Produkte > irf
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IRFH4253DTRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH4253DTRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 25 V, 145 A, 0.0011 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: FastIRFET HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0011ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal + Schottky Verlustleistung, n-Kanal: 50W Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2008 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH4255DTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 64A/105A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 3438 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH4255DTRPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 25V 64A/105A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 1790 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH4255DTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 13V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A, 105A Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Power - Max: 31W, 38W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH4255DTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 25V Single N-Ch HEXFET PWR 50A | auf Bestellung 3803 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH4255DTRPBF/BKN | Infineon Technologies | Description: IRFH4255DTRPBF/BKN | auf Bestellung 1229 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 15 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH4257DTRPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 25V 68A/111A 8-Pin QFN EP T/R | auf Bestellung 1834 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH4257DTRPBF | Infineon / IR | MOSFET 25V FastIRFET 4x5 POWER BLOCK PKG | auf Bestellung 720 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH4257DTRPBF | International Rectifier | Description: MOSFET 2N-CH 25V 25A PQFN Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 25W, 28W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1321pF @ 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA Supplier Device Package: Dual PQFN (5x4) | auf Bestellung 1834 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH5004PbF | Infineon / IR | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH5004TR2 Produktcode: 99482
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: PQFN5*6 Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V Drain-Strom Idd, A: 100 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2,6 mOhm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4490/73 Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFH5004TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 28A 8VQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4490 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH5004TR2PBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 40V 100A 2.6mOhm 73nC Qg | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH5004TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 28A/100A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4490 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH5004TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 2.6mOhms 73nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH5004TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5004TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 28A/100A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4490 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH5004TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5006 | Infineon Technologies | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH5006TR2 Produktcode: 99483
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: PQFN5*6 Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V Drain-Strom Idd, A: 100 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 4,1 mOhm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4175/69 Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFH5006TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4175 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH5006TR2PBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 60V 100A 4.1mOhm 67nC Qg | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH5006TR2PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH5006TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 4.1mOhms 67nC | auf Bestellung 5337 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH5006TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 9814 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5006TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5006TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0035 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.6W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 244 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5006TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5006TRPBF | International Rectifier | MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 4.1mOhms 67nC Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH5006TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 21A/100A 8PQFN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4175 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH5006TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 3558 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5006TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5006TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0035 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.6W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 244 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5006TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5006TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 21A/100A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4175 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH5007TR2 Produktcode: 99484
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: PQFN5*6 Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 V Drain-Strom Idd, A: 100 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5,9 mOhm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4290/65 Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFH5007TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 17A 5X6 PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 50A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH5007TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 17A 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH5007TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 17A/100A 8PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH5007TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5007TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.0051 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 156W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0051ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 3940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5007TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 17A 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH5007TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 5.9mOhms 65nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH5007TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 17A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 3340 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5007TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 17A/100A 8PQFN Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH5007TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5007TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.0051 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 156W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 3940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5010 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH5010PbF | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH5010TR2 Produktcode: 99485
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: PQFN5*6 Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V Drain-Strom Idd, A: 100 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 9,0 mOhm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4340/65 Montage: SMD | auf Bestellung: 37 St.
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| IRFH5010TR2PBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 100V 100A 9.0mOhm 65nC Qg | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH5010TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 13A 5X6 PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH5010TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 65nC | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH5010TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5010TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.0075 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.6W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH5010TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 595 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5010TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; 250W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 13A Power dissipation: 250W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH5010TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH5010TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5010TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.0075 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.6W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH5010TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 1622 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5015TR2 Produktcode: 99486
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: PQFN5*6 Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 V Drain-Strom Idd, A: 56 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 31 mOhm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2300/33 Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFH5015TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 10A 8VQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 34A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH5015TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 150V 56A 31mOhm 33nC Qg | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH5015TRPBF | International Rectifier | MOSFET 150V SINGLE N-CH 31mOhms 33nC, PQFN-8 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH5015TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH5015TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 150V SINGLE N-CH 31mOhms 33nC | auf Bestellung 2074 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH5015TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5015TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 10A/56A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 50 V | auf Bestellung 7798 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH5015TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5015TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 10 A, 0.031 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 3.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm | auf Bestellung 4519 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5015TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 3948 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5015TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH5015TRPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 410 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5015TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 12 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH5015TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 10A/56A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 50 V | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH5015TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5015TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 10 A, 0.031 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 3.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm | auf Bestellung 4519 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5015TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5015TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 10A; 250W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 10A Power dissipation: 250W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH5015TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5020TR Produktcode: 99487
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: PQFN5*6 Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V Drain-Strom Idd, A: 43 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 55 mOhm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2290/36 Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFH5020TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH5020TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 100 V | auf Bestellung 3671 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH5020TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 5.1A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 1220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5020TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 5.1A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 1824 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5020TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH5020TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.1A; 3.6W; PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Type of transistor: N-MOSFET Case: PQFN5X6 Kind of package: reel Polarisation: unipolar Power dissipation: 3.6W Drain current: 5.1A Drain-source voltage: 200V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH5020TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5020TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.047 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 3.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH5020TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 5.1A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5020TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 5.1A 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH5020TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 55mOhms 11nC | auf Bestellung 2506 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH5020TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5020TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.047 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 3.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH5020TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 5.1A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 1220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5025 | Infineon Technologies | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH5025TR2 Produktcode: 99488
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: PQFN5*6 Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 V Drain-Strom Idd, A: 25 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 100 mOhm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2150/37 Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFH5025TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH5025TR2PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN56 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH5025TR2PBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 250V 31A 104mOhm 36nC Qg | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH5025TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5025TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.084 ohm, PQFN, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250 Dauer-Drainstrom Id: 25 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 3.6 Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.084 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 11421 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5025TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 3.8A 8-Pin PQFN T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH5025TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 3.8A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFH5025TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 3.8A 8-Pin PQFN T/R | auf Bestellung 3788 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5025TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 250V 1 N-CH HEXFET 5MM X 6MM PQFN | auf Bestellung 3987 Stücke: Lieferzeit 178-182 Tag (e) |
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| IRFH5025TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5025TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.084 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 3.6 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 11421 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5025TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 3.8A 8-Pin PQFN T/R | auf Bestellung 3788 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5025TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 3.8A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V | auf Bestellung 366 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH5053TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 9.3A PQFN56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |