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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2SC5706-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 5A 800mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.05 EUR
3000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-EON Semiconductor
auf Bestellung 379 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-G-T1SANYO
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-G-TLSANYO5H12W5H2
auf Bestellung 5933 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-G-TL-ESANYO09+ TSSOP
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-HonsemiDescription: TRANS NPN 50V 5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-HON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-L-TL-LSANYO
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-P-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 5A 800mW 3-Pin(3+Tab) TP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-P-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V
auf Bestellung 737 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-P-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 5A TP
Packaging: Bag
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-P-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 5A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-PMSANYO09+
auf Bestellung 1418 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-T-TL-E
auf Bestellung 42820 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-T0EVVODescription: SILICON NPN POWER TRANSISTOR, TO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-T1EVVODescription: SILICON NPN POWER TRANSISTOR, TO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-T1EVVODescription: SILICON NPN POWER TRANSISTOR, TO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 5A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-TL-ESONYO08+PB
auf Bestellung 535 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-TL-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V
auf Bestellung 15124 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.92 EUR
10+1.86 EUR
100+1.23 EUR
700+0.93 EUR
1400+0.84 EUR
4900+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 5A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.92 EUR
12+1.84 EUR
100+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-TL-EONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 5A; 0.8W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 5A
Power dissipation: 0.8W
Case: DPAK
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 400MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 5A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 5A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
700+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5706-TL-E - BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-TL-HONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5706-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.71 EUR
127+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-TL-HONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 5A; 0.8W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 5A
Power dissipation: 0.8W
Case: DPAK
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 400MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-TL-HON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 5A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
431+1.5 EUR
500+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 431 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-TL-HONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5706-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+4.59 EUR
86+2.71 EUR
127+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-TL-HonsemiDescription: TRANS NPN 50V 5A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 1631 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.72 EUR
10+2.38 EUR
100+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-TL-HonsemiRF Bipolar Transistors BIP NPN 5A 50V
auf Bestellung 1030 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.75 EUR
10+2.39 EUR
100+1.62 EUR
700+1.15 EUR
1400+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-TL-HON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 5A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-TL-HonsemiDescription: TRANS NPN 50V 5A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
700+1.15 EUR
1400+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5707SanyoTransistor NPN; Bipolar; 560; 50V; 6V; 330MHz; 8A; 15W; -55°C~150°C; set with 2SA2040; 2SC5707-TL-E; 2SC5707 smd T2SC5707 smd
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5707onsemi BIP NPN 8A 50V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5707SanyoTRANS NPN 50V 8A DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5707 D-Pak (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 28048
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SanyoTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: D-Pak
Transitfrequenz fT: 330 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 50 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 80 V
Kollektorstrom Ic, A: 8 A
Stromverstärkung h21: 560
Bemerkung: Darlington
Montage: SMD
verfügbar: 25 St.
  • 25 St. - stock Köln
auf Bestellung: 10 St.
  • 10 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.57 EUR
10+1.4 EUR
100+1.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5707 I-Pak
Produktcode: 193744
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: I-Pak
Transitfrequenz fT: 330 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 50 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 80 В
Kollektorstrom Ic, A: 8 А
Stromverstärkung h21: 560
Bemerkung: Darlington
Montage: THT
auf Bestellung: 63 St.
  • 63 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.57 EUR
10+1.4 EUR
100+1.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5707-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 8A TP
Packaging: Bag
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5707-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 8A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5707-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5707-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-251, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Verlustleistung Pd: 15
Übergangsfrequenz ft: 330
Bauform - Transistor: TO-251
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5707-EOn SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 50V Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5707-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 50V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5707-SHY-TL04+ TO252
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5707-TLSANYOSOT252/2.5
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5707-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 8A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5707-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5707-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+3.84 EUR
102+2.27 EUR
153+1.4 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5707-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 8A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.5 EUR
10+2.21 EUR
100+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5707-TL-EOn SemiconductorTRANS NPN 50V 8A DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5707-TL-E
Produktcode: 211444
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5707-TL-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 50V
auf Bestellung 17757 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.39 EUR
10+1.62 EUR
100+1.21 EUR
700+0.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5707-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 8A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
700+1.06 EUR
1400+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5707-TL-EONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 8A; 1W; DPAK
Collector-emitter voltage: 50V
Power dissipation: 1W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 200...560
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Frequency: 330MHz
Collector current: 8A
Mounting: SMD
auf Bestellung 581 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+2.33 EUR
53+1.62 EUR
65+1.33 EUR
85+1 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
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2SC5707-TL-EON SemiconductorТранзистор NPN, Uceo, В = 50, Ic = 8 А, ft, МГц = 330, hFE = 200 @ 500 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,24 @ 175 мA, 3,5 А, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: TP-FA-2 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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2SC5707-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5707-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.84 EUR
102+2.27 EUR
153+1.4 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2SC571NEC
auf Bestellung 1000 Stücke:
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2SC5710SANYO
auf Bestellung 700 Stücke:
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2SC5712TOSHIBA
auf Bestellung 2100 Stücke:
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2SC5712ToshibaBipolar Transistors - BJT
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2SC5712(TE12L,F)ToshibaTrans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
auf Bestellung 1601 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
325+1.2 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 325 Stücke
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2SC5712(TE12L,F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SC5712(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 2.5 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SC-62
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4636 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
153+1.63 EUR
249+0.94 EUR
387+0.56 EUR
508+0.42 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 153 Stücke
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2SC5712(TE12L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 3A PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 796 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.26 EUR
27+0.79 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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2SC5712(TE12L,F)ToshibaTrans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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2SC5712(TE12L,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT NPN 100V VCBO 50V VCEO 3A IC
auf Bestellung 2955 Stücke:
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3+1.26 EUR
10+0.79 EUR
100+0.51 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
2000+0.29 EUR
5000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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2SC5712(TE12L,F)ToshibaTrans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
auf Bestellung 5719 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
353+1.18 EUR
450+0.38 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.33 EUR
2500+0.32 EUR
5000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 353 Stücke
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2SC5712(TE12L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 3A PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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2SC5712(TE12L,ZF)Toshiba2SC5712(TE12L,ZF)
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459+0.37 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.33 EUR
2500+0.32 EUR
5000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 459 Stücke
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2SC5712(TE12LF)TOSHIBASOT-89 0725+
auf Bestellung 831 Stücke:
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2SC5713
auf Bestellung 5000 Stücke:
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2SC5713(TE12L,F)TOSHIBA2007
auf Bestellung 5000 Stücke:
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2SC5714Toshiba
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2SC5714TOSHIBASOT89
auf Bestellung 31000 Stücke:
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2SC5714(TE12L,F)ToshibaTrans GP BJT NPN 20V 4A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
auf Bestellung 536 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+0.38 EUR
500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
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2SC5714(TE12L,F)ToshibaTrans GP BJT NPN 20V 4A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
auf Bestellung 996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+0.38 EUR
500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
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2SC5714(TE12L,ZF)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 20V 4A PW-MINI
Packaging: Box
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 32mA, 1.6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MINI
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
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2SC572TOSHIBA
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC57250SLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 15V 2A MINI3-G1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 600 mW
Produkt ist nicht verfügbar
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2SC5729T106QRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 0.5A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2SC5729T106QROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2SC5729T106RROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2SC5729T106RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 0.5A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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2SC573TOSHIBA
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC5730 TL RROHMSOT23/SOT323
auf Bestellung 2078 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC5730-QROHMSOT23 07+
auf Bestellung 3445 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC5730-RROHMSOT23 07+
auf Bestellung 9163 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC5730-R/UMRROHM09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC5730/RROHMSOT-23
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC5730TLQRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 1A TSMT3
Produkt ist nicht verfügbar
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2SC5730TLQRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 1A TSMT3
Produkt ist nicht verfügbar
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2SC5730TLRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 1A TSMT3
Produkt ist nicht verfügbar
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2SC5730TLRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 1A TSMT3
Produkt ist nicht verfügbar
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2SC5731T100QRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 2A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Supplier Device Package: MPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5731T100RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 2A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Supplier Device Package: MPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5732TLQRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 5A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Supplier Device Package: CPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5734/RROHMSOT-23
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5737-T1
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5738TOS
auf Bestellung 5098 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5738(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT NPN Bipolar Transistor, 20 V, 3.5 A, TSM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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2SC5738(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 20 V, 3.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 32mA, 1.6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: TSM
Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5738(TE85L,F)TOSHIBASOT23/SOT323
auf Bestellung 2062 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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