Produkte > 2SC
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| 2SC5707 D-Pak (NPN-Bipolartransistor) Produktcode: 28048
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Lieblingsprodukt
| Sanyo | Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: D-Pak Transitfrequenz fT: 330 MHz Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 50 V Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 80 V Kollektorstrom Ic, A: 8 A Stromverstärkung h21: 560 Bemerkung: Darlington Montage: SMD | verfügbar: 25 St.
auf Bestellung: 10 St.
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| 2SC5707 I-Pak Produktcode: 193744
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: I-Pak Transitfrequenz fT: 330 МГц Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 50 В Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 80 В Kollektorstrom Ic, A: 8 А Stromverstärkung h21: 560 Bemerkung: Darlington Montage: THT | auf Bestellung: 63 St.
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| 2SC5707-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 8A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag | auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5707-E | On Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 50V Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5707-E | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 8A TP Packaging: Bag Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 330MHz Supplier Device Package: TP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5707-E | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 50V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5707-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SC5707-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-251, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 200 Verlustleistung Pd: 15 Übergangsfrequenz ft: 330 Bauform - Transistor: TO-251 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 8 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (19-Jan-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5707-SHY-TL | 04+ TO252 | auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2SC5707-TL | SANYO | SOT252/2.5 | auf Bestellung 460 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5707-TL-E | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 50V | auf Bestellung 19088 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SC5707-TL-E Produktcode: 211444
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| Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2SC5707-TL-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SC5707-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 15W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 330MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1168 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SC5707-TL-E | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 8A; 1W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 8A Power dissipation: 1W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 330MHz Current gain: 200...560 | auf Bestellung 688 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SC5707-TL-E | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 8A TP-FA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 330MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W | auf Bestellung 3500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SC5707-TL-E | On Semiconductor | TRANS NPN 50V 8A DPAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5707-TL-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 8A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 700 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5707-TL-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SC5707-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 15W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 330MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1168 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SC5707-TL-E | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 8A TP-FA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 330MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W | auf Bestellung 3500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SC5707-TL-E | ON Semiconductor | Транзистор NPN, Uceo, В = 50, Ic = 8 А, ft, МГц = 330, hFE = 200 @ 500 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,24 @ 175 мA, 3,5 А, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: TP-FA-2 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC571 | NEC | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2SC5710 | SANYO | auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2SC5712 | TOSHIBA | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2SC5712 | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5712(TE12L,F) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT NPN 100V VCBO 50V VCEO 3A IC | auf Bestellung 2955 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SC5712(TE12L,F) | Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5712(TE12L,F) | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SC5712(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 2.5 W, SC-62, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: SC-62 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 4636 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SC5712(TE12L,F) | Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R | auf Bestellung 5719 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SC5712(TE12L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 50V 3A PW-MINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V Supplier Device Package: PW-MINI Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W | auf Bestellung 796 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SC5712(TE12L,F) | Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R | auf Bestellung 1601 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SC5712(TE12L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 50V 3A PW-MINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V Supplier Device Package: PW-MINI Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5712(TE12L,ZF) | Toshiba | 2SC5712(TE12L,ZF) | auf Bestellung 6115 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SC5712(TE12LF) | TOSHIBA | SOT-89 0725+ | auf Bestellung 831 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5713 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SC5713(TE12L,F) | TOSHIBA | 2007 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5714 | TOSHIBA | SOT89 | auf Bestellung 31000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5714 | Toshiba | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2SC5714(TE12L,F) | Toshiba | Trans GP BJT NPN 20V 4A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R | auf Bestellung 996 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SC5714(TE12L,F) | Toshiba | Trans GP BJT NPN 20V 4A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R | auf Bestellung 536 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SC5714(TE12L,ZF) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 20V 4A PW-MINI Packaging: Box Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 32mA, 1.6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 500mA, 2V Supplier Device Package: PW-MINI Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 1 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC572 | TOSHIBA | auf Bestellung 5600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2SC57250SL | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS NPN 15V 2A MINI3-G1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 30mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: Mini3-G1 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 600 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5729T106Q | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 0.5A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: UMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 200 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5729T106Q | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5729T106R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 0.5A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: UMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 200 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5729T106R | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC573 | TOSHIBA | auf Bestellung 5600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2SC5730 TL R | ROHM | SOT23/SOT323 | auf Bestellung 2078 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5730-Q | ROHM | SOT23 07+ | auf Bestellung 3445 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5730-R | ROHM | SOT23 07+ | auf Bestellung 9163 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5730-R/UMR | ROHM | 09+ | auf Bestellung 3018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5730/R | ROHM | SOT-23 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5730TLQ | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 1A TSMT3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5730TLQ | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 1A TSMT3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5730TLR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 1A TSMT3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5730TLR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 1A TSMT3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5731T100Q | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 2A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Supplier Device Package: MPT3 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5731T100R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 2A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Supplier Device Package: MPT3 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5732TLQ | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 5A CPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Supplier Device Package: CPT3 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5734/R | ROHM | SOT-23 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5737-T1 | auf Bestellung 2995 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SC5738 | TOS | auf Bestellung 5098 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2SC5738(TE85L,F) | TOSHIBA | SOT23/SOT323 | auf Bestellung 2062 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5738(TE85L,F) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT NPN Bipolar Transistor, 20 V, 3.5 A, TSM | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5738(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 20 V, 3. Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 32mA, 1.6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 500mA, 2V Supplier Device Package: TSM Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5738(TE85LF) | Toshiba | Array | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5739 | auf Bestellung 79580 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SC57390P | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS NPN 60V 3A TO-220D-A1 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 4V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: TO-220D-A1 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC574 | TOSHIBA | auf Bestellung 5600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2SC575 | TOSHIBA | auf Bestellung 5600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2SC5750-A | CEL | Description: RF TRANS NPN 6V 15GHZ Packaging: Strip Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 15dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 20mA, 3V Frequency - Transition: 15GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5750-T1-A | Renesas Electronics Corporation | Description: RF TRANS NPN 6V 15GHZ SOT-343 Packaging: Bulk Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 15dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 20mA, 3V Frequency - Transition: 15GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz Supplier Device Package: SOT-343 | auf Bestellung 129000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SC5750-T1-A | CEL | Description: RF TRANS NPN 6V 15GHZ SOT-343 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 15dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 20mA, 3V Frequency - Transition: 15GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz Supplier Device Package: SOT-343 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5750-T1-A | Renesas | Trans RF BJT NPN | auf Bestellung 129000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SC5751 | auf Bestellung 32500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SC5751-A | CEL | Description: RF TRANS NPN 6V 15GHZ Packaging: Strip Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 16dB Power - Max: 205mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 20mA, 3V Frequency - Transition: 15GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5751-T2-A | CEL | Description: RF TRANS NPN 6V 15GHZ SOT-343F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 16dB Power - Max: 205mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 20mA, 3V Frequency - Transition: 15GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz Supplier Device Package: SOT-343F | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5751-T2-A | Renesas | Trans RF BJT NPN 6V 0.05A 205mW 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SC5751-T2-A | Renesas Electronics Corporation | Description: RF TRANS NPN 6V 15GHZ SOT-343F Packaging: Bulk Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 16dB Power - Max: 205mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 20mA, 3V Frequency - Transition: 15GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz Supplier Device Package: SOT-343F | auf Bestellung 78000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SC5751-T2-A | Renesas | Trans RF BJT NPN 6V 0.05A 205mW 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R | auf Bestellung 51000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SC5752-A | CEL | Description: RF TRANS NPN 6V 12GHZ Packaging: Strip Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 12GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5752-T1-A | CEL | Description: RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT-343 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 12GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz Supplier Device Package: SOT-343 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5752-T1-A | Renesas | NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SC5752-T1-A | Renesas | NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SC5752-T1-A | Renesas Electronics Corporation | Description: RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT-343 Packaging: Bulk Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 12GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz Supplier Device Package: SOT-343 | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SC5753 | NEC | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2SC5753-A | CEL | Description: RF TRANS NPN 6V 12GHZ Packaging: Strip Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13.5dB Power - Max: 205mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 12GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5753-T2-A | CEL | Description: RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT-343F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13.5dB Power - Max: 205mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 12GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz Supplier Device Package: SOT-343F | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5754-A | CEL | RF Bipolar Transistors NPN Silicon 20GHz Pout (1dB 26dBm) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5754-A | CEL | Description: RF TRANS NPN 5V 20GHZ Packaging: Strip Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12dB Power - Max: 735mW Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 20GHz | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5754-A | Renesas Electronics | Renesas Electronics | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5754-T1 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SC5754-T2 | NEC | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2SC5754-T2-A | CEL | RF Bipolar Transistors NPN High Frequency | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5754-T2-A | Renesas Electronics | Renesas Electronics | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5754-T2-A | NEC | 06+ROHS SOT-343 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5754-T2-A | CEL | Description: RF TRANS NPN 5V 20GHZ SOT-343F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 6.5dB Power - Max: 735mW Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 20GHz Supplier Device Package: SOT-343F | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC5755 | TOSHIBA | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2SC5755(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 10V 2A TSM | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC576 | TOSHIBA | auf Bestellung 5600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2SC5761 | NEC | 00+ SOT-143 | auf Bestellung 6999 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
