Produkte > IRF
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| IRFH5020TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5020TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.047 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 3.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH5020TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 5.1A 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH5020TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.1A; 3.6W; PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Type of transistor: N-MOSFET Case: PQFN5X6 Kind of package: reel Polarisation: unipolar Power dissipation: 3.6W Drain current: 5.1A Drain-source voltage: 200V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH5020TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH5020TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 5.1A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 1220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5020TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 5.1A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 1220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5020TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5020TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.047 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 3.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH5020TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 5.1A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 1824 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5020TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 100 V | auf Bestellung 3671 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH5020TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 5.1A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5020TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 55mOhms 11nC | auf Bestellung 2506 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH5025 | Infineon Technologies | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH5025TR2 Produktcode: 99488
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: PQFN5*6 Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 V Drain-Strom Idd, A: 25 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 100 mOhm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2150/37 Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFH5025TR2PBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 250V 31A 104mOhm 36nC Qg | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH5025TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH5025TR2PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN56 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH5025TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 3.8A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH5025TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 3.8A 8-Pin PQFN T/R | auf Bestellung 3788 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5025TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5025TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.084 ohm, PQFN, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250 Dauer-Drainstrom Id: 25 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 3.6 Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.084 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 11421 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5025TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 3.8A 8-Pin PQFN T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH5025TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 3.8A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V | auf Bestellung 366 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH5025TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 3.8A 8-Pin PQFN T/R | auf Bestellung 3788 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5025TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 250V 1 N-CH HEXFET 5MM X 6MM PQFN | auf Bestellung 3987 Stücke: Lieferzeit 178-182 Tag (e) |
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| IRFH5025TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5025TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.084 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 3.6 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 11421 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5053TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 9.3A PQFN56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH5053TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5053TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 0.0144 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 5286 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5053TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 9.3A 8-Pin PQFN T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5053TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 9.3A 8-Pin PQFN T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5053TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms 24nC | auf Bestellung 2133 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH5053TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5053TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 0.0144 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 5286 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5053TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 9.3A/46A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 50 V | auf Bestellung 6455 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH5053TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 9.3A 8-Pin PQFN T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5053TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 9.3A/46A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 50 V | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH5053TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 9.3A 8-Pin PQFN T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5053TRPBFXUMA1 | Infineon Technologies | IRFH5053TRPBFXUMA1 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH5053TRPBFXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH5104TR2 Produktcode: 99489
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: PQFN5*6 Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V Drain-Strom Idd, A: 24 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,5 mOhm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3120/53 Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFH5104TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 24A/100A PQFN Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 114W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH5104TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 24A/100A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 114W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 336 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH5104TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 24A/100A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 114W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH5104TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 3.5mOhms 53nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH5106 | Infineon Technologies | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH5106TR2 Produktcode: 99490
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: PQFN5*6 Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V Drain-Strom Idd, A: 21 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5,6 mOhm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3090/50 Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFH5106TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 50A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH5106TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 21A/100A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH5110 | Infineon Technologies | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH5110PbF (Transistor) Produktcode: 83582
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Lieblingsprodukt
| Verschiedene Bauteile > Other components 3 | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFH5110TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 37A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3152 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH5110TR2PBF | International Rectifier | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH5110TR2PBF Transistoren Produktcode: 103125
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Lieblingsprodukt
| Verschiedene Bauteile > Other components 3 | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFH5110TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH5110TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 12.4mOhms 48nC | auf Bestellung 591 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH5110TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 11A/63A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3152 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH5110TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 539 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5204 | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRFH5204TR2 Produktcode: 99491
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: PQFN5*6 Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V Drain-Strom Idd, A: 22 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 4,3 mOhm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2460/43 Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFH5204TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 22A PQFN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2460 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH5204TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 22A/100A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2460 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 105W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH5206TR2 Produktcode: 99492
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: PQFN5*6 Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V Drain-Strom Idd, A: 89 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 6,7 mOhm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2490/40 Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFH5206TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 16A 5X6 PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 89A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 50A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH5206TR2PBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 60V 87A 7mOhm 40nC Qg | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH5206TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 16A/89A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 89A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH5206TRPBF | Infineon / IR | MOSFET 60V SINGLE N-CH 6.7mOhms 40nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH5207TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 5X6 PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 43A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2474 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH5207TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 13A/71A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 105W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2474 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH5207TRPBF | Infineon / IR | MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 9.6mOhms 39nC | auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH5210TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 10A 5X6 PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 33A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH5210TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 10A/55A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 25 V | auf Bestellung 6938 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH5210TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5210TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 11900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5210TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 3921 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5210TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5210TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.0149 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 104W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0149ohm | auf Bestellung 259 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5210TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 14.9mOhms 39nC | auf Bestellung 4795 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH5210TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 10A/55A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 25 V | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFH5210TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5210TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH5210TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH5210TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5210TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5210TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.0149 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 104W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0149ohm | auf Bestellung 259 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5210TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH5210TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5215TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 5.0A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 27A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH5215TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 150V 27A 58mOhm 20nC Qg | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH5215TR2PBF (Transistor) Produktcode: 84275
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: PQFN5*6 Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 В Drain-Strom Idd, A: 17 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,06 Ом Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1350/21 Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFH5215TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5215TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 5A/27A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 27A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH5215TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5215TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5215TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 2165 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5215TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5215TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 58mOhms 20nC | auf Bestellung 3973 Stücke: Lieferzeit 200-204 Tag (e) |
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| IRFH5215TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 1886 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5215TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 5A/27A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 27A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH5215TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5215TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5215TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFH5215TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.058 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 1266 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5215TRPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH5215TRPBF(Transistor) Produktcode: 84276
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| Verschiedene Bauteile > Other components 3 | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFH5220 | Infineon Technologies | Array | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFH5220TR2 Produktcode: 99493
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| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: PQFN5*6 Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V Drain-Strom Idd, A: 20 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 99,9 mOhm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1380/20 Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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