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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
DMN2055U-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.8A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2055U-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.8A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2055U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.8A SOT23 T&R 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
auf Bestellung 39961 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+0.71 EUR
42+0.5 EUR
100+0.25 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.18 EUR
2000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2055U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.8A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 129000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2055U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.8A SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
auf Bestellung 129000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+0.71 EUR
42+0.5 EUR
100+0.25 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2055U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.8A SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
auf Bestellung 129000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.15 EUR
9000+0.13 EUR
75000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2055U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.8A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2055U-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K
auf Bestellung 3044 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.73 EUR
10+0.55 EUR
100+0.35 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.15 EUR
9000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2055UQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 10K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2055UQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2055UQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2055UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2055UW-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2055UW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R 10K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2055UW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.12 EUR
30000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2055UW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
auf Bestellung 66600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
27+0.8 EUR
38+0.55 EUR
100+0.27 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2055UW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2055UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.035 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
275+0.9 EUR
375+0.62 EUR
663+0.32 EUR
991+0.21 EUR
1523+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 275 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2055UW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R 3K
auf Bestellung 3015 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.56 EUR
10+0.37 EUR
100+0.17 EUR
3000+0.13 EUR
9000+0.1 EUR
24000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2055UW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
9000+0.12 EUR
30000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2055UW-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2055UW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2055UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.035 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
275+0.9 EUR
375+0.62 EUR
663+0.32 EUR
991+0.21 EUR
1523+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 275 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2055UWQ-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2055UWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2055UWQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 10K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2055UWQ-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2055UWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2055UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.035 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
247+1.01 EUR
372+0.62 EUR
658+0.32 EUR
863+0.25 EUR
1099+0.19 EUR
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 247 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2055UWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 18960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
9000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2055UWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2055UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.035 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
247+1.01 EUR
372+0.62 EUR
658+0.32 EUR
863+0.25 EUR
1099+0.19 EUR
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 247 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2055UWQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 3K
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.93 EUR
10+0.63 EUR
100+0.36 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.15 EUR
9000+0.14 EUR
24000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2055UWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 18960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.83 EUR
36+0.58 EUR
100+0.3 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2056UDiodes IncorporatedMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2056U-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 22A; 940mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 0.94W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 4.3nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2056U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3
auf Bestellung 7567 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.75 EUR
46+0.46 EUR
55+0.38 EUR
64+0.33 EUR
100+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2056U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2056U-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2056U-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
auf Bestellung 11847 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.65 EUR
10+0.39 EUR
100+0.25 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2056U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2056U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 940mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 339 pF @ 10 V
auf Bestellung 118608 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+0.71 EUR
49+0.44 EUR
59+0.36 EUR
67+0.31 EUR
100+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2056U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2056U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.038 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 660mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2056U-7DiodesMOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2056U-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3
auf Bestellung 148086 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.74 EUR
10+0.44 EUR
100+0.27 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2056U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 657000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2056U-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.7A; 0.94W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 0.94W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1528 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+0.31 EUR
363+0.24 EUR
499+0.17 EUR
564+0.15 EUR
722+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2056U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 940mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 339 pF @ 10 V
auf Bestellung 117000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.15 EUR
9000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2056U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2056U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.038 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 660mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2056U-7Diodes INC.N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 4 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 339 @ 10, Qg, нКл = 4,3 @ 4,5 В, Rds = 38 мОм @ 3,6 A, 4,5 В, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,94, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 1479 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2056U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2056U-7DIODES/ZETEXTransistor N-MOSFET; 20V; 8V; 38mOhm; 4A; 660mW; -55°C~150°C; Substitute: DMN2056U-13; DMN2056U-7 TDMN2056U-7 Diodes
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2056U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 657000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.15 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2056U-7-50Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2058UDiodes IncorporatedMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2058U-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2058U-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.7A; Idm: 24A; 1.13W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.7A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 1.13W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 91mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2058U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.13W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 10 V
auf Bestellung 9105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+1 EUR
35+0.62 EUR
42+0.51 EUR
50+0.44 EUR
100+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2058U-13Diodes INC.N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 4,6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 281 @ 10, Qg, нКл = 7,7 @ 10 В, Rds = 35 мОм @ 6 A, 10 В, Ugs(th) = 1,2 @ 250 мкА, Р, Вт = 1,13, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2058U-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
auf Bestellung 18472 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.99 EUR
10+0.44 EUR
100+0.38 EUR
500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2058U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.13W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2058U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.13W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2058U-7Diodes INC.N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 4,6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 281 @ 10, Qg, нКл = 7,7 @ 10 В, Rds = 35 мОм @ 6A, 10 В, Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1,13, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2058U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2058U-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 8V-24V
auf Bestellung 5627 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.99 EUR
10+0.44 EUR
100+0.38 EUR
500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2058U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 61025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1588+0.11 EUR
2062+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 1588 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2058U-7DIODES/ZETEXTransistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 40mOhm; 4,6A; 740mW; -55°C~150°C; Substitute: DMN2058U-13; DMN2058U-7 TDMN2058U-7 Diodes
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2058U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2058U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 342 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2058U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2058U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.6 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 740mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 2115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
190+1.32 EUR
311+0.75 EUR
491+0.44 EUR
650+0.33 EUR
1500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2058U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2058U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 61025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2062+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 2062 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2058U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.13W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 10 V
auf Bestellung 4466 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+1 EUR
35+0.62 EUR
42+0.51 EUR
50+0.44 EUR
100+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2058U-7Diodes Inc./ZetexMOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2058U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2058U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2058U-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.3A; 0.74W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 0.74W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+0.6 EUR
202+0.42 EUR
305+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2058U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2058U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.6 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 740mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 2115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
190+1.32 EUR
311+0.75 EUR
491+0.44 EUR
650+0.33 EUR
1500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2058U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2058U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 342 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2058UWDiodes IncorporatedMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2058UW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2058UW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.079 EUR
20000+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2058UW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT323 T&R 10K
auf Bestellung 15931 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.8 EUR
10+0.36 EUR
100+0.31 EUR
500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2058UW-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3A; Idm: 20A; 700mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 91mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2058UW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.079 EUR
20000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2058UW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT323 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1641 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
27+0.8 EUR
43+0.5 EUR
51+0.42 EUR
59+0.36 EUR
100+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2058UW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2058UW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2058UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.042 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
auf Bestellung 1341 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
233+1.08 EUR
378+0.62 EUR
599+0.36 EUR
814+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 233 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2058UW-7
Produktcode: 213724
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2058UW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2058UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-323 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2058UW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2058UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.042 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
auf Bestellung 1341 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
233+1.08 EUR
378+0.62 EUR
599+0.36 EUR
814+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 233 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2058UW-7DIODES/ZETEXTranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 91mOhm; 3,5A; 700mW; -55°C ~ 150°C; DMN2058UW-13; DMN2058UW7-DIO-0; DMN2058UW-7 TDMN2058UW-7 Diodes
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1410 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2058UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-323 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2058UW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT323 T&R 3K
auf Bestellung 2302 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.74 EUR
10+0.45 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2065UW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 309000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2065UW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N CH 20V 2.8A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
auf Bestellung 41579 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
29+0.74 EUR
46+0.45 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2065UW-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V 8V-24V SOT323 T&R 3K
auf Bestellung 16043 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2065UW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N CH 20V 2.8A SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
9000+0.13 EUR
21000+0.12 EUR
30000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2065UWQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V
auf Bestellung 10458 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.83 EUR
10+0.6 EUR
100+0.26 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.18 EUR
9000+0.15 EUR
24000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2065UWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2065UWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.052 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3469 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
234+1.07 EUR
388+0.6 EUR
700+0.31 EUR
800+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 234 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2065UWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 3.1A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 24030 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.86 EUR
40+0.52 EUR
100+0.33 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN2065UWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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