DPD-00#J2Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 600V 12A MP-3A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK60S3DPD-00#J2Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 600V 12A MP-3A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK60S3DPE-00#J3Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 600V 12A LDPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK60S3DPE-00#J3Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 600V 12A LDPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK60S3DPE-00#J3Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 600V 12A LDPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK60S3DPE-00#J3Renesas4-LDPAK/MOSFET N-CH 600V 12A RJK60S3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RJK60S3DPP-E0#T2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.7W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V
auf Bestellung 129813 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
71+7.43 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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