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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
MMBTA56LT1GON-SemiconductorPNP 500mA 80V 225mW 50MHz MMBTA56 TMMBTA56lt1
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
400+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 48479 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
695+0.36 EUR
1176+0.2 EUR
1898+0.11 EUR
2598+0.082 EUR
3022+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 695 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+0.3 EUR
999+0.17 EUR
1634+0.1 EUR
2284+0.069 EUR
2584+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT1G
Produktcode: 177590
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT1G /3G
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT1G-HFEON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT1G-HFEonsemiDescription: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT1G-HFEON SemiconductorBipolar Transistors - BJT SS SOT23 DR XSTR PNP 80V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT1HTSA1Infineon TechnologiesDescription: TRANS PNP 80V 0.5A PG-SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 330 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 36000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT1HTSA1Infineon TechnologiesTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4609+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4609 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT1HTSA1Infineon TechnologiesTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 36000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT1HTSA1Infineon TechnologiesTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 36000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT1HTSA1Infineon TechnologiesTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 36000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5883+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 5883 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.069 EUR
30000+0.068 EUR
50000+0.065 EUR
100000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT3GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBTA56LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 34724 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
614+0.4 EUR
1318+0.18 EUR
1737+0.12 EUR
2874+0.075 EUR
5000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 614 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT3GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 9866 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
63+0.33 EUR
103+0.2 EUR
166+0.13 EUR
500+0.092 EUR
1000+0.081 EUR
2000+0.071 EUR
5000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4160000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1011+0.18 EUR
1684+0.1 EUR
2711+0.061 EUR
3760+0.042 EUR
4976+0.03 EUR
5026+0.029 EUR
5682+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 1011 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT3GonsemiBipolar Transistors - BJT 500mA 80V PNP
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 374-378 Tag (e)
10+0.35 EUR
17+0.2 EUR
100+0.13 EUR
500+0.094 EUR
1000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT3GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBTA56LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 34724 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
596+0.42 EUR
1318+0.18 EUR
1704+0.13 EUR
2500+0.086 EUR
5000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 596 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT3GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4160000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT3GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
auf Bestellung 7532 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
385+0.23 EUR
556+0.15 EUR
799+0.11 EUR
939+0.09 EUR
1359+0.063 EUR
1593+0.054 EUR
2500+0.044 EUR
5000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 385 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
992+0.18 EUR
1653+0.1 EUR
2660+0.062 EUR
3691+0.043 EUR
4902+0.031 EUR
4951+0.03 EUR
5587+0.025 EUR
10000+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 992 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56QYangjie Electronic TechnologyMMBTA56Q
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56QYangjie TechnologyDescription: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.09 EUR
15000+0.083 EUR
30000+0.08 EUR
60000+0.075 EUR
120000+0.067 EUR
300000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56Q-13-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 310 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
63+0.33 EUR
100+0.21 EUR
162+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56Q-13-FDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT PNP SS Trans 80Vceo 0.5A 0.3W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56Q-13-FDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 110000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56Q-13-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 310 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56Q-13-FDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 110000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56Q-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 780000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3788+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 3788 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56Q-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 350 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56Q-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 310mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Application: automotive industry
Quantity in set/package: 3000pcs.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56Q-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMBTA56Q-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56Q-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 780000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3788+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 3788 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56Q-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 350 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56Q-7-FDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT PNP SS Trans 80Vceo 0.5A 0.3W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56Q-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMBTA56Q-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56WT1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56WT1onsemiDescription: TRANS PNP 80V 0.5A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 150 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 21000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56WT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
auf Bestellung 545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
385+0.23 EUR
481+0.18 EUR
545+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 385 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56WT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 24000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56WT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBTA56WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 813 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
646+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 646 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56WT1GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 0.5A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 11800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
63+0.33 EUR
102+0.2 EUR
165+0.13 EUR
500+0.093 EUR
1000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56WT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 405780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1541+0.11 EUR
2151+0.081 EUR
2458+0.069 EUR
3195+0.052 EUR
6000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 1541 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56WT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 500mA 80V PNP
auf Bestellung 478 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.42 EUR
14+0.24 EUR
100+0.14 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.094 EUR
3000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56WT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 24000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56WT1GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 0.5A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.063 EUR
6000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56WT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 405780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1541+0.11 EUR
2151+0.079 EUR
2458+0.067 EUR
3195+0.049 EUR
6000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 1541 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56WT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBTA56WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 303 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 303 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56WT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56WT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3049+0.057 EUR
6000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 3049 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56_D87ZonsemiDescription: TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 350 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56_Qonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GEN PUR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56_R1_00001Panjit International Inc.Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56_R1_00001PanjitBipolar Transistors - BJT NPNANDPNPHIGHVOLTAGETRANSISTOR VCE-80V IC-500mA SOT-23
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56_R1_00001Panjit International Inc.Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 5065 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.31 EUR
112+0.19 EUR
180+0.12 EUR
500+0.084 EUR
1000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56_R1_10001PanjitBipolar Transistors - BJT NPNANDPNPHIGHVOLTAGETRANSISTOR VCE-80V IC-500mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56_R2_00001PanjitBipolar Transistors - BJT NPNANDPNPHIGHVOLTAGETRANSISTOR VCE-80V IC-500mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56_R2_10001PanjitBipolar Transistors - BJT NPNANDPNPHIGHVOLTAGETRANSISTOR VCE-80V IC-500mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA63onsemiDescription: TRANS PNP DARL 30V 1.2A SOT-23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 350 mW
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6045+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 6045 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA63ONSEMICategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 30V; 1.2A; 0.35W
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Frequency: 125MHz
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA63ON SemiconductorTrans Darlington PNP 30V 1.2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9091+0.073 EUR
10205+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 9091 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA63ONSEMIDescription: ONSEMI - MMBTA63 - MMBTA63, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA63ON SemiconductorTrans Darlington PNP 30V 1.2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9091+0.073 EUR
10205+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 9091 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA63Fairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP DARL 30V 1.2A SOT-23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 350 mW
auf Bestellung 1117725 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6045+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 6045 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA63MOT
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA63onsemiDescription: TRANS PNP DARL 30V 1.2A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 350 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA63ON SemiconductorTrans Darlington PNP 30V 1.2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1099765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9091+0.073 EUR
10205+0.064 EUR
100000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 9091 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA63onsemiDarlington Transistors PNP Transistor Darlington
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA63-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA63-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA63-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 22686 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
59+0.36 EUR
97+0.21 EUR
155+0.13 EUR
500+0.099 EUR
1000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA63-7-FDiodes ZetexTrans Darlington PNP 30V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA63-7-F
auf Bestellung 830 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA63-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.071 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBTA63-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMBTA63-7-F - Darlington-Transistor, PNP, 30 V, 300 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 20000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300mW
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 909 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
553+0.45 EUR
893+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 553 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA63-7-FDiodes IncorporatedDarlington Transistors -30V 300mW
auf Bestellung 21058 Stücke:
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9+0.38 EUR
15+0.24 EUR
100+0.14 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.094 EUR
3000+0.075 EUR
6000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA63-7-FDiodes ZetexTrans Darlington PNP 30V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2984 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2984 Stücke
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MMBTA63-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 30V; 0.5A; 300mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 125MHz
Current gain: 5000...10000
Manufacturer standard package: 3000pcs.
auf Bestellung 536 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
334+0.25 EUR
404+0.21 EUR
468+0.18 EUR
536+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 334 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA63-7-FDIVSOT-23 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA63-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMBTA63-7-F - Darlington-Transistor, PNP, 30 V, 300 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 20000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 909 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
553+0.45 EUR
893+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 553 Stücke
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MMBTA63-7-F-WDiodes Incorporated General Purpose Transistor SOT23 T&R 3K
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 Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA63-7-F-WDiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA63-7-F-WDiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBTA63-HFComchip TechnologyDarlington Transistors TRANS PNP 0.5A 30V SOT-23
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 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA63-HFComchip TechnologyDescription: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA63-TPMicro Commercial ComponentsTrans Darlington PNP 30V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA63-TPMicro Commercial Components (MCC)Darlington Transistors
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA63-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA63LT1onsemiDescription: TRANS SS DARL PNP 30V SOT23
Part Status: Obsolete
Packaging: Cut Tape (CT)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA63LT1GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.071 EUR
6000+0.063 EUR
9000+0.06 EUR
15000+0.055 EUR
21000+0.052 EUR
30000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA63LT1GON SemiconductorTrans Darlington PNP 30V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.067 EUR
6000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA63LT1GONSEMICategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 30V; 0.5A; 0.225W
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 1095 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
313+0.27 EUR
782+0.11 EUR
1095+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 313 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA63LT1GOn SemiconductorТранзистор PNP, биполярный, Дарлингтон, 30В, 0,5А, 225мВт, SOT23 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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MMBTA63LT1GON SemiconductorTrans Darlington PNP 30V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 298 Stücke
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