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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRFB4229PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFB4229PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.47 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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IRFB4229PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 262 Stücke:
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210+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4229PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 46A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
auf Bestellung 730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.13 EUR
10+5.34 EUR
50+4.15 EUR
100+3.76 EUR
500+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRFB4229PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.31 EUR
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IRFB4229PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.47 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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IRFB4229PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4229PBF
Produktcode: 118259
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
1+4.51 EUR
10+3.82 EUR
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IRFB4229PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFB4229PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4229PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 46 A, 0.046 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
auf Bestellung 758 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.67 EUR
33+7.1 EUR
100+4.63 EUR
500+3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4229PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+7.53 EUR
25+7.1 EUR
50+6.69 EUR
100+6.32 EUR
250+6.03 EUR
500+5.78 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4229PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.3 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4229PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.13 EUR
10+5.34 EUR
50+4.15 EUR
100+3.76 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4229PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4229PBFXKMA1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4229PBFXKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRFB4229PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 46 A, 0.046 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
auf Bestellung 422 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.65 EUR
51+4.62 EUR
100+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4229PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET >60-400V
auf Bestellung 802 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8 EUR
10+4.08 EUR
100+3.71 EUR
500+3.39 EUR
1000+2.98 EUR
2000+2.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4229PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4229PBFXKMA1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFB4233PBFInfineon TechnologiesMOSFETs PDP SWITCH 230V 1 N-CH HEXFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4233PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 230V 56A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 230 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5510 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB42N20DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 44A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB42N20DPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB42N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 42.6 A, 0.055 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 42.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 300
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB42N20DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB42N20DPBFInternational RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB42N20DPBFInfineon / IRMOSFET 200V SINGLE N-CH 55m Ohms 91nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB42N20DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 44A TO220AB
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB42N20DPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 220, Id = 44 A, Ptot, Вт = 330, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 3430 @ 25, Qg, нКл = 140 @ 10 В, Rds = 55 мОм @ 26 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
irfb4310International RectifierN-MOSFET HEXFET 140A 100V 330W 0.007Ω IRFB4310 TIRFB4310
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310
Produktcode: 126728
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Transistoren > MOSFET N-CH
auf Bestellung: 1 St.
  • 1 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V
auf Bestellung 24724 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.77 EUR
10+5.8 EUR
50+4.5 EUR
100+4.09 EUR
500+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.91 EUR
53+3.25 EUR
57+2.95 EUR
100+2.4 EUR
500+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.43 EUR
52+3.24 EUR
57+2.88 EUR
100+2.28 EUR
500+2 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310PBFInternational RectifierTO-220, Trans MOSFET N-CH, Vds=100V, Id=140A, Rds(on)=5.6mOm, -55...+175 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+3.26 EUR
500+3.05 EUR
1000+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.73 EUR
10+4.55 EUR
100+4.13 EUR
500+3.39 EUR
1000+3.19 EUR
2000+3.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.91 EUR
53+3.18 EUR
57+2.84 EUR
100+2.27 EUR
500+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4310PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 130 A, 0.0056 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 130
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 300
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 7mΩ
Power dissipation: 330W
Gate charge: 170nC
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 130 A, Ptot, Вт = 300, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 7670 @ 50, Qg, нКл = 250 @ 10 В, Rds = 7 мОм @ 75 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.41 EUR
52+3.31 EUR
57+2.99 EUR
100+2.4 EUR
500+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310PBF
Produktcode: 172846
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
1+2.55 EUR
10+2.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2081 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310ZInfineon TechnologiesArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310Z
Produktcode: 128127
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRFB4310ZUMWDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
auf Bestellung 959 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.07 EUR
10+3.94 EUR
100+2.74 EUR
500+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRFB4310ZGPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V
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IRFB4310ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.31 EUR
41+4.13 EUR
50+3.24 EUR
100+2.61 EUR
500+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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IRFB4310ZPBF
Produktcode: 145200
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRFB4310ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4310ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 127 A, 6000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.17 EUR
42+5.57 EUR
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IRFB4310ZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 250W
Gate charge: 0.12µC
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFB4310ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 12017 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+7.1 EUR
39+4.39 EUR
50+3.36 EUR
100+2.67 EUR
500+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IRFB4310ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4310ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.43 EUR
2000+2.36 EUR
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IRFB4310ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+5.39 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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IRFB4310ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 127A 6mOhm 120nC Qg
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IRFB4310ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1788 Stücke:
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28+6.31 EUR
41+4.22 EUR
50+3.36 EUR
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IRFB4310ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.43 EUR
2000+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFB4310ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V
auf Bestellung 5172 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.44 EUR
10+4.88 EUR
50+3.77 EUR
100+3.43 EUR
500+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRFB4310ZPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 120 А, Ptot, Вт = 250, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 6860 @ 50, Qg, нКл = 170 @ 10 В, Rds = 6 мОм @ 75 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 150 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFB4310ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 12012 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+7.08 EUR
39+4.47 EUR
50+3.49 EUR
100+2.81 EUR
500+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IRFB4310ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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IRFB4310ZPBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4310ZPBFXKMA1
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFB4310ZPBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET >60-400V
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IRFB4310ZPBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.037mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFB4310ZPBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFB4310ZPBFXKMA1
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFB4310ZPBFXKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRFB4310ZPBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 127 A, 0.006 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9 EUR
43+5.47 EUR
100+3.77 EUR
500+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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IRFB4310ZPBFXKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFB4321InfineonN-MOSFET HEXFET 83A 150V 330W 0.015? IRFB4321; IRFB4321 TIRFB4321
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+5.93 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRFB4321IR10+ T0-220
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFB4321
Produktcode: 99479
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 V
Drain-Strom Idd, A: 85 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4460/71
Montage: THT
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1+2.28 EUR
10+2 EUR
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IRFB4321Infineon / IRMOSFETs
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IRFB4321GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 83A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 25 V
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IRFB4321GPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 150V 83A 15mOhm 71nC
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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IRFB4321GPBFInternational RectifierTO-220 Транзистори
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IRFB4321PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4321PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4639 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.77 EUR
35+4.82 EUR
100+3.38 EUR
500+2.65 EUR
1000+2.4 EUR
2000+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4321PBFInternational RectifierN-MOSFET; полевой; 150В 83А 330Вт TO220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4321PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 546 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+7.43 EUR
34+5.06 EUR
100+3.44 EUR
500+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4321PBF
Produktcode: 165134
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4321PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4321PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 83 A, 0.015 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
auf Bestellung 593 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+13.09 EUR
29+8.06 EUR
100+5.25 EUR
500+4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4321PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4321PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4639 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4321PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4639 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.81 EUR
35+4.95 EUR
100+3.53 EUR
500+2.82 EUR
1000+2.62 EUR
2000+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4321PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 85A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 50 V
auf Bestellung 1701 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.96 EUR
10+5.91 EUR
50+4.61 EUR
100+4.19 EUR
500+3.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4321PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 546 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+7.43 EUR
34+5.18 EUR
100+3.57 EUR
500+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4321PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.59 EUR
33+5.28 EUR
100+3.65 EUR
500+2.87 EUR
1000+2.65 EUR
2000+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4321PBFInternational RectifierTO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4321PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.91 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4321PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 150V 83A 15mOhm 71nC Qg
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4321PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3116 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.59 EUR
33+5.16 EUR
100+3.51 EUR
500+2.71 EUR
1000+2.44 EUR
2000+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4332International RectifierN-MOSFET 60A 250V 390W 0.033Ω IRFB4332 TIRFB4332
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.57 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4332Infineon / IRMOSFETs
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IRFB4332PbFInternational RectifierIRFB4332PBF MOSFET N-CH 250V 60A TO-220AB Транзистори
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IRFB4332PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4332PbFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 250V 60A 33mOhm 99nC Qg
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IRFB4332PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4332PbFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 25 V
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IRFB4332PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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