Produkte > IRF

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 22 44 66 88 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 132 154 176 198 220 223  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRFB4137Infineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4137PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4137PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 300V, 40A, 69 mOhm 83 nC Qg, TO-220AB
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.42 EUR
10+2.59 EUR
100+2.53 EUR
500+2.46 EUR
1000+2.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4137PBF
Produktcode: 58576
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4137PBFEupecTO-220PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4137PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 574 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+2.85 EUR
500+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 193 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4137PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4137PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 38 A, 0.069 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4137PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 300V 38A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5168 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4137PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4137PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 342 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+2.85 EUR
Mindestbestellmenge: 193 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4137PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 300, Id = 38, Ciss, пФ @ Uds, В = 5168 @ 50, Qg, нКл = 125, Rds = 69 мОм, Ugs(th) = 5 В, Р, Вт = 341, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB41N15DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 41A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB41N15DPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB41N15DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 41 A, 0.045 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 41
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB41N15DPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 150V 41A TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB41N15DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 41A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB41N15DPBFInfineon / IRMOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 72nC
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB41N15DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4212IR
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4212Infineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4212
Produktcode: 99478
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 13
Rds(on), Ohm: 72.5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 550/15
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+1 EUR
10+0.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4212PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 18A 72.5mOhm 15nC Qg
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4212PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4212PBFIR08+ DO-35
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4215Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 115A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4215PBFIR
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4215PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 115A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 54A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227Infineon / IRMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227International RectifierN-MOSFET 65A 200V 330W 0.0197Ω IRFB4227; IRFB4227XKMA1; IRFB4227; IRFB4227 TIRFB4227
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.99 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
auf Bestellung 3789 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.84 EUR
50+2.37 EUR
100+2.13 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.58 EUR
2000+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальный ПТ, Id = 65 A, Ptot, Вт = 330, Vdss В = 200, Тип монт. = выводной, Rds = 24 mOhm @ 46A, 10V, Ciss @ Vds = 4600pF @ 25V, Qg,нКл = 98nC @ 10V, Vgs(th) = 5V @ 250µA,... Транзистори Корпус: TO-220AB Очікується: 1000 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+4.3 EUR
65+2.24 EUR
100+2.01 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 12378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.07 EUR
84+1.68 EUR
100+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 65A 26mOhm 70nC Qg
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 73210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+1.76 EUR
100+1.69 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.08 EUR
50+3.87 EUR
100+3.66 EUR
250+3.47 EUR
500+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBF
Produktcode: 25579
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 130
Rds(on), Ohm: 0.197
Ciss, pF/Qg, nC: 4600/70
JHGF: THT
verfügbar: 68 St.
  • 3 St. - stock Köln
  • 65 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
1+5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFInternational RectifierTO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4227PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.024 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 1046 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 73210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+2.8 EUR
83+1.7 EUR
100+1.6 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 12378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Gate charge: 70nC
On-state resistance: 26mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 65A
Power dissipation: 190W
Drain-source voltage: 200V
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 817 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+2.1 EUR
38+1.92 EUR
42+1.73 EUR
50+1.52 EUR
100+1.32 EUR
250+1.1 EUR
500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
298+1.85 EUR
Mindestbestellmenge: 298 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+1.34 EUR
110+1.31 EUR
116+1.22 EUR
500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFXKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRFB4227PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.0197 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0197ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 724 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+1.83 EUR
81+1.79 EUR
100+1.59 EUR
500+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFXKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+2.8 EUR
41+1.76 EUR
47+1.53 EUR
52+1.39 EUR
100+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Part Status: Active
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
298+1.85 EUR
500+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 298 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET >60-400V
auf Bestellung 1223 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.38 EUR
10+2.46 EUR
100+1.92 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.44 EUR
2000+1.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 538 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+1.35 EUR
110+1.29 EUR
115+1.18 EUR
500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4228Infineon / IRMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4228International RectifierN-MOSFET 83A 180V 330W 0.012Ω IRFB4228 TIRFB4228
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+8 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4228PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 150V 83A 15mOhm 72nC
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.43 EUR
10+5.86 EUR
500+3.17 EUR
1000+2.68 EUR
2000+2.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4228PBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
198+2.78 EUR
500+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4228PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1511 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
198+2.78 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4228PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 83A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4228PBFInfineonMOSFET N-CH 150V 83A TO220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4228PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
198+2.78 EUR
500+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4228PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+5.7 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4228PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4228PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 83 A, 0.015 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
auf Bestellung 328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4228PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4228PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4228PBFXKMA1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4228PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4229Infineon / IRMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4229PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+6.33 EUR
25+5.97 EUR
50+5.62 EUR
100+5.31 EUR
250+5.07 EUR
500+4.86 EUR
1000+4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4229PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 46A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 46A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+3.36 EUR
34+2.12 EUR
50+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4229PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 336 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
336+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 336 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4229PBF
Produktcode: 118259
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4229PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 344 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.11 EUR
100+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4229PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4229PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+2.72 EUR
500+2.41 EUR
1000+2.18 EUR
10000+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4229PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4229PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 46 A, 0.046 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
auf Bestellung 839 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4229PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+4.85 EUR
50+4.05 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4229PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 336 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 336 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4229PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 46A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
auf Bestellung 935 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.19 EUR
50+2.61 EUR
100+2.36 EUR
500+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4229PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+2.72 EUR
500+2.41 EUR
1000+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4229PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2427 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+2.01 EUR
91+1.56 EUR
100+1.47 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4229PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+4.69 EUR
57+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4229PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 250V 46A 46mOhm 72nC Qg
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4229PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2427 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+2.01 EUR
91+1.59 EUR
100+1.53 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4229PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1627 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+2.72 EUR
500+2.41 EUR
1000+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4229PBFXKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRFB4229PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 46 A, 0.046 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 946 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4229PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
auf Bestellung 993 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.8 EUR
50+2.52 EUR
100+2.29 EUR
500+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4229PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET >60-400V
auf Bestellung 1723 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.54 EUR
10+2.8 EUR
100+2.53 EUR
500+2.06 EUR
1000+2.02 EUR
2000+1.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4229PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4229PBFXKMA1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4233PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 230V 56A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 230 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5510 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4233PBFInfineon TechnologiesMOSFETs PDP SWITCH 230V 1 N-CH HEXFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB42N20DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 44A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB42N20DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB42N20DPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 220, Id = 44 A, Ptot, Вт = 330, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 3430 @ 25, Qg, нКл = 140 @ 10 В, Rds = 55 мОм @ 26 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB42N20DPBFInfineon / IRMOSFET 200V SINGLE N-CH 55m Ohms 91nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB42N20DPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB42N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 42.6 A, 0.055 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 42.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 300
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB42N20DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 44A TO220AB
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB42N20DPBFInternational RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
irfb4310International RectifierN-MOSFET HEXFET 140A 100V 330W 0.007Ω IRFB4310 TIRFB4310
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.08 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310
Produktcode: 126728
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
auf Bestellung 1 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 22 44 66 88 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 132 154 176 198 220 223  [ Nächste Seite >> ]