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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STF33N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.108Ohm 26A MDmesh M2
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.27 EUR
10+4.25 EUR
100+3.81 EUR
500+3.17 EUR
1000+3.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF33N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF33N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF33N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.108 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 554 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+7.39 EUR
50+7.34 EUR
100+7.31 EUR
250+7.26 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF33N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF33N60M6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 15.8A; Idm: 78A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Pulsed drain current: 78A
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 35W
Gate-source voltage: ±25V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF33N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packag
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF33N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF33N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF33N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF33N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 100 V
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.04 EUR
50+4.14 EUR
100+3.76 EUR
500+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF33N65M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 96A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 41.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+4.28 EUR
23+3.84 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF33N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
auf Bestellung 999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.65 EUR
10+4.19 EUR
100+3.92 EUR
500+3.33 EUR
1000+3.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF34N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.098 Ohm 29A MDMesh M5 MOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF34N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF34N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 28A TO220FP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF34NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600V 0.092V Ohm 29A MDmesh II PWR MO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF34NM60NSTMicroelectronics
auf Bestellung 855 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF34NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 31.5A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2722 pF @ 100 V
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF34NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 29A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2785 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF34NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF34NM60NDSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 18A; Idm: 116A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 116A
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+5.63 EUR
17+5.31 EUR
18+4.83 EUR
25+4.47 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF34NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1226 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+13.8 EUR
14+12.36 EUR
25+11.42 EUR
100+9.91 EUR
500+8.57 EUR
1000+8.02 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF34NM60NDSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A FDmesh II
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF34NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1226 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.95 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF35N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF35N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in TO-220FP packa
auf Bestellung 538 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.65 EUR
10+6.15 EUR
100+5.63 EUR
500+4.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF35N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 17A; 40W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 17A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF35N65DM2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF35N65DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.093 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF35N65DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 40W
Gate charge: 56.3nC
Drain current: 20A
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+9.12 EUR
11+8.2 EUR
12+7.25 EUR
50+6.52 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF35N65DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 32A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF35N65DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.093 Ohm typ 32 A MDmesh DM2 Power MOSFET
auf Bestellung 678 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.56 EUR
1000+6.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF35N65DM2STMMOSFET N-CH 650V 32A TO220FP Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF35N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 27A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF35N65M5STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET N-CH 650V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF35N65M5
Produktcode: 77878
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF36N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP package
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.51 EUR
10+7.27 EUR
100+6.66 EUR
500+5.59 EUR
1000+5.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF36N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+4.65 EUR
50+4.32 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF36N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+6.3 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF36N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF36N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+6.88 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF36N60M6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF36N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.085 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+16.84 EUR
19+12.58 EUR
25+8.78 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF36N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 100 V
auf Bestellung 1431 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.76 EUR
10+9.29 EUR
50+7.38 EUR
100+6.76 EUR
500+5.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF38-32.768K-12.5-20---STF38-32.768K-12.5-20 32,768 КГц STF38 D=3мм, H=8мм LS=1.1мм Кварцові та керамічні резонатори та генератори
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STF38N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STF38N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 120A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+7.52 EUR
13+6.68 EUR
15+6.05 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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STF38N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF38N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.073 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.92 EUR
23+10.42 EUR
100+7.04 EUR
500+5.55 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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STF38N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 30A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 100 V
auf Bestellung 578 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.67 EUR
10+8.52 EUR
50+6.75 EUR
100+6.18 EUR
500+5.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STF38N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
auf Bestellung 1953 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.46 EUR
10+6.64 EUR
100+6.07 EUR
500+5.09 EUR
1000+4.93 EUR
2000+4.9 EUR
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STF38N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STF38N65M5 транзистор
Produktcode: 222743
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Transistoren > MOSFET N-CH
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STF3HNK90ZST
auf Bestellung 8600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STF3HNK90ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 3A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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STF3HNK90ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 900 Volt 3 Amp
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STF3HNK90ZSTMфункциональная замена STP3NB90, TO220ISO Транзистори
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STF3LN62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 2.5A TO-220FP
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STF3LN80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF3LN80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.75 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.75ohm
auf Bestellung 311 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+6.32 EUR
62+3.78 EUR
100+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3LN80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.11 EUR
2000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3LN80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 2A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 102 pF @ 100 V
auf Bestellung 1506 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.72 EUR
50+1.8 EUR
100+1.62 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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STF3LN80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
auf Bestellung 3203 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.67 EUR
10+2.34 EUR
100+1.63 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.15 EUR
2000+1.05 EUR
5000+1.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3LN80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.11 EUR
2000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STF3N62K3STMicroelectronics
auf Bestellung 885 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STF3N62K3STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.06 EUR
10+1.45 EUR
100+1.3 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.96 EUR
2000+0.88 EUR
4000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3N62K3STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 2.7A; Idm: 10.8A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 620V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 10.8A
Gate charge: 13nC
auf Bestellung 221 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+1.94 EUR
69+1.24 EUR
92+0.93 EUR
103+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3N62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 2.7A TO220FP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 25 V
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
auf Bestellung 1886 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.12 EUR
50+1.45 EUR
100+1.34 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220FP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
auf Bestellung 1217 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.96 EUR
50+2.44 EUR
100+2.19 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protected
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3NK100ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO220FP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 25 V
auf Bestellung 670 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.64 EUR
50+4.99 EUR
100+4.53 EUR
500+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
174+0.99 EUR
177+0.94 EUR
178+0.89 EUR
500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 174 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3NK100ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2.5A; Idm: 10A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3NK100ZSTTransistor N-Channel MOSFET; 1000V; 30V; 6Ohm; 2,5A; 25W; -55°C ~ 150°C; STF3NK100Z TSTF3NK100z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.14 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3NK100ZSTMicroelectronicsMOSFETs N Ch 24V 120A Zener SuperMESH
auf Bestellung 1801 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.32 EUR
10+4.82 EUR
100+4.4 EUR
500+3.64 EUR
1000+3.17 EUR
2000+3.12 EUR
5000+3.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
175+0.99 EUR
176+0.96 EUR
500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 175 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3NK100ZSTMMOSFET N-Channel, TO-220FP Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3NK80
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 2718 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+1.06 EUR
173+0.98 EUR
250+0.95 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.83 EUR
2000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3NK80ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800 Volt 2.5Amp Zener SuperMESH
auf Bestellung 696 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.65 EUR
10+2.81 EUR
100+2.53 EUR
500+2.07 EUR
1000+1.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3NK80ZSTMMOSFET N-CH 800V 2.5A TO-220FP Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 4221 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.33 EUR
75+2.23 EUR
100+2.01 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.34 EUR
2000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 4216 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.33 EUR
75+2.28 EUR
100+2.09 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.46 EUR
2000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3NK80Z
Produktcode: 81902
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
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STF3NK80ZSTMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 800, Id = 2,5 A, Ptot, Вт = 25, Тип монт. = вивідний, Rds = 4.5 Ом, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 10 В,... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3NK80ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.76 EUR
10+3.72 EUR
50+2.86 EUR
100+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3NK80ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF3NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 4.5 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.88 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3NK80ZSTN-MOSFET 800V 2.5A 25W STF3NK80Z TSTF3nk80z
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STF3NK80ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 25W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.68 EUR
36+2.4 EUR
50+1.83 EUR
100+1.67 EUR
250+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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STF3NK80Z-1
auf Bestellung 1043 Stücke:
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STF3NK80ZFP
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF40100CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V ITO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.12 EUR
10+2.78 EUR
100+2.17 EUR
500+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF40120CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V ITO220
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 970 mV @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: ITO-220AB
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.12 EUR
10+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF40150CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V ITO220
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.43 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: ITO-220AB
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.12 EUR
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100+2.17 EUR
500+1.8 EUR
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Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF40200CRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 200V; 40A; ITO220AB; Ufmax: 0.76V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 40A
Semiconductor structure: common anode; double
Case: ITO220AB
Max. forward voltage: 0.76V
Max. forward impulse current: 250A
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF40250TSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 250V 40A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 690pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 250 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF4045CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTT 45V ITO220AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: ITO-220AB
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF4060CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 6 mA @ 60 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF4080CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 80V ITO220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: ITO-220AB
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Part Status: Active
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.12 EUR
10+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF40H150CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARR SCHOTTKY 150V ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 150 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF40N20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 40A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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