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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SIHF9630S-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF9630S-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 1209 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.32 EUR
10+2.76 EUR
100+1.89 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.43 EUR
2000+1.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF9630S-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
auf Bestellung 968 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.38 EUR
10+2.81 EUR
50+2.13 EUR
100+1.9 EUR
500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF9630S-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF9630STRL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF9630STRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.89 EUR
10+2.59 EUR
100+2.08 EUR
500+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF9630STRL-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF9630STRL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.67 EUR
10+2.33 EUR
50+1.75 EUR
100+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF9640L-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 200V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF9640S-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF9640S-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF9640S-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF9640STRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 200V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF9640STRR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 200V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF9Z14L-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF9Z14S-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF9Z14STRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF9Z24S-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 60V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF9Z24STRL-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF9Z24STRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 60V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF9Z24STRR-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO263 P-CH 60V 11A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF9Z24STRR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
auf Bestellung 1039 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.17 EUR
11+2 EUR
50+1.5 EUR
100+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF9Z24STRR-GE3VishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF9Z24STRR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF9Z34STRL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF9Z34STRL-GE3VishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF9Z34STRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO263 P-CH 60V 18A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF9Z34STRL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.19 EUR
10+2.68 EUR
100+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF9Z34STRL-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -13A; Idm: -72A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF9Z34STRR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 60V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFB11N50A-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFB11N50A-E3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SIHP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFB17N50LVishay SiliconixSiHFB17N50L IRFB17N50L Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFB18N50K-E3Vishay SiliconixSiHFB18N50K-E3 IRFB18N50KPBF Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFB20N50KVishay SiliconixSiHFB20N50K IRFB20N50K MOSFET N-канал 500V 20A TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFB20N50K-E3Vishay SiliconixSiHFB20N50K-E3 IRFB20N50KPBF MOSFET N-канал 500V 20A TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFB20N50K-E3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SIHP18N50C-E3
auf Bestellung 860 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.5 EUR
10+9.64 EUR
25+9.12 EUR
100+7.81 EUR
250+7.38 EUR
500+6.94 EUR
1000+5.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFB20N50K-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFB9N65A-E3Vishay SiliconixSiHFB9N65A-E3 IRFB9N65APBF Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFBC20-E3Vishay SiliconixSiHFBC20-E3 IRFBC20PBF TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFBC20S-E3Vishay SiliconixSiHFBC20S-E3 IRFBC20SPBF D2PAK=TO-263 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFBC30-E3Vishay SiliconixSiHFBC30-E3 IRFBC30PBF TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFBC30A-E3Vishay SiliconixSiHFBC30A-E3 IRFBC30APBF TO-220AB Транзистори
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFBC30AL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.81 EUR
10+2.39 EUR
100+1.58 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.11 EUR
2500+1.01 EUR
5000+0.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFBC30AS-E3Vishay SiliconixSiHFBC30AS-E3 IRFBC30ASPBF D2PAK=TO-263 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFBC30S-E3Vishay SiliconixSiHFBC30S-E3 IRFBC30SPBF D2PAK=TO-263 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFBC40-E3Vishay SiliconixSiHFBC40-E3 600 В 6.2 А (TO-220) TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFBC40A-E3Vishay SiliconixSiHFBC40A-E3 IRFBC40APBF TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFBC40AS-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1036 pF @ 25 V
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.58 EUR
10+2.94 EUR
100+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFBC40AS-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO263 600V 6.2A N-CH MOSFET
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.5 EUR
10+2.89 EUR
100+1.98 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.63 EUR
2000+1.61 EUR
5000+1.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFBC40AS-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SiHFBC40S-E3Vishay SiliconixSiHFBC40S-E3 IRFBC40SPBF D2PAK=TO-263 Транзистори
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SIHFBE20-E3VishayMOSFET
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SIHFBE30L-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
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SIHFBE30S-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SIHFBE30S-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SIHFBE30S-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO263 800V 4.1A N-CH MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SIHFBE30S-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFBE30S-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.02 EUR
10+3.25 EUR
100+2.23 EUR
500+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SIHFBE30STRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO263 800V 4.1A N-CH MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFBE30STRL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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SIHFBE30STRL-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFBF30S-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 900V
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
auf Bestellung 923 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.11 EUR
10+3.3 EUR
100+2.26 EUR
500+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SIHFBF30S-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO263 900V 3.6A N-CH MOSFET
auf Bestellung 805 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.02 EUR
10+3.25 EUR
100+2.23 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.67 EUR
2000+1.62 EUR
5000+1.58 EUR
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SIHFBF30S-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 900V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SiHFBG30-E3Vishay SiliconixSiHFBG30-E3 IRFBG30PBF MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB Транзистори
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SIHFC13M Electronic SpecialtyWire Identification SLEEVE 20MM 240/BOX
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SIHFC9640DWFVishay / SiliconixMOSFET
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SiHFD014Vishay SiliconixSiHFD014 IRFD014 Транзистори
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SIHFD120Vishay SiliconixSiHFD120 IRFD120 Транзистори
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SIHFD120
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SIHFD120-E3
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SIHFD120-E3VishayMOSFETs
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SIHFD120-E3Vishay SiliconixSiHFD120-E3 100 В 1.3 А (HVMDIP) DIP-4 Транзистори
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SIHFD121
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SIHFD121-E3
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SIHFD122
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SIHFD122-E3
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SIHFD123Vishay SiliconixSiHFD123 IRFD123 Транзистори
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SIHFD123
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SIHFD123-E3Vishay SiliconixSiHFD123-E3 IRFD123PBF Транзистори
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SIHFD123-E3
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SIHFD420-E3VishayMOSFET
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SiHFD9014Vishay SiliconixSiHFD9014 IRFD9014 P-Channel 60V 1.1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFD9014-E3Vishay SiliconixSiHFD9014-E3 -60 В -1.1 А (HVMDIP) P-Channel 60V 1.1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP Транзистори
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+6 EUR
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SIHFD9014-E3VishayMOSFET
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SIHFD9120-E3VishayVishay
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SiHFD9210-E3Vishay SiliconixSiHFD9210-E3 IRFD9210PBF P-Channel 200 V 0.4 A DIP-4 Транзистори
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SiHFI640GVishay SiliconixSiHFI640G IRFI640G (N-CH U=200B, I=9,8A TO-220) Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFI640G-E3Vishay SiliconixSiHFI640G-E3 IRFI640GPBF (N-CH U=200V, I=9,8A TO-220-ISO) Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFI740G-E3Vishay SiliconixSiHFI740G-E3 IRFI740GPBF MOSFET N-Ch 400V 5.4A TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFI9530G-E3Vishay SiliconixSiHFI9530G-E3 IRFI9530GPBF TO-220, 100V Single P-Channel Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFI9Z34G-E3Vishay SiliconixSiHFI9Z34G-E3 IRFI9Z34GPBF MOSFET, P-CH, 60V, 12A, TO-220FP Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFIB11N50A-E3
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFIB16N50K-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 500V 6.7A 45W 350mohm @ 10V
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFIB9N60A-E3
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFIB9N65A-E3
auf Bestellung 200000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFIB9N6A-E3
auf Bestellung 2230 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFL014
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHFL014-E3Vishay SiliconixSiHFL014-E3 IRFL014PBF HEXFET N-CH 60 V 2.7 A 200 mOm SOT-223 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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