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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRFB4019PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 35960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.28 EUR
109+1.55 EUR
121+1.34 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.86 EUR
2000+0.8 EUR
5000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4019PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 150V 17A 95mOhm 13nC Qg
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.13 EUR
10+2 EUR
100+1.78 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.33 EUR
2000+1.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4019PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 17A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4019PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4019PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
385+1.7 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 385 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4019PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.04 EUR
2000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4019PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4019PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
auf Bestellung 1363 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.11 EUR
10+2.62 EUR
50+1.99 EUR
100+1.77 EUR
500+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4019PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+3.06 EUR
108+1.59 EUR
119+1.42 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4019PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
385+1.7 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 385 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4019PBF
Produktcode: 171727
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4019PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4019PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 17 A, 0.095 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 80W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
auf Bestellung 732 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+4.97 EUR
104+2.24 EUR
117+1.84 EUR
500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4019PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 35958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+1.62 EUR
120+1.43 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.95 EUR
2000+0.9 EUR
5000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4019PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2161 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.04 EUR
2000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4019PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+3.06 EUR
108+1.56 EUR
119+1.36 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4019PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4019PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET >60-400V
auf Bestellung 453 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.32 EUR
10+2.75 EUR
100+1.86 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.2 EUR
2000+1.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4019PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4019PBFXKMA1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020Infineon / IRMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020
Produktcode: 184884
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020International RectifierTranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 100mOhm; 18A; 100W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4020; IRFB4020XKMA1; IRFB4020 TIRFB4020
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.61 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.06 EUR
2000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 18074 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
326+2 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.61 EUR
10000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 326 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+1.73 EUR
102+1.69 EUR
117+1.44 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.02 EUR
2000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+3.09 EUR
59+2.93 EUR
100+2.77 EUR
250+2.63 EUR
500+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4020PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 1090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+5.65 EUR
91+2.55 EUR
108+1.99 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 11581 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.06 EUR
2000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFInternational RectifierMOSFET, N-кан 200V 18A, TO-220AB Транзистори
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+6.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 7788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+1.73 EUR
102+1.69 EUR
118+1.43 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.99 EUR
2000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 7788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+1.74 EUR
102+1.65 EUR
117+1.38 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.92 EUR
2000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 50 V
auf Bestellung 2982 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.74 EUR
10+3.03 EUR
50+2.31 EUR
100+2.07 EUR
500+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 100W
Gate charge: 18nC
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 324 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+1.73 EUR
102+1.64 EUR
117+1.39 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.94 EUR
2000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 817 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
326+2 EUR
500+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 326 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud
auf Bestellung 8439 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.65 EUR
10+2.26 EUR
100+1.92 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.42 EUR
2000+1.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBF
Produktcode: 55927
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 18 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 80 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/18
Montage: THT
verfügbar: 6 St.
  • 6 St. - stock Köln
auf Bestellung: 95 St.
  • 95 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+2.82 EUR
10+2.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 18 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 50, Qg, нКл = 29 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 11 A, 10 В, Ugs(th) = 4,9 В @ 100 мкА, Р, Вт = 100, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2792 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
326+2 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 326 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 50 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.74 EUR
50+2.31 EUR
100+2.07 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFXKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET >60-400V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4020PBFXKMA1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4020PBFXKMA1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4020PBFXKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRFB4020PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+5.68 EUR
69+3.37 EUR
102+2.12 EUR
500+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110Infineon / IRMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110JSMSEMITransistor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 5mOhm; 180A; 240W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFB4110; IRFB4110G; SP001570598; SP001556050; IRFB4110 JSMICRO TIRFB4110 JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110UMWTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFB4110; IRFB4110G; SP001570598; SP001556050; IRFB4110 UMW TIRFB4110 UMW
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110UMWDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.49 EUR
10+3.55 EUR
100+2.44 EUR
500+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110-CNCHIPNOBOTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4mOhm; 180A; 214W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFB4110; IRFB4110G; SP001570598; SP001556050; IRFB4110-CN CHIPNOBO TIRFB4110 CNB
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 5mOhm; 129A; 185W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFB4110; IRFB4110G; SP001570598; SP001556050; IRFB4110-ML MOSLEADER TIRFB4110 MOS
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 20450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+3.92 EUR
500+3.64 EUR
1000+3.38 EUR
10000+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+3.92 EUR
500+3.64 EUR
1000+3.38 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110GPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFB4110GPBF - IRFB4110 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+5.27 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110GPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 180A 4.5mOhm 150nC
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.7 EUR
10+6.87 EUR
100+5.11 EUR
500+4.69 EUR
1000+3.97 EUR
2000+3.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110GPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+3.92 EUR
500+3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110GPBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4110GPBFXKMA1
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
177+3.7 EUR
500+3.45 EUR
1000+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 177 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.94 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBFInternational RectifierTO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
auf Bestellung 11531 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.35 EUR
10+4.82 EUR
50+3.74 EUR
100+3.38 EUR
500+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 17000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1617 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 7273 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 180A 4.5mOhm 150nC Qg
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 17000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBFInfineonN-Channel 120A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBF
Produktcode: 42666
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 180 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 4,5 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 9620/150
Montage: THT
auf Bestellung: 610 St.
  • 610 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+5.4 EUR
10+4.83 EUR
100+4.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.94 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 17000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
237+2.76 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.39 EUR
10000+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 237 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 7272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1617 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
auf Bestellung 735 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.35 EUR
10+4.82 EUR
50+3.74 EUR
100+3.38 EUR
500+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBFXKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRFB4110PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
auf Bestellung 508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.84 EUR
44+5.38 EUR
100+3.7 EUR
500+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4110PBFXKMA1
auf Bestellung 228000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
226+2.89 EUR
500+2.57 EUR
1000+2.31 EUR
10000+2.02 EUR
100000+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 226 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4110PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET >60-400V
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.39 EUR
10+3.77 EUR
100+3.42 EUR
500+2.78 EUR
1000+2.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115Infineon Technologies
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115InfineonN-MOSFET 104A 150V 380W 0.0093Ω IRFB4115 TIRFB4115
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+11.6 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115GInfineon TechnologiesArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115GPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 150V 104A 11mOhm 77nCAB
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.3 EUR
10+10.16 EUR
100+8.33 EUR
500+7.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115PBF
Produktcode: 37473
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 В
Drain-Strom Idd, A: 104 А
Montage: THT
auf Bestellung: 51 St.
  • 51 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+3.67 EUR
10+3.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 959 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.75 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 150V 104A 11mOhm 77nC Qg
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 104 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5270 @ 50, Qg, нКл = 120 @ 10 В, Rds = 11 мОм @ 62 А, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 380, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4115PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 104 A, 0.011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 380W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
auf Bestellung 3878 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+11.22 EUR
35+6.82 EUR
100+4.63 EUR
500+3.94 EUR
1000+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.5 EUR
3000+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.5 EUR
3000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFB4115PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFB4115PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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1000+2.5 EUR
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IRFB4115PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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57+2.95 EUR
100+2.81 EUR
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1000+2.17 EUR
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IRFB4115PBFInternational RectifierHEXFET, 150V, 104A, TO-220, -55...+175C Транзистори
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IRFB4115PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
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3+7.54 EUR
10+4.95 EUR
50+3.83 EUR
100+3.47 EUR
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59+2.92 EUR
100+2.83 EUR
500+2.55 EUR
1000+2.27 EUR
3000+2.21 EUR
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IRFB4115PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4115PBFXKMA1
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IRFB4115PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
auf Bestellung 534 Stücke:
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3+7.54 EUR
10+4.95 EUR
50+3.83 EUR
100+3.47 EUR
500+2.84 EUR
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