Produkte > irf
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| IRFB4137PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4137PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 300V 38A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 341W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5168 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4137PBF Produktcode: 58576
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRFB4137PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 300V, 40A, 69 mOhm 83 nC Qg, TO-220AB | auf Bestellung 398 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB4137PBF | Eupec | TO-220PAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4137PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4137PBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 300, Id = 38, Ciss, пФ @ Uds, В = 5168 @ 50, Qg, нКл = 125, Rds = 69 мОм, Ugs(th) = 5 В, Р, Вт = 341, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4137PBFAKSA1 | Infineon Technologies | IRFB4137PBFAKSA1 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4137PBFAKSA1 | Infineon Technologies | Description: IR FET >60-400V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4137PBFAKSA1 | Infineon Technologies | IR FET >60-400V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB41N15D | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 41A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB41N15DPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 150V 41A TO-220AB Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB41N15DPBF | Infineon / IR | MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 72nC | auf Bestellung 99 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB41N15DPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB41N15DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 41 A, 0.045 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150 Dauer-Drainstrom Id: 41 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 200 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 5.5 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB41N15DPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB41N15DPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 41A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4212 | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4212 Produktcode: 99478
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V Drain-Strom Idd, A: 13 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 72,5 mOhm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 550/15 Montage: THT | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFB4212 | IR | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRFB4212PBF | IR | 08+ DO-35 | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4212PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 18A TO220AB Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 13A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4212PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 18A 72.5mOhm 15nC Qg | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4215 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 115A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 54A, 10V Power Dissipation (Max): 270W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4215PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 115A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 270W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 54A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4215PBF | IR | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRFB4227 | Infineon / IR | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4227 | International Rectifier | N-MOSFET 65A 200V 330W 0.0197Ω IRFB4227; IRFB4227XKMA1; IRFB4227; IRFB4227 TIRFB4227 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFB4227PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 4438 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4227PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 12600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4227PBF | International Rectifier/Infineon | N-канальный ПТ, Id = 65 A, Ptot, Вт = 330, Vdss В = 200, Тип монт. = выводной, Rds = 24 mOhm @ 46A, 10V, Ciss @ Vds = 4600pF @ 25V, Qg,нКл = 98nC @ 10V, Vgs(th) = 5V @ 250µA,... Транзистори Корпус: TO-220AB Очікується: 1000 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4227PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 12378 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4227PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB4227PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.024 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 330W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm | auf Bestellung 2660 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4227PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4227PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 870 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4227PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V | auf Bestellung 4876 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB4227PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 11000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4227PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 77855 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4227PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4227PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 77854 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4227PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 4438 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4227PBF | International Rectifier | TO-220AB Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4227PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 65A Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 26mΩ Power dissipation: 190W Gate charge: 70nC Technology: HEXFET® Gate-source voltage: ±30V | auf Bestellung 268 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4227PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 12378 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4227PBF Produktcode: 25579
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V Drain-Strom Idd, A: 130 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,197 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4600/70 Montage: THT | verfügbar: 3 St.
auf Bestellung: 62 St.
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| IRFB4227PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4227PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 200V 65A 26mOhm 70nC Qg | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4227PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 302 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4227PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 976 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4227PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4227PBFXKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 65A Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 133 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4227PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 540 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4227PBFXKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IR FET >60-400V | auf Bestellung 5451 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB4227PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 976 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4227PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 434 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4227PBFXKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB4227PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.0197 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 330W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0197ohm | auf Bestellung 612 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4227PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Part Status: Active Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V | auf Bestellung 1056 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB4227PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 438 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4228 | International Rectifier | N-MOSFET 83A 180V 330W 0.012Ω IRFB4228 TIRFB4228 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFB4228PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 150V 83A 15mOhm 72nC | auf Bestellung 151 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB4228PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 968 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4228PBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 520 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4228PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB4228PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 83 A, 0.015 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 83A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 330W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm | auf Bestellung 307 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4228PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 83A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4228PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1511 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4228PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 968 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4228PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 620 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4228PBF | Infineon | MOSFET N-CH 150V 83A TO220AB Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4228PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4228PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-904 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4228PBFXKMA1 | Infineon Technologies | IRFB4228PBFXKMA1 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4228PBFXKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4229 | Infineon / IR | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4229PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 336 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4229PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4229PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 336 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4229PBF Produktcode: 118259
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFB4229PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 988 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4229PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1627 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4229PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4229PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 988 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4229PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4229PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 46A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V | auf Bestellung 764 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB4229PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 250V 46A 46mOhm 72nC Qg | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4229PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4229PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 46A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 46A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 46mΩ Mounting: THT Gate charge: 72nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® | auf Bestellung 1080 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4229PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 262 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4229PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4229PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB4229PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 46 A, 0.046 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 330W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm | auf Bestellung 815 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4229PBFXKMA1 | Infineon Technologies | IRFB4229PBFXKMA1 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4229PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V | auf Bestellung 852 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB4229PBFXKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IR FET >60-400V | auf Bestellung 974 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFB4229PBFXKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB4229PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 46 A, 0.046 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 330W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm | auf Bestellung 424 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4229PBFXKMA1 | Infineon Technologies | IRFB4229PBFXKMA1 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4233PBF | Infineon Technologies | MOSFETs PDP SWITCH 230V 1 N-CH HEXFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB4233PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 230V 56A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 230 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5510 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB42N20D | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 44A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB42N20DPBF | International Rectifier | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB42N20DPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 44A TO220AB FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 330W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 26A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFB42N20DPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB42N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 42.6 A, 0.055 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 42.6 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 300 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 5.5 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
