Produkte > IRF

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 22 44 66 88 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 132 154 176 198 220 223  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRFB4310GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+2.85 EUR
500+2.52 EUR
1000+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 193 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310PBF
Produktcode: 172846
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 130 A, Ptot, Вт = 300, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 7670 @ 50, Qg, нКл = 250 @ 10 В, Rds = 7 мОм @ 75 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC
auf Bestellung 1360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.16 EUR
10+4.05 EUR
100+3.01 EUR
500+2.52 EUR
1000+2.32 EUR
2000+2.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4310PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 130 A, 0.0056 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 130
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 300
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+2.51 EUR
62+2.33 EUR
100+1.96 EUR
500+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310PBFInternational RectifierTO-220, Trans MOSFET N-CH, Vds=100V, Id=140A, Rds(on)=5.6mOm, -55...+175 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 170nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 330W
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+3.42 EUR
40+1.82 EUR
50+1.52 EUR
100+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2598 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+2.56 EUR
61+2.37 EUR
100+1.98 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.76 EUR
2000+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V
auf Bestellung 29844 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.64 EUR
50+3.34 EUR
100+3.02 EUR
500+2.46 EUR
1000+2.28 EUR
2000+2.13 EUR
5000+1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+2.55 EUR
62+2.31 EUR
100+1.89 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.62 EUR
2000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310ZUMWDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
auf Bestellung 959 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.1 EUR
10+3.31 EUR
100+2.3 EUR
500+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310Z
Produktcode: 128127
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310ZInfineon TechnologiesArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310ZGPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310ZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 0.12µC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 250W
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+3.35 EUR
31+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+4.53 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310ZPBF
Produktcode: 145200
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 127A 6mOhm 120nC Qg
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+4.53 EUR
50+4.3 EUR
100+4.06 EUR
250+3.85 EUR
500+3.69 EUR
1000+3.54 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V
auf Bestellung 5246 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.64 EUR
10+4.33 EUR
100+3.03 EUR
500+2.47 EUR
1000+2.29 EUR
2000+2.14 EUR
5000+1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310ZPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 120 А, Ptot, Вт = 250, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 6860 @ 50, Qg, нКл = 170 @ 10 В, Rds = 6 мОм @ 75 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 150 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4310ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 127 A, 6000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+4.96 EUR
39+3.7 EUR
100+2.63 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 130 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310ZPBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.037mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310ZPBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4310ZPBFXKMA1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310ZPBFXKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310ZPBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET >60-400V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4321IR10+ T0-220
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4321Infineon / IRMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4321
Produktcode: 99479
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 150
Idd,A: 85
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4460/71
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.92 EUR
10+1.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4321InfineonN-MOSFET HEXFET 83A 150V 330W 0.015? IRFB4321; IRFB4321 TIRFB4321
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+5.08 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4321GPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 150V 83A 15mOhm 71nC
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4321GPBFInternational RectifierTO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4321GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 83A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4321PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+6.29 EUR
34+4.26 EUR
100+2.88 EUR
500+2.22 EUR
1000+1.99 EUR
2000+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4321PBFInternational RectifierN-MOSFET; полевой; 150В 83А 330Вт TO220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4321PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+4.97 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4321PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4321PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 83 A, 0.015 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4321PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 131 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+3.69 EUR
28+2.57 EUR
36+1.99 EUR
50+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4321PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4639 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+5.63 EUR
36+4.09 EUR
100+2.9 EUR
500+2.32 EUR
1000+2.14 EUR
2000+2 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4321PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 85A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 50 V
auf Bestellung 1383 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.72 EUR
10+3.75 EUR
100+2.63 EUR
500+2.15 EUR
1000+2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4321PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4321PBFInternational RectifierTO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4321PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 150V 83A 15mOhm 71nC Qg
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4321PBF
Produktcode: 165134
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4321PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+6.34 EUR
33+4.39 EUR
100+3.01 EUR
500+2.36 EUR
1000+2.18 EUR
2000+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4321PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4332International RectifierN-MOSFET 60A 250V 390W 0.033Ω IRFB4332 TIRFB4332
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+6.49 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4332Infineon / IRMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4332PbFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4332PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 554 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+5.06 EUR
50+2.89 EUR
100+2.57 EUR
500+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4332PBF
Produktcode: 52140
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 250 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 29 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5860/99
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+2.26 EUR
10+2.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4332PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 471 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+6.67 EUR
25+6.29 EUR
50+5.92 EUR
100+5.59 EUR
250+5.34 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4332PbFInternational RectifierMOSFET N-CH 250V 60A TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4332PbFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 250V 60A 33mOhm 99nC Qg
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4332PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4332PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 60 A, 0.033 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 461 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4332PbFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+2.82 EUR
29+2.47 EUR
33+2.23 EUR
50+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4332PBFXKMA1Infineon Technologies TRENCH >=100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4332PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4332PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4332PBFXKMA1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB438PBFInfineon Technologies
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB438PBFInfineon TechnologiesIRFB438PBF- HEXFETPower MOSFET
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+2.85 EUR
500+2.52 EUR
1000+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 193 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB438PBFInfineon TechnologiesIRFB438PBF- HEXFETPower MOSFET
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+2.85 EUR
500+2.52 EUR
1000+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 193 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 96A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410International RectifierN-MOSFET 88A 100V IRFB4410 TIRFB4410
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.76 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410
Produktcode: 211278
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 96 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5150/120
JHGF: THT
auf Bestellung 71 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410PBFInternational RectifierN-Channel HEXFET, TO-220, 100V Транзистори
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+5.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 23730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
118+1.24 EUR
133+1.06 EUR
137+1 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 23730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+1.11 EUR
136+1.07 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4410PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 96 A, 0.01 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
auf Bestellung 3336 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 96A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 972 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+2.45 EUR
36+2.02 EUR
55+1.32 EUR
100+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410PBF
Produktcode: 72936
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 96 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5150/120
JHGF: THT
auf Bestellung 15 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 96A 10mOhm 120nC
auf Bestellung 3712 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.68 EUR
10+3.03 EUR
100+2.09 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.62 EUR
2000+1.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 88A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V
auf Bestellung 2535 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.1 EUR
50+2.02 EUR
100+1.82 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.35 EUR
2000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410Z
Produktcode: 40049
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410ZInternational RectifierN-MOSFET 97A 100V 230W 0.0072Ω IRFB4410Z TIRFB4410z
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+4.44 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410ZInfineon Technologies
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410ZInternational RectifierN-MOSFET 97A 100V 230W 0.0072Ω IRFB4410Z TIRFB4410z
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+4.44 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410ZInternational RectifierN-MOSFET 97A 100V 230W 0.0072Ω IRFB4410Z TIRFB4410z
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+4.44 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410ZGPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+2.47 EUR
500+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410ZGPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410ZGPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+2.47 EUR
500+2.2 EUR
1000+1.97 EUR
10000+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410ZGPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410ZGPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+2.47 EUR
500+2.2 EUR
1000+1.97 EUR
10000+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410ZGPBFInternational RectifierDescription: IRFB4410 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+8.96 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410ZPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 97 А, Ptot, Вт = 230, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 4820 @ 50, Qg, нКл = 120 @ 10 В, Rds = 9 мОм @ 58 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 150 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Очікується: 300
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4410ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 9000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
auf Bestellung 924 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410ZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 97A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1641 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+2.07 EUR
40+1.82 EUR
52+1.39 EUR
58+1.24 EUR
66+1.09 EUR
100+0.97 EUR
200+0.89 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4410ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
147+1 EUR
Mindestbestellmenge: 147 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 22 44 66 88 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 132 154 176 198 220 223  [ Nächste Seite >> ]