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Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 22998 Stücke:

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492+	1.11 EUR
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IRFH5301TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R

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IRFH5301TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R

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245+	0.6 EUR
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380+	0.33 EUR
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IRFH5302

MOSFETs

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IRFH5302DTR2PBF

Description: MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3635 pF @ 25 V

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IRFH5302DTR2PBF

International Rectifier

HEXFET Power MOSFET, 30V, 100A, 0,0025 Ohm, VQFN-8 Транзистори

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IRFH5302DTRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin PQFN EP T/R

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IRFH5302DTRPBF

Description: INFINEON - IRFH5302DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.002 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 104
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

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IRFH5302DTRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 29A/100A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3635 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

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IRFH5302DTRPBF

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 29A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 29A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

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IRFH5302DTRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin PQFN EP T/R

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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

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IRFH5302DTRPBF

Description: INFINEON - IRFH5302DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.002 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Produktpalette: HEXFET
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

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Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IRFH5302DTRPBF

MOSFET 20V DUAL N / P CH 2.5mOhms 26nC

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IRFH5302DTRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 29A/100A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3635 pF @ 25 V

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IRFH5302TR2PBF

Description: MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V

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IRFH5302TR2PBF

International Rectifier

HEXFET Power MOSFET, 30V, 100A, 0,0021 Ohm, PQFN5x6 Транзистори

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IRFH5302TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 790 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

154+	0.95 EUR
155+	0.93 EUR
188+	0.75 EUR
250+	0.73 EUR
500+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 154 Stücke

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IRFH5302TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

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IRFH5302TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 32A/100A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 819 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.75 EUR
15+	1.18 EUR
100+	0.9 EUR
500+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

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IRFH5302TRPBF

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

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IRFH5302TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 1730 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

498+	1.1 EUR
553+	0.98 EUR
1000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 498 Stücke

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IRFH5302TRPBF

MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 2.1mOhms 29nC

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Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH5302TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH5302TRPBF

Description: INFINEON - IRFH5302TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm

auf Bestellung 3450 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH5302TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH5302TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 32A/100A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH5302TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

197+	0.74 EUR
237+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 197 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH5302TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 790 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

131+	1.12 EUR
154+	0.92 EUR
155+	0.88 EUR
188+	0.7 EUR
250+	0.66 EUR
500+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 131 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH5302TRPBF

Description: INFINEON - IRFH5302TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm

auf Bestellung 3450 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH5303TR2PBF

Description: MOSFET N-CH 30V 23A/82A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH5303TRPBF

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH5304TR2PBF

Description: MOSFET N-CH 30V 22A 8VQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 47A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH5304TR2PBF

Description: INFINEON - IRFH5304TR2PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 79 A, 0.0038 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 79
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 46
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35
Verlustleistung: 46
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH5304TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 3899 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

129+	1.14 EUR
203+	0.71 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.55 EUR
2000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 129 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH5304TRPBF

MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 16nC

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.54 EUR
10+	1.37 EUR
100+	1.07 EUR
500+	0.88 EUR
1000+	0.7 EUR
2000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH5304TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 22A/79A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 10 V

auf Bestellung 10924 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

555+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 555 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH5304TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 14924 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

771+	0.71 EUR
1000+	0.65 EUR
10000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 771 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH5304TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 22A/79A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH5304TRPBF

Description: INFINEON - IRFH5304TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 79 A, 0.0038 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 46
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

auf Bestellung 2690 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH5304TRPBF

Infineon

MOSFET N-CH 30V 22A 8VQFN Транзистори

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2+	3.5 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH5304TRPBF

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH5306TR2PBF

Infineon / IR

MOSFET MOSFT 30V 44A 8.1mOhm mx 7.8nC Qg

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH5306TR2PBF

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 5X6 PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1125 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH5306TRPBF

Infineon / IR

MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.1mOhms 7.8nC

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IRFH5306TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 15A/44A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1125 pF @ 15 V

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IRFH5406

Infineon

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IRFH5406TR2PBF

Description: MOSFET N-CH 60V 40A 5X6 PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 25 V

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IRFH5406TRPBF

Description: MOSFET N-CH 60V 11A/40A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 25 V

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IRFH5406TRPBF

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PQFN EP T/R

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IRFH5406TRPBF

Description: INFINEON - IRFH5406TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0114 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 40
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Verlustleistung Pd: 46
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0114
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

auf Bestellung 926 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IRFH5406TRPBF

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PQFN EP T/R

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IRFH5406TRPBF

MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 14.4mOhms 23nC

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IRFH5406TRPBF

Description: MOSFET N-CH 60V 11A/40A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 25 V

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IRFH5406TRPBF

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PQFN EP T/R

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IRFH6200

MOSFETs

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IRFH6200TR2
Produktcode: 99496

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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: PQFN5*6
Uds,V: 20
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.99 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10890/155
JHGF: SMD

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1+	1.4 EUR

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IRFH6200TR2PBF
Produktcode: 144113

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IRFH6200TR2PBF

Description: MOSFET N-CH 20V 100A 5X6 PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10890 pF @ 10 V

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IRFH6200TRPBF

Trans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 20000 Stücke:

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4000+	1.12 EUR

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IRFH6200TRPBF

Trans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R

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IRFH6200TRPBF

Trans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 3230 Stücke:

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340+	1.61 EUR
500+	1.43 EUR
1000+	1.29 EUR

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IRFH6200TRPBF

Description: MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10890 pF @ 10 V

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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

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IRFH6200TRPBF

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 45A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 45A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

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IRFH6200TRPBF

Description: INFINEON - IRFH6200TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 950 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm

auf Bestellung 3662 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IRFH6200TRPBF

Trans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4000+	1.12 EUR

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IRFH6200TRPBF

Trans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

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45+	3.27 EUR
70+	2.06 EUR
100+	1.83 EUR
200+	1.35 EUR
500+	1.24 EUR
1000+	1.06 EUR

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IRFH6200TRPBF

MOSFETs 20V SINGLE N-CH 1.2mOhms 155nC

auf Bestellung 17385 Stücke:

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1+	3.71 EUR
10+	2.41 EUR
100+	1.71 EUR
500+	1.36 EUR
1000+	1.25 EUR
2000+	1.19 EUR
4000+	1.13 EUR

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IRFH6200TRPBF
Produktcode: 150522

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Verschiedene Bauteile > Other components 3

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IRFH6200TRPBF

Trans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

340+	1.61 EUR
500+	1.43 EUR
1000+	1.29 EUR

Mindestbestellmenge: 340 Stücke

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IRFH6200TRPBF

Description: INFINEON - IRFH6200TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 950 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm

auf Bestellung 3662 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IRFH6200TRPBF

Trans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4000+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

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IRFH6200TRPBF

Description: MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10890 pF @ 10 V

auf Bestellung 3912 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.78 EUR
10+	2.43 EUR
100+	1.66 EUR
500+	1.32 EUR
1000+	1.22 EUR
2000+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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IRFH6200TRPBF

Trans MOSFET N-CH 20V 49A 8-Pin PQFN EP T/R

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IRFH7004

MOSFETs

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IRFH7004TR2PBF
Produktcode: 63217

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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH7004TR2PBF

Description: MOSFET N CH 40V 100A PQFN5X6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6419 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)

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IRFH7004TRPBF

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 164A; Idm: 1247A; 156W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 164A
Power dissipation: 156W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1247A

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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH7004TRPBF

Description: INFINEON - IRFH7004TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 6127 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH7004TRPBF

Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 3203 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

367+	1.49 EUR
500+	1.33 EUR
1000+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 367 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH7004TRPBF

Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4000+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH7004TRPBF

Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6419 pF @ 25 V

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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH7004TRPBF

Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 4710 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

367+	1.49 EUR
500+	1.33 EUR
1000+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 367 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH7004TRPBF

Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH7004TRPBF

Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 1270 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

367+	1.49 EUR
500+	1.33 EUR
1000+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 367 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH7004TRPBF

Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

126+	1.17 EUR
127+	1.14 EUR
142+	1 EUR
250+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 126 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH7004TRPBF

Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4000+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH7004TRPBF

Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4000+	1.43 EUR

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH7004TRPBF

Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

64+	2.3 EUR
126+	1.13 EUR
127+	1.07 EUR
142+	0.92 EUR
250+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 64 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH7004TRPBF

Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6419 pF @ 25 V

auf Bestellung 3400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.6 EUR
11+	1.71 EUR
100+	1.31 EUR
500+	1.16 EUR
1000+	1.07 EUR
2000+	1.03 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH7004TRPBF

MOSFETs 40V 100A 1.4mOhm HEXFET 156W 134nC

auf Bestellung 4129 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.2 EUR
10+	1.05 EUR
25+	1.04 EUR
100+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFH7004TRPBF

Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 7730 Stücke:

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IRFH7004TRPBF

Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R

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IRFH7084

MOSFETs

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IRFH7084TRPBF

Description: INFINEON - IRFH7084TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1250 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

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IRFH7084TRPBF

IRFH7084TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 40A 8-Pin PQFN EP T/R - Arrow.com

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IRFH7084TRPBF

Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6560 pF @ 25 V

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IRFH7084TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 40A 8-Pin PQFN EP T/R - Arrow.com

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IRFH7084TRPBF

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

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