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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDS6676ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1708 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
563+1.18 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 563 Stücke
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FDS6676ASonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
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FDS6676ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 142500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
563+1.18 EUR
1000+1.07 EUR
10000+0.93 EUR
100000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 563 Stücke
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FDS6676ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1161 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
563+1.18 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 563 Stücke
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FDS6676ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
563+1.18 EUR
1000+1.07 EUR
10000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 563 Stücke
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FDS6676AS-Gonsemionsemi
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FDS6676AS-GonsemiDescription: 30V N-CHANNEL POWERTRENCH SYNCFE
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
auf Bestellung 24005 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
893+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 893 Stücke
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FDS6676AS-NL
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS6676ASNLFAIRCHILD
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS6676AS_GON SemiconductorFDS6676AS-G
auf Bestellung 1052 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
379+1.74 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 379 Stücke
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FDS6676AS_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V, NCH SINGLE, SO8, POWER TRENCH SYNCFET
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FDS6676NLFAIRCHILD
auf Bestellung 55000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS6676SON SemiconductorFDS6676S
auf Bestellung 3079 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
367+1.8 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 367 Stücke
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FDS6676SFAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS6676SFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4665 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
auf Bestellung 47465 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
430+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 430 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6676SON SemiconductorFDS6676S
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
367+1.8 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.44 EUR
10000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 367 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6676SONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6676S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 47465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 517 Stücke
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FDS6676SON SemiconductorFDS6676S
auf Bestellung 19386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
367+1.8 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.44 EUR
10000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 367 Stücke
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FDS6676S-NLFAIRCHILD09+
auf Bestellung 20018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6676SNLFAIRCHILD
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6676S_NLFSC09+
auf Bestellung 5028 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6678AFAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6678AF40FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3939 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 873 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+3.05 EUR
80+2.14 EUR
85+1.93 EUR
91+1.73 EUR
100+1.54 EUR
250+1.36 EUR
500+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
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FDS6679onsemiMOSFETs SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679-NLFDS
auf Bestellung 89000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS6679AZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.5 EUR
5000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679AZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
auf Bestellung 14917 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.87 EUR
12+1.82 EUR
100+1.21 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679AZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 7700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 18533 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679AZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
195+0.9 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.76 EUR
2500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679AZONS/FAIТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679AZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679AZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 921 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
126+1.4 EUR
127+1.37 EUR
176+0.96 EUR
250+0.94 EUR
500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679AZonsemiMOSFETs -30V P-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 5592 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.7 EUR
10+1.51 EUR
100+1.14 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.81 EUR
2500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679AZONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 14.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+1.98 EUR
58+1.49 EUR
67+1.29 EUR
92+0.93 EUR
104+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679AZFairchildP-MOSFET 30V 13A 1W FDS6679AZ Fairchild TFDS6679az
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679AZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.73 EUR
5000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679AZ
Produktcode: 34125
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FairchildTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 13 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0093 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2890/68
Montage: SMD
verfügbar: 25 St.
  • 7 St. - stock Köln
  • 18 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
1+1 EUR
10+0.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679AZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.5 EUR
5000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679AZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 7700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 18683 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679AZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679AZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 921 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+2.34 EUR
126+1.36 EUR
127+1.3 EUR
176+0.89 EUR
250+0.84 EUR
500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679AZFairchild/ON SemiconductorP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 13 А, Ptot, Вт = 1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3845 @ 15, Qg, нКл = 96 @ 10 В, Rds = 9,3 мОм @ 13 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679AZ-GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 49980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
665+0.99 EUR
1000+0.9 EUR
10000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 665 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679AZ-GonsemiDescription: FDS6P-CHANNPOWERTRENMOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679AZ-NLFairchild
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679AZ_NLFAIRCHILD
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679BZ-NLFDS
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679E
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679NLFAIRCHILD
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679ZFAIRCHILDSO-8
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679ZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3803 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679Z-NL
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679ZNLFAIRCHILD
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679Z_NLFAIRCHILD
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FDS6679_NLFAIRCHILD
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FDS6680NDS0004+
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FDS6680onsemi / FairchildMOSFET SO-8 N-CH 30V
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FDS6680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 6832 Stücke:
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268+2.46 EUR
500+2.19 EUR
1000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 268 Stücke
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FDS6680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-Pin SOIC T/R
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268+2.46 EUR
500+2.19 EUR
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Mindestbestellmenge: 268 Stücke
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FDS6680onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS6680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-Pin SOIC T/R
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268+2.46 EUR
500+2.19 EUR
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Mindestbestellmenge: 268 Stücke
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FDS6680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 14997 Stücke:
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268+2.46 EUR
500+2.19 EUR
1000+1.98 EUR
10000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 268 Stücke
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FDS6680Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 15 V
auf Bestellung 57204 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
214+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 214 Stücke
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FDS6680-NLFDS
auf Bestellung 94000 Stücke:
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FDS6680/AFSC09+ SO-8
auf Bestellung 12982 Stücke:
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FDS6680AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS6680AONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; 2.5W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Gate charge: 23nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 12.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+1.67 EUR
84+1.02 EUR
96+0.89 EUR
112+0.76 EUR
124+0.69 EUR
125+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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FDS6680AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS6680AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3675 Stücke:
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731+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 731 Stücke
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FDS6680A
Produktcode: 31312
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FairchildTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 11,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,01 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2070/19
Bemerkung: -
Montage: SMD
verfügbar: 24 St.
  • 5 St. - stock Köln
  • 19 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
1+1.34 EUR
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FDS6680Aonsemi / FairchildMOSFETs SO-8 SGL N-CH 30V
auf Bestellung 4131 Stücke:
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2+2.07 EUR
10+1.48 EUR
100+1.08 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.77 EUR
2500+0.68 EUR
5000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDS6680AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6680A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.5 A, 9500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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FDS6680AFairchildTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 15mOhm; 12,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6680A TFDS6680a
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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FDS6680AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+2.01 EUR
129+1.32 EUR
130+1.26 EUR
190+0.83 EUR
250+0.79 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
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FDS6680AonsemiMOSFETs SO-8 SGL N-CH 30V
auf Bestellung 2475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.45 EUR
10+1.52 EUR
100+1.09 EUR
500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDS6680AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V
auf Bestellung 2008 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.78 EUR
12+1.76 EUR
100+1.17 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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FDS6680AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+1.37 EUR
130+1.33 EUR
190+0.89 EUR
250+0.87 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
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FDS6680AONS/FAIMOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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FDS6680AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6680A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.5 A, 9500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDS6680A NLFAIRCHILD0947+ SOP8
auf Bestellung 2475 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS6680A-NBBI005AonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL, LOGIC LEVEL, P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6680A-NL
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6680AAS
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6680ANLFAIRCHILD
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6680ASONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6680AS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.5 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6680ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6680ASFairchildTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 15,5mOhm; 11,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6680AS TFDS6680as
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6680ASONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6680AS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.5 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 11.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6680ASonsemi / FairchildMOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6680ASonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6680ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6680AS-NLFDS
auf Bestellung 94000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDS6680ASNLFAIRCHILD
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6680A_NLFSC08+;
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6680A_NL/FSCFSC08+;
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6680A_Qonsemi / FairchildMOSFETs SO-8 SGL N-CH 30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6680NLFAIRCHILD
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6680SFAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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