Produkte > IRF

Wählen Sie Seite:    << Vorherige Seite ]  1 22 44 66 88 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 132 154 176 198 220 225  Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRFB4137PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4137PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 38 A, 0.069 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.17 EUR
61+3.81 EUR
100+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4137PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+6.97 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4137PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 300, Id = 38, Ciss, пФ @ Uds, В = 5168 @ 50, Qg, нКл = 125, Rds = 69 мОм, Ugs(th) = 5 В, Р, Вт = 341, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4137PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+6.97 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4137PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 300V 38A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5168 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4137PBF
Produktcode: 58576
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4137PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 300V, 40A, 69 mOhm 83 nC Qg, TO-220AB
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.64 EUR
10+3.08 EUR
100+3.01 EUR
500+2.93 EUR
1000+2.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4137PBFAKSA1Infineon TechnologiesDescription: IR FET >60-400V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4137PBFAKSA1Infineon Technologies IR FET >60-400V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4137PBFAKSA1Infineon TechnologiesIRFB4137PBFAKSA1
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB41N15DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 41A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB41N15DPBFInfineon / IRMOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 72nC
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB41N15DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB41N15DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 41A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB41N15DPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 150V 41A TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB41N15DPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB41N15DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 41 A, 0.045 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 41
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4212IR
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4212Infineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4212
Produktcode: 99478
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 13 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 72,5 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 550/15
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.19 EUR
10+1.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4212PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4212PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 18A 72.5mOhm 15nC Qg
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4212PBFIR08+ DO-35
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4215Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 115A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4215PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 115A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 54A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4215PBFIR
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227International RectifierN-MOSFET 65A 200V 330W 0.0197Ω IRFB4227; IRFB4227XKMA1; IRFB4227; IRFB4227 TIRFB4227
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.82 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227Infineon / IRMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 77855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+3.99 EUR
71+2.38 EUR
100+2.06 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 77854 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.94 EUR
72+2.4 EUR
100+2.12 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.45 EUR
62+2.71 EUR
100+2.27 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 12378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFInternational RectifierTO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBF
Produktcode: 25579
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 130 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,197 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4600/70
Montage: THT
verfügbar: 3 St.
  • 3 St. - stock Köln
auf Bestellung: 62 St.
  • 62 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+8.82 EUR
10+7.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4227PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.024 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 2660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.54 EUR
31+7.72 EUR
100+3.69 EUR
500+3 EUR
1000+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+3.11 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 65A 26mOhm 70nC Qg
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.45 EUR
62+2.77 EUR
100+2.37 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 12600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 12378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+2.5 EUR
82+2.07 EUR
100+1.94 EUR
500+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальный ПТ, Id = 65 A, Ptot, Вт = 330, Vdss В = 200, Тип монт. = выводной, Rds = 24 mOhm @ 46A, 10V, Ciss @ Vds = 4600pF @ 25V, Qg,нКл = 98nC @ 10V, Vgs(th) = 5V @ 250µA,... Транзистори Корпус: TO-220AB Очікується: 1000 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 26mΩ
Power dissipation: 190W
Gate charge: 70nC
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±30V
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+2.5 EUR
38+2.28 EUR
42+2.06 EUR
50+1.81 EUR
100+1.57 EUR
250+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.86 EUR
50+4.61 EUR
100+4.36 EUR
250+4.13 EUR
500+3.95 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
auf Bestellung 4876 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.51 EUR
10+4.24 EUR
50+3.26 EUR
100+2.95 EUR
500+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+3.11 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.5 EUR
10000+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET >60-400V
auf Bestellung 5451 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.41 EUR
10+3.22 EUR
100+2.92 EUR
500+2.37 EUR
1000+2.18 EUR
2000+2.15 EUR
5000+1.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.69 EUR
62+2.71 EUR
100+2.07 EUR
500+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 434 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.67 EUR
84+2.05 EUR
100+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFXKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+3.33 EUR
41+2.09 EUR
47+1.82 EUR
52+1.65 EUR
100+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Part Status: Active
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
auf Bestellung 1056 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.51 EUR
10+4.24 EUR
50+3.26 EUR
100+2.95 EUR
500+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+2.7 EUR
83+2.03 EUR
100+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.7 EUR
62+2.77 EUR
100+2.15 EUR
500+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFXKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRFB4227PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.0197 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0197ohm
auf Bestellung 612 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.9 EUR
62+3.76 EUR
100+2.95 EUR
500+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+3.11 EUR
500+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4228International RectifierN-MOSFET 83A 180V 330W 0.012Ω IRFB4228 TIRFB4228
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+9.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4228PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 83A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4228PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1511 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
198+3.31 EUR
500+3.08 EUR
1000+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4228PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 968 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+6.58 EUR
29+5.89 EUR
500+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4228PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
198+3.31 EUR
500+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4228PBFInfineonMOSFET N-CH 150V 83A TO220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4228PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+7.34 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4228PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4228PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 83 A, 0.015 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.27 EUR
30+7.94 EUR
100+5.41 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4228PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 150V 83A 15mOhm 72nC
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.84 EUR
10+6.97 EUR
500+3.77 EUR
1000+3.19 EUR
2000+3.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4228PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 968 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+6.58 EUR
29+6.02 EUR
500+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4228PBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
198+3.31 EUR
500+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4228PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4228PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4228PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4228PBFXKMA1
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4229Infineon / IRMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4229PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 46A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 46A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+4.43 EUR
26+3.3 EUR
32+2.68 EUR
35+2.46 EUR
50+2.25 EUR
100+2.07 EUR
200+1.93 EUR
500+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4229PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+3.57 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4229PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1627 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+3.24 EUR
500+2.87 EUR
1000+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4229PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4229PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4229PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 46 A, 0.046 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
auf Bestellung 815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.43 EUR
44+5.38 EUR
100+3.83 EUR
500+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4229PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.5 EUR
60+2.84 EUR
100+2.49 EUR
500+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4229PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+3.24 EUR
500+2.87 EUR
1000+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4229PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 46A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
auf Bestellung 764 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.13 EUR
10+5.34 EUR
50+4.15 EUR
100+3.76 EUR
500+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4229PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 250V 46A 46mOhm 72nC Qg
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4229PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4229PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4229PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4229PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 336 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.59 EUR
61+2.84 EUR
100+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4229PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+7.53 EUR
25+7.1 EUR
50+6.69 EUR
100+6.32 EUR
250+6.03 EUR
500+5.78 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4229PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 336 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.59 EUR
61+2.78 EUR
100+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4229PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.53 EUR
59+2.93 EUR
100+2.61 EUR
500+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4229PBF
Produktcode: 118259
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
1+4.51 EUR
10+3.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4229PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4229PBFXKMA1
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4229PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4229PBFXKMA1
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4229PBFXKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRFB4229PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 46 A, 0.046 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
auf Bestellung 424 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+7.88 EUR
51+4.57 EUR
100+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4229PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
auf Bestellung 852 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.15 EUR
50+4.16 EUR
100+3.77 EUR
500+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4229PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET >60-400V
auf Bestellung 974 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.27 EUR
10+5.43 EUR
100+4.06 EUR
500+3.5 EUR
1000+2.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4233PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 230V 56A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 230 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5510 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4233PBFInfineon TechnologiesMOSFETs PDP SWITCH 230V 1 N-CH HEXFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB42N20DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 44A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB42N20DPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 220, Id = 44 A, Ptot, Вт = 330, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 3430 @ 25, Qg, нКл = 140 @ 10 В, Rds = 55 мОм @ 26 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB42N20DPBFInfineon / IRMOSFET 200V SINGLE N-CH 55m Ohms 91nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB42N20DPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB42N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 42.6 A, 0.055 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 42.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 300
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:    << Vorherige Seite ]  1 22 44 66 88 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 132 154 176 198 220 225  Nächste Seite >> ]