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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STF33N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
auf Bestellung 999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.65 EUR
10+4.19 EUR
100+3.92 EUR
500+3.33 EUR
1000+3.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF33N65M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 96A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 41.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+4.28 EUR
23+3.84 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF33N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 100 V
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.04 EUR
50+4.14 EUR
100+3.76 EUR
500+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF34N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 28A TO220FP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF34N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF34NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 31.5A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2722 pF @ 100 V
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF34NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600V 0.092V Ohm 29A MDmesh II PWR MO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF34NM60NSTMicroelectronics
auf Bestellung 855 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF34NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1226 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+10.06 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF34NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF34NM60NDSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 18A; Idm: 116A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 116A
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+5.63 EUR
17+5.31 EUR
18+4.83 EUR
25+4.47 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF34NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1226 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+13.96 EUR
14+12.51 EUR
25+11.55 EUR
100+10.03 EUR
500+8.66 EUR
1000+8.12 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF34NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 29A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2785 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF34NM60NDSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A FDmesh II
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF35N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 17A; 40W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 17A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF35N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF35N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 28A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V
auf Bestellung 906 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.85 EUR
50+6.27 EUR
100+5.74 EUR
500+4.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF35N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in TO-220FP packa
auf Bestellung 538 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.65 EUR
10+6.15 EUR
100+5.63 EUR
500+4.69 EUR
1000+4.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF35N65DM2STMMOSFET N-CH 650V 32A TO220FP Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF35N65DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.093 Ohm typ 32 A MDmesh DM2 Power MOSFET
auf Bestellung 678 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.56 EUR
1000+6.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF35N65DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 40W
Gate charge: 56.3nC
Drain current: 20A
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+9.12 EUR
11+8.2 EUR
12+7.25 EUR
50+6.52 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF35N65DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 32A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF35N65DM2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF35N65DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.093 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF35N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 27A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF35N65M5
Produktcode: 77878
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF35N65M5STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET N-CH 650V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF36N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 100 V
auf Bestellung 1431 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.78 EUR
10+9.32 EUR
100+6.78 EUR
500+5.7 EUR
1000+5.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF36N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP package
auf Bestellung 319 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.51 EUR
10+8.54 EUR
100+6.66 EUR
500+5.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF36N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+4.7 EUR
50+4.37 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF36N60M6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF36N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.085 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+16.84 EUR
19+12.58 EUR
25+8.78 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF36N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+6.37 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF36N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF36N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+6.95 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF38-32.768K-12.5-20---STF38-32.768K-12.5-20 32,768 КГц STF38 D=3мм, H=8мм LS=1.1мм Кварцові та керамічні резонатори та генератори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF38N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF38N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.073 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+11.85 EUR
100+5.55 EUR
500+5.38 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF38N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF38N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 120A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+7.52 EUR
13+6.68 EUR
15+6.05 EUR
25+5.14 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF38N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 30A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 100 V
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.42 EUR
50+6.6 EUR
100+6.05 EUR
500+5.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF38N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
auf Bestellung 1958 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.46 EUR
10+6.64 EUR
100+6.07 EUR
500+5.09 EUR
1000+4.93 EUR
2000+4.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3HNK90ZST
auf Bestellung 8600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3HNK90ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 3A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3HNK90ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 900 Volt 3 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3HNK90ZSTMфункциональная замена STP3NB90, TO220ISO Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3LN62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 2.5A TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3LN80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
auf Bestellung 3203 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.67 EUR
10+2.34 EUR
100+1.63 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.15 EUR
2000+1.05 EUR
5000+1.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3LN80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.12 EUR
2000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3LN80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 2A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 102 pF @ 100 V
auf Bestellung 1506 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.72 EUR
50+1.8 EUR
100+1.62 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3LN80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF3LN80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.75 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.75ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 311 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.88 EUR
103+2.26 EUR
116+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3LN80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.12 EUR
2000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3N62K3STMicroelectronics
auf Bestellung 885 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3N62K3STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.06 EUR
10+1.45 EUR
100+1.3 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.92 EUR
2000+0.82 EUR
6000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3N62K3STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 2.7A; Idm: 10.8A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 620V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 10.8A
Gate charge: 13nC
auf Bestellung 221 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+1.94 EUR
69+1.24 EUR
92+0.93 EUR
103+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3N62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 2.7A TO220FP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 25 V
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
auf Bestellung 1886 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.12 EUR
50+1.45 EUR
100+1.34 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protected
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220FP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
auf Bestellung 1217 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.96 EUR
50+2.44 EUR
100+2.19 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
175+1 EUR
176+0.98 EUR
500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 175 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3NK100ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO220FP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 25 V
auf Bestellung 670 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.64 EUR
50+4.99 EUR
100+4.53 EUR
500+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3NK100ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2.5A; Idm: 10A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3NK100ZSTMMOSFET N-Channel, TO-220FP Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3NK100ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
174+1 EUR
177+0.95 EUR
178+0.9 EUR
500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 174 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3NK100ZSTMicroelectronicsMOSFETs N Ch 24V 120A Zener SuperMESH
auf Bestellung 1811 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.32 EUR
10+4.82 EUR
100+4.4 EUR
500+3.64 EUR
1000+3.33 EUR
2000+3.17 EUR
5000+3.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3NK100ZSTTransistor N-Channel MOSFET; 1000V; 30V; 6Ohm; 2,5A; 25W; -55°C ~ 150°C; STF3NK100Z TSTF3NK100z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.19 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3NK80
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3NK80ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 25W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 363 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.68 EUR
36+2.4 EUR
50+1.83 EUR
100+1.67 EUR
250+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3NK80Z
Produktcode: 81902
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 4216 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.37 EUR
75+2.31 EUR
100+2.12 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.48 EUR
2000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3NK80ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF3NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 4.5 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+6.02 EUR
80+2.93 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3NK80ZSTMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 800, Id = 2,5 A, Ptot, Вт = 25, Тип монт. = вивідний, Rds = 4.5 Ом, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 10 В,... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3NK80ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800 Volt 2.5Amp Zener SuperMESH
auf Bestellung 1696 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.55 EUR
10+3.19 EUR
100+2.32 EUR
500+2 EUR
1000+1.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 2718 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+1.07 EUR
173+0.99 EUR
250+0.96 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.84 EUR
2000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3NK80ZSTN-MOSFET 800V 2.5A 25W STF3NK80Z TSTF3nk80z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3NK80ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
auf Bestellung 381 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.76 EUR
50+2.86 EUR
100+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 4221 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.36 EUR
75+2.25 EUR
100+2.03 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.37 EUR
2000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3NK80ZSTMMOSFET N-CH 800V 2.5A TO-220FP Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3NK80Z-1
auf Bestellung 1043 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF3NK80ZFP
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF40100CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V ITO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.12 EUR
10+2.78 EUR
100+2.17 EUR
500+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF40120CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V ITO220
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 970 mV @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: ITO-220AB
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.12 EUR
10+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF40150CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V ITO220
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.43 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: ITO-220AB
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.12 EUR
10+2.78 EUR
100+2.17 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF40200CRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 200V; 40A; ITO220AB; Ufmax: 0.76V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 40A
Semiconductor structure: common anode; double
Case: ITO220AB
Max. forward voltage: 0.76V
Max. forward impulse current: 250A
Kind of package: tube
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STF40250TSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 250V 40A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 690pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 250 V
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STF4045CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTT 45V ITO220AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: ITO-220AB
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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STF4060CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 6 mA @ 60 V
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STF4080CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 80V ITO220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: ITO-220AB
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Part Status: Active
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.12 EUR
10+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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STF40H150CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARR SCHOTTKY 150V ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 150 V
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STF40N20STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 60 V 0.024 Ohm 23 A STripFET
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STF40N20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 40A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STF40N20
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STF40N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 696 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.64 EUR
21+8.12 EUR
25+7.65 EUR
100+5.95 EUR
250+4.83 EUR
500+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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STF40N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 136A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+8.07 EUR
15+5.81 EUR
18+4.94 EUR
50+4.4 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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STF40N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.68 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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STF40N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
580+4.24 EUR
Mindestbestellmenge: 580 Stücke
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STF40N60M2STMicroelectronicsMOSFETs Nchanl 600 V 78 Ohm typ 34 A Pwr MOSFET
auf Bestellung 2285 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.19 EUR
10+8.16 EUR
100+6.56 EUR
500+5.84 EUR
1000+5.18 EUR
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STF40N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 580 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF40N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 34A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
auf Bestellung 864 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.42 EUR
50+6.59 EUR
100+6.03 EUR
500+5.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STF40N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF40N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.078 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2759 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.7 EUR
24+9.75 EUR
35+6.24 EUR
50+5.74 EUR
100+5.51 EUR
250+5.27 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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STF40N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 696 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.66 EUR
21+8.31 EUR
25+7.97 EUR
100+6.31 EUR
250+5.25 EUR
500+4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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