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MOSFET N-Ch 40V 100A TO220-3 OptiMOS-T2

auf Bestellung 366 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPP100N04S403DXKSA1

MOSFET N-CHANNEL_30/40V

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IPP100N04S4H2AKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3-1

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IPP100N06S205AKSA1

Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP100N06S205AKSA1

Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V

auf Bestellung 13300 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

200+	2.69 EUR

Mindestbestellmenge: 200 Stücke

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IPP100N06S205AKSA2

Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

auf Bestellung 16000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

293+	2.06 EUR

Mindestbestellmenge: 293 Stücke

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IPP100N06S205AKSA2

Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP100N06S2L-05

MOSFET N-Ch 55V 100A TO220-3 OptiMOS

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IPP100N06S2L-05

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP100N06S2L05AKSA1

Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP100N06S2L05AKSA2

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP100N06S2L05AKSA2

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	4.83 EUR
20+	4.36 EUR
50+	4.05 EUR

Mindestbestellmenge: 18 Stücke

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IPP100N06S2L05AKSA2

Description: INFINEON - IPP100N06S2L05AKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 100 A, 5900 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 408 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

22+	11.52 EUR
42+	5.57 EUR
100+	4.66 EUR

Mindestbestellmenge: 22 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N06S2L05AKSA2

Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 25 V

auf Bestellung 456 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	9.62 EUR
10+	6.38 EUR
100+	4.55 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N06S2L05AKSA2

Trans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP100N06S2L05AKSA2

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

auf Bestellung 495 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.59 EUR
10+	4.96 EUR
100+	4.55 EUR
500+	4.32 EUR
1000+	3.75 EUR

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IPP100N06S3-03

Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N06S3-04

Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14230 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 314 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N06S3L-03

Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26240 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 550 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 230µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N06S3L-04

Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 362 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N06S3L-04IN

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

500+	1.44 EUR

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP100N08N3 G

MOSFET N-Ch 80V 70A TO220-3 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP100N08N3G

Infineon technologies

auf Bestellung 465 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N08N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N08N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 80V 70A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 209 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.71 EUR
10+	3.08 EUR
100+	2.45 EUR
500+	2.07 EUR
1000+	1.67 EUR
5000+	1.62 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N08N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP100N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70 A, 0.0084 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 70A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N08N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N08S2-07

MOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS

auf Bestellung 267 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.6 EUR
10+	7.72 EUR
100+	6.34 EUR
500+	5.38 EUR
1000+	4.55 EUR
2500+	4.32 EUR
5000+	4.14 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N08S207AKSA1

Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 22200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

117+	4.72 EUR

Mindestbestellmenge: 117 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N08S207AKSA1

Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N08S2L-07

MOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS

auf Bestellung 245 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.52 EUR
10+	7.66 EUR
100+	6.28 EUR
500+	5.34 EUR
1000+	4.49 EUR
2500+	4.27 EUR
5000+	4.11 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N08S2L07AKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N08S2L07AKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N08S2L07AKSA1

Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 246 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N08S2L07AKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP100N08S2L07AKSA1

Description: INFINEON - IPP100N08S2L07AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.005 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 426 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

25+	10 EUR
40+	5.91 EUR
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IPP100N08S2L07AKSA1

MOSFETs N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS

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1+	10.58 EUR
10+	6.94 EUR
100+	5.21 EUR
500+	4.4 EUR
1000+	4.02 EUR

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IPP100N10S3-05

MOSFETs N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS-T

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1+	14.72 EUR
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100+	7.91 EUR
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IPP100N10S3-05
Produktcode: 176365

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPP100N10S305AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V

auf Bestellung 31 Stücke:

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2+	14.35 EUR
10+	9.67 EUR

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IPP100N10S305AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP100N10S305AKSA2

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

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Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP100N10S305AKSA2

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

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Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP100N12S305AKSA1

Description: MOSFET N-CHANNEL_100+

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IPP100N12S305AKSA1

Description: MOSFET N-CHANNEL_100+

auf Bestellung 1075 Stücke:

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119+	5 EUR

Mindestbestellmenge: 119 Stücke

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IPP100N12S305AKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Mindestbestellmenge: 7000 Stücke

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IPP100N12S305AKSA1

Description: INFINEON - IPP100N12S305AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.0043 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 6900 Stücke:

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57+	4.4 EUR

Mindestbestellmenge: 57 Stücke

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IPP100N12S305AKSA1

MOSFETs N-CHANNEL 100+

auf Bestellung 3730 Stücke:

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10+	5.09 EUR
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IPP100N12S305AKSA2

MOSFETs MOSFET_(120V 300V)

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IPP100N12S305AKSA2

Description: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

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Mindestbestellmenge: 7000 Stücke

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IPP100N18N3 G

MOSFET N-Ch 13A TO-220-3

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IPP100N18N3GXKSA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 8500 Stücke:

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92+	6.58 EUR

Mindestbestellmenge: 92 Stücke

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IPP100P03P3L-04

Description: MOSFET P-CH 30V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 475µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9300 pF @ 25 V

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Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP10N03L

09+

auf Bestellung 5030 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP10N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1639 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V

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IPP110N20N3 G

auf Bestellung 13000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP110N20N3 G

Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 2440 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11+	16.3 EUR
25+	15.33 EUR
50+	14.4 EUR
100+	13.58 EUR
250+	12.96 EUR
500+	12.41 EUR
1000+	11.83 EUR

Mindestbestellmenge: 11 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP110N20N3 G

MOSFETs N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 67 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.86 EUR
10+	7.12 EUR
100+	5.32 EUR
500+	4.44 EUR
1000+	3.89 EUR

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IPP110N20N3G

N-MOSFET 88A 200V 300W IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3G TIPP110n20n3g
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

4+	12.32 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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IPP110N20N3G

IPP110N20N3GXKSA1 MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3 Транзистори

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IPP110N20N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V

auf Bestellung 4874 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.56 EUR
10+	7.01 EUR
50+	5.49 EUR
100+	5 EUR
500+	4.14 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPP110N20N3GXKSA1

MOSFETs N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 67 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.64 EUR
10+	6.37 EUR
100+	5.13 EUR
500+	4.27 EUR
1000+	4.08 EUR
2500+	4.06 EUR

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IPP110N20N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP110N20N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.011 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm

auf Bestellung 579 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	13.32 EUR
36+	6.54 EUR
100+	5.41 EUR
500+	4.45 EUR

Mindestbestellmenge: 19 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP110N20N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP110N20N3GXKSA1
Produktcode: 144237

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPP110N20N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1015 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	9.15 EUR

Mindestbestellmenge: 20 Stücke

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IPP110N20N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP110N20N3GXKSA1

IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3G MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3 Транзистори

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IPP110N20N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1015 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

26+	6.79 EUR

Mindestbestellmenge: 26 Stücke

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IPP110N20N3GXKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3

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IPP110N20NA

MOSFET N-Ch 200V 88A TO220-3 Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP110N20NA

MOSFETs N-Ch 200V 88A TO220-3

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	15.58 EUR
10+	14.97 EUR
25+	11.69 EUR
100+	10.77 EUR
500+	9.13 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP110N20NAAKSA1

Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 416 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	13.68 EUR
15+	12.2 EUR
25+	10.82 EUR
50+	9.88 EUR
100+	9.04 EUR
250+	7.45 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP110N20NAAKSA1

Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

64+	10.35 EUR
100+	9.69 EUR
500+	8.97 EUR

Mindestbestellmenge: 64 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP110N20NAAKSA1

MOSFET TRENCH >=100V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP110N20NAAKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP110N20NAAKSA1

Description: MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP110N20NAAKSA1

Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 11960 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

64+	10.35 EUR
100+	9.69 EUR
500+	8.97 EUR
1000+	8.31 EUR
10000+	7.69 EUR

Mindestbestellmenge: 64 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP110N20NAAKSA1

Description: INFINEON - IPP110N20NAAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 126 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	15.7 EUR
50+	9.27 EUR
100+	9.08 EUR

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP110N20NAXK

MOSFETs N-Ch 200V 88A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP111N15N3 G

MOSFETs N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 1002 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7 EUR
10+	5.21 EUR
100+	4.3 EUR
500+	3.62 EUR
1000+	3.2 EUR
2500+	3.08 EUR
5000+	3.01 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP111N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 859 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

53+	3.33 EUR
57+	3.05 EUR
100+	2.83 EUR
500+	2.53 EUR

Mindestbestellmenge: 53 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP111N15N3GXKSA1

MOSFETs N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 729 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.06 EUR
10+	3.01 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP111N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 859 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

53+	3.3 EUR
57+	2.95 EUR
100+	2.69 EUR
500+	2.37 EUR

Mindestbestellmenge: 53 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP111N15N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 83A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 75 V

auf Bestellung 3883 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.5 EUR
50+	3.94 EUR
100+	3.78 EUR
500+	3.42 EUR
1000+	3.24 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP111N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP111N15N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP111N15N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 83 A, 9400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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IPP111N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP111N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP111N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP114N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

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IPP114N03LG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V

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IPP114N03LGHKSA1