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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRFB4115PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4115PBFXKMA1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4115PBFXKMA1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115PBFXKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRFB4115PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 104 A, 0.011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 380W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.29 EUR
53+4.4 EUR
100+3.69 EUR
500+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4115PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
auf Bestellung 534 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.54 EUR
10+4.95 EUR
50+3.83 EUR
100+3.47 EUR
500+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127International RectifierN-MOSFET 76A 200V 375W 0.017Ω IRFB4127 TIRFB4127
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+10.03 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127Infineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.71 EUR
32+5.39 EUR
50+5.07 EUR
100+4.78 EUR
250+4.57 EUR
500+4.38 EUR
1000+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 200V 76A TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 76A 20mOhm 100nC Qg
auf Bestellung 5478 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.98 EUR
10+4.82 EUR
100+4.38 EUR
500+3.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.13 EUR
43+3.93 EUR
100+2.89 EUR
500+2.31 EUR
1000+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4127PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 76 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 1290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12 EUR
38+6.25 EUR
100+5.52 EUR
500+4.76 EUR
1000+4.37 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 76A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.23 EUR
10+6.12 EUR
50+4.77 EUR
100+4.34 EUR
500+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.06 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 76A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 76A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.08 EUR
43+3.99 EUR
100+2.99 EUR
500+2.42 EUR
1000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.06 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBF
Produktcode: 37966
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 В
Drain-Strom Idd, A: 76 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 17 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5380/100
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+3.33 EUR
10+2.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBFXKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRFB4127PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 76 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.68 EUR
44+5.3 EUR
100+3.43 EUR
500+2.81 EUR
1000+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4127PBFXKMA1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 76A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V
auf Bestellung 1149 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.23 EUR
10+6.12 EUR
50+4.77 EUR
100+4.34 EUR
500+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4127PBFXKMA1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4127PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET >60-400V
auf Bestellung 1459 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.28 EUR
10+4.82 EUR
100+4.38 EUR
500+3.62 EUR
1000+3.61 EUR
2000+3.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4137Infineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4137PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 300V, 40A, 69 mOhm 83 nC Qg, TO-220AB
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.64 EUR
10+3.08 EUR
100+3.01 EUR
500+2.93 EUR
1000+2.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4137PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.84 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4137PBFEupecTO-220PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4137PBF
Produktcode: 58576
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4137PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4137PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 38 A, 0.069 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.17 EUR
61+3.81 EUR
100+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4137PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.84 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4137PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 300V 38A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5168 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4137PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 300, Id = 38, Ciss, пФ @ Uds, В = 5168 @ 50, Qg, нКл = 125, Rds = 69 мОм, Ugs(th) = 5 В, Р, Вт = 341, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4137PBFAKSA1Infineon TechnologiesDescription: IR FET >60-400V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4137PBFAKSA1Infineon Technologies IR FET >60-400V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4137PBFAKSA1Infineon TechnologiesIRFB4137PBFAKSA1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB41N15DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 41A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB41N15DPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB41N15DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 41 A, 0.045 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 41
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB41N15DPBFInfineon / IRMOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 72nC
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB41N15DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB41N15DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 41A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB41N15DPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 150V 41A TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4212
Produktcode: 99478
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 13 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 72,5 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 550/15
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.19 EUR
10+1.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4212IR
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4212Infineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4212PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4212PBFIR08+ DO-35
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4212PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 18A 72.5mOhm 15nC Qg
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IRFB4215Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 115A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V
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IRFB4215PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 115A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 54A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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IRFB4215PBFIR
auf Bestellung 9000 Stücke:
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IRFB4227Infineon / IRMOSFETs
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IRFB4227International RectifierN-MOSFET 65A 200V 330W 0.0197Ω IRFB4227; IRFB4227XKMA1; IRFB4227; IRFB4227 TIRFB4227
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
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10+5.76 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 67851 Stücke:
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44+3.94 EUR
71+2.39 EUR
111+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4438 Stücke:
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31+5.6 EUR
60+2.77 EUR
100+2.62 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 12378 Stücke:
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85+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
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IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
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210+3.07 EUR
500+2.74 EUR
1000+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
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IRFB4227PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 528 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+2.42 EUR
38+2.26 EUR
50+1.74 EUR
57+1.51 EUR
60+1.43 EUR
100+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 272 Stücke:
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210+3.07 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
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IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4438 Stücke:
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31+5.6 EUR
60+2.84 EUR
100+2.71 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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IRFB4227PBFInternational RectifierTO-220AB Транзистори
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IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 19600 Stücke:
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1000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFB4227PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 65A 26mOhm 70nC Qg
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IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 12378 Stücke:
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84+2.06 EUR
85+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
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IRFB4227PBF
Produktcode: 25579
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 130 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,197 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4600/70
Montage: THT
verfügbar: 3 St.
  • 3 St. - stock Köln
auf Bestellung: 53 St.
  • 53 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+8.82 EUR
10+7.79 EUR
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IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 19000 Stücke:
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1000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFB4227PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4227PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.024 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 3055 Stücke:
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27+9.47 EUR
41+5.71 EUR
100+3.69 EUR
500+2.98 EUR
1000+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.8 EUR
50+4.56 EUR
100+4.31 EUR
250+4.08 EUR
500+3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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IRFB4227PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
auf Bestellung 3955 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.39 EUR
10+4.15 EUR
50+3.2 EUR
100+2.89 EUR
500+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+3.07 EUR
500+2.74 EUR
1000+2.46 EUR
10000+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
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IRFB4227PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальный ПТ, Id = 65 A, Ptot, Вт = 330, Vdss В = 200, Тип монт. = выводной, Rds = 24 mOhm @ 46A, 10V, Ciss @ Vds = 4600pF @ 25V, Qg,нКл = 98nC @ 10V, Vgs(th) = 5V @ 250µA,... Транзистори Корпус: TO-220AB Очікується: 1000 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFB4227PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 67855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+3.93 EUR
71+2.33 EUR
112+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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IRFB4227PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.82 EUR
60+2.84 EUR
61+2.75 EUR
100+2.15 EUR
500+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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IRFB4227PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET >60-400V
auf Bestellung 4373 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.41 EUR
10+3.22 EUR
100+2.92 EUR
500+2.37 EUR
1000+2.18 EUR
2000+2.15 EUR
5000+1.98 EUR
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IRFB4227PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+3.07 EUR
500+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
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IRFB4227PBFXKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRFB4227PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.0197 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0197ohm
auf Bestellung 494 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.57 EUR
59+3.99 EUR
100+3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Part Status: Active
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
auf Bestellung 546 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.39 EUR
10+4.15 EUR
50+3.2 EUR
100+2.89 EUR
500+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.82 EUR
60+2.78 EUR
61+2.65 EUR
100+2.05 EUR
500+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+4.94 EUR
61+2.78 EUR
62+2.7 EUR
100+2.08 EUR
500+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4227PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+4.93 EUR
62+2.59 EUR
100+1.96 EUR
500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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IRFB4227PBFXKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+3.33 EUR
41+2.09 EUR
47+1.82 EUR
52+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4228International RectifierN-MOSFET 83A 180V 330W 0.012Ω IRFB4228 TIRFB4228
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+9.22 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4228PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 83A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4228PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
198+3.27 EUR
500+3.05 EUR
1000+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4228PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 968 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+6.47 EUR
29+5.93 EUR
500+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4228PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
198+3.27 EUR
500+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4228PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.71 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4228PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 968 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+6.52 EUR
29+5.84 EUR
500+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4228PBFInfineonMOSFET N-CH 150V 83A TO220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4228PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 150V 83A 15mOhm 72nC
auf Bestellung 131 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.84 EUR
10+7.98 EUR
500+3.77 EUR
1000+3.19 EUR
2000+3.17 EUR
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IRFB4228PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
198+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
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IRFB4228PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
198+3.27 EUR
500+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
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IRFB4228PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4228PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 83 A, 0.015 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.54 EUR
31+7.72 EUR
100+5.46 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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IRFB4228PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
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IRFB4228PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4228PBFXKMA1
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFB4228PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V
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IRFB4229Infineon / IRMOSFETs
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IRFB4229PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.47 EUR
59+2.82 EUR
100+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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IRFB4229PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.15 EUR
2000+2 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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