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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2SC5706-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 5A 800mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.05 EUR
3000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-G-T1SANYO
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-G-TLSANYO5H12W5H2
auf Bestellung 5933 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-G-TL-ESANYO09+ TSSOP
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-HON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-HonsemiDescription: TRANS NPN 50V 5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-L-TL-LSANYO
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-P-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 5A 800mW 3-Pin(3+Tab) TP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-P-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V
auf Bestellung 737 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-P-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 5A TP
Packaging: Bag
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-P-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 5A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-PMSANYO09+
auf Bestellung 1418 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-T-TL-E
auf Bestellung 42820 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-T0EVVODescription: SILICON NPN POWER TRANSISTOR, TO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-T1EVVODescription: SILICON NPN POWER TRANSISTOR, TO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-T1EVVODescription: SILICON NPN POWER TRANSISTOR, TO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 5A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-TL-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V
auf Bestellung 15124 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.92 EUR
10+1.86 EUR
100+1.23 EUR
700+0.93 EUR
1400+0.84 EUR
4900+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-TL-ESONYO08+PB
auf Bestellung 535 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 5A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.92 EUR
12+1.84 EUR
100+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-TL-EONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 5A; 0.8W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 5A
Power dissipation: 0.8W
Case: DPAK
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 400MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 5A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 5A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
700+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5706-TL-E - BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-TL-HONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5706-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.71 EUR
127+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-TL-HONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 5A; 0.8W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 5A
Power dissipation: 0.8W
Case: DPAK
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 400MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-TL-HON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 5A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
431+1.5 EUR
500+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 431 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-TL-HonsemiDescription: TRANS NPN 50V 5A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 1631 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.72 EUR
10+2.38 EUR
100+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-TL-HONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5706-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+4.59 EUR
86+2.71 EUR
127+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-TL-HonsemiRF Bipolar Transistors BIP NPN 5A 50V
auf Bestellung 1030 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.75 EUR
10+2.39 EUR
100+1.62 EUR
700+1.15 EUR
1400+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-TL-HON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 5A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5706-TL-HonsemiDescription: TRANS NPN 50V 5A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
700+1.15 EUR
1400+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5707onsemi BIP NPN 8A 50V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5707SanyoTransistor NPN; Bipolar; 560; 50V; 6V; 330MHz; 8A; 15W; -55°C~150°C; set with 2SA2040; 2SC5707-TL-E; 2SC5707 smd T2SC5707 smd
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5707SanyoTRANS NPN 50V 8A DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5707 D-Pak (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 28048
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SanyoTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: D-Pak
Transitfrequenz fT: 330 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 50 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 80 V
Kollektorstrom Ic, A: 8 A
Stromverstärkung h21: 560
Bemerkung: Darlington
Montage: SMD
verfügbar: 25 St.
  • 25 St. - stock Köln
auf Bestellung: 10 St.
  • 10 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.57 EUR
10+1.4 EUR
100+1.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5707 I-Pak
Produktcode: 193744
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: I-Pak
Transitfrequenz fT: 330 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 50 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 80 В
Kollektorstrom Ic, A: 8 А
Stromverstärkung h21: 560
Bemerkung: Darlington
Montage: THT
auf Bestellung: 63 St.
  • 63 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.57 EUR
10+1.4 EUR
100+1.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5707-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 8A TP
Packaging: Bag
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5707-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 8A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5707-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5707-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-251, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Verlustleistung Pd: 15
Übergangsfrequenz ft: 330
Bauform - Transistor: TO-251
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5707-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 50V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5707-EOn SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 50V Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5707-SHY-TL04+ TO252
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5707-TLSANYOSOT252/2.5
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5707-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 8A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5707-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 8A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.5 EUR
10+2.21 EUR
100+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5707-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5707-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+3.84 EUR
102+2.27 EUR
153+1.4 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5707-TL-EOn SemiconductorTRANS NPN 50V 8A DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5707-TL-E
Produktcode: 211444
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5707-TL-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 50V
auf Bestellung 17757 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.39 EUR
10+1.62 EUR
100+1.21 EUR
700+0.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5707-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 8A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
700+1.06 EUR
1400+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5707-TL-EON SemiconductorТранзистор NPN, Uceo, В = 50, Ic = 8 А, ft, МГц = 330, hFE = 200 @ 500 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,24 @ 175 мA, 3,5 А, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: TP-FA-2 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5707-TL-EONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 8A; 1W; DPAK
Collector-emitter voltage: 50V
Power dissipation: 1W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 200...560
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Frequency: 330MHz
Collector current: 8A
Mounting: SMD
auf Bestellung 581 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+2.33 EUR
53+1.62 EUR
65+1.33 EUR
85+1 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5707-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5707-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.84 EUR
102+2.27 EUR
153+1.4 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC571NEC
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5710SANYO
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5712TOSHIBA
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5712ToshibaBipolar Transistors - BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5712(TE12L,F)ToshibaTrans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
auf Bestellung 1601 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
325+1.2 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 325 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5712(TE12L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 3A PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 796 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.26 EUR
27+0.79 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5712(TE12L,F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SC5712(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 2.5 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SC-62
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4636 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
153+1.63 EUR
249+0.94 EUR
387+0.56 EUR
508+0.42 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 153 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5712(TE12L,F)ToshibaTrans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5712(TE12L,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT NPN 100V VCBO 50V VCEO 3A IC
auf Bestellung 2955 Stücke:
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3+1.26 EUR
10+0.79 EUR
100+0.51 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
2000+0.29 EUR
5000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5712(TE12L,F)ToshibaTrans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
auf Bestellung 5719 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
353+1.18 EUR
450+0.38 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.33 EUR
2500+0.32 EUR
5000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 353 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5712(TE12L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 3A PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5712(TE12L,ZF)Toshiba2SC5712(TE12L,ZF)
auf Bestellung 6115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
459+0.37 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.33 EUR
2500+0.32 EUR
5000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 459 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5712(TE12LF)TOSHIBASOT-89 0725+
auf Bestellung 831 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5713
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5713(TE12L,F)TOSHIBA2007
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5714Toshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5714TOSHIBASOT89
auf Bestellung 31000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5714(TE12L,F)ToshibaTrans GP BJT NPN 20V 4A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
auf Bestellung 536 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+0.38 EUR
500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5714(TE12L,F)ToshibaTrans GP BJT NPN 20V 4A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
auf Bestellung 996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+0.38 EUR
500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5714(TE12L,ZF)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 20V 4A PW-MINI
Packaging: Box
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 32mA, 1.6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MINI
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC572TOSHIBA
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC57250SLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 15V 2A MINI3-G1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 600 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5729T106QRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 0.5A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5729T106QROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5729T106RROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5729T106RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 0.5A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC573TOSHIBA
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5730 TL RROHMSOT23/SOT323
auf Bestellung 2078 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5730-QROHMSOT23 07+
auf Bestellung 3445 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5730-RROHMSOT23 07+
auf Bestellung 9163 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5730-R/UMRROHM09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5730/RROHMSOT-23
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5730TLQRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 1A TSMT3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5730TLQRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 1A TSMT3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5730TLRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 1A TSMT3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5730TLRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 1A TSMT3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5731T100QRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 2A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Supplier Device Package: MPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5731T100RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 2A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Supplier Device Package: MPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5732TLQRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 5A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Supplier Device Package: CPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5734/RROHMSOT-23
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5737-T1
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5738TOS
auf Bestellung 5098 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5738(TE85L,F)TOSHIBASOT23/SOT323
auf Bestellung 2062 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5738(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT NPN Bipolar Transistor, 20 V, 3.5 A, TSM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5738(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 20 V, 3.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 32mA, 1.6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: TSM
Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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