Produkte > 2SC
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| 2SC991 | NEC | CAN | auf Bestellung 841 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC992 | NEC | CAN | auf Bestellung 657 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC993 | NEC | CAN | auf Bestellung 295 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC994 | NEC | CAN | auf Bestellung 336 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC995 | N/A | auf Bestellung 2200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2SC996 | auf Bestellung 17400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SC997 | NEC | CAN | auf Bestellung 145 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC998 | N/A | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2SC999 | TOS/HIT | 98+ TO-3 | auf Bestellung 3500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SC999A | TOS/HIT | 98+ TO-3 | auf Bestellung 3500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCA1797 | ROHM | SOT-89 | auf Bestellung 10010 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCB | General Wire | Description: 2" SIDE CUTTER BLADE Packaging: Box Type: Side Cutter Blade | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR293P5T100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 30V Vceo 1A Ic MPT3 | auf Bestellung 2402 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR293P5T100 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR293P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 330 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR293P5T100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 1A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: MPT3 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR293P5T100 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR293P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 330 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR293P5T100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 712 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR293P5T100 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 1A; 500mW; SC62,SOT89 Mounting: SMD Polarisation: bipolar Frequency: 320MHz Case: SC62; SOT89 Type of transistor: NPN Kind of package: reel; tape Collector current: 1A Power dissipation: 0.5W Collector-emitter voltage: 30V Current gain: 270...680 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR293P5T100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 1A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: MPT3 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW | auf Bestellung 4602 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR293PFRAT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 1A MPT3 Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: MPT3 Frequency - Transition: 320MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR293PFRAT100 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR293PFRAT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR293PFRAT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 1A MPT3 Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: MPT3 Frequency - Transition: 320MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR293PFRAT100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN SOT-89 1A 270 to 680hFE 30V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR293PFRAT100 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR293PFRAT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR293PHZGT100 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR293PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 270hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2W euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 1A Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 668 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR293PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR293PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 1A SOT-89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 2 W | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR293PHZGT100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN SOT89 30V | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR293PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 549 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR293PHZGT100 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR293PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 668 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR293PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 1A SOT-89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 2 W | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR293PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 2130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR293PT100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Trans GP BJT NPN 30V 1A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR293PT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 2763 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR293PT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR293PT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 359 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 321 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR293PT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 705 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR293PT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 1A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 2 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR341QTR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 400V 0.1A TSMT6 Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2mA, 20mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR341QTR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 400V 0.1A TSMT6 Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2mA, 20mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR341QTR | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 100mA Ic 400V TSMT6 | auf Bestellung 3643 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR341QTRP | Rohm Semiconductor | NPN Middle Power Transistor | auf Bestellung 1805 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR341QTRP | Rohm Semiconductor | NPN Middle Power Transistor | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR341QTRQ | ROHM | Description: ROHM - 2SCR341QTRQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 100 mA, 500 mW, TSMT, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120 DC-Stromverstärkung hFE: 120 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 500 Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | auf Bestellung 2960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR346PT100P | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 0.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR346PT100P | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 0.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR346PT100P | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 400V Vceo 100mA Ic MPT3 | auf Bestellung 1004 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR346PT100P | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 0.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 833 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR346PT100P | ROHM | Description: ROHM - 2SCR346PT100P - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 100 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 158 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR346PT100P | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 0.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 1364 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR346PT100P | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 0.1A; 500mW; SC62,SOT89 Case: SC62; SOT89 Mounting: SMD Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.5W Current gain: 82...180 Collector-emitter voltage: 400V Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Kind of package: reel; tape | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR346PT100P | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 0.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR346PT100P | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 0.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 267 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 224 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR346PT100P | ROHM | Description: ROHM - 2SCR346PT100P - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 100 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 158 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR346PT100P | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 0.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR346PT100Q | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 0.1A; 500mW; SC62,SOT89 Case: SC62; SOT89 Mounting: SMD Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.5W Current gain: 120...270 Collector-emitter voltage: 400V Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Kind of package: reel; tape | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR346PT100Q | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 400V Vceo 100mA Ic MPT3 | auf Bestellung 1558 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR372P5T100Q | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 795 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR372P5T100Q | ROHM | Description: ROHM - 2SCR372P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 700mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 220MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 63 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR372P5T100Q | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 220MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 500 mW | auf Bestellung 892 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR372P5T100Q | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 1795 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR372P5T100Q | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 120V Vceo 700mA Ic MPT3 | auf Bestellung 1967 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR372P5T100Q | ROHM | Description: ROHM - 2SCR372P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 700mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 220MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 80 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR372P5T100Q | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 0.7A; 500mW; SC62,SOT89 Mounting: SMD Polarisation: bipolar Frequency: 390MHz Case: SC62; SOT89 Type of transistor: NPN Kind of package: reel; tape Collector current: 0.7A Power dissipation: 0.5W Collector-emitter voltage: 120V Current gain: 120...270 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR372P5T100Q | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 220MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 500 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR372P5T100Q | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 2950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR372P5T100R | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 120V Vceo 700mA Ic MPT3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR372P5T100R | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR372P5T100R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3 Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Part Status: Active Supplier Device Package: MPT3 Frequency - Transition: 220MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR372P5T100R | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 645 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR372P5T100R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3 Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Part Status: Active Supplier Device Package: MPT3 Frequency - Transition: 220MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR372PFRAT100Q | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3 Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: MPT3 Frequency - Transition: 220MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR372PFRAT100Q | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 120V 0.7A 1E+21W SOT-89 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR372PFRAT100Q | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 220MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 500 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR372PFRAT100R | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 120V 0.7A 1E+21W SOT-89 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR372PFRAT100R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3 Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: MPT3 Frequency - Transition: 220MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR372PFRAT100R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 220MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 500 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR372PHZGT100Q | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 120V 0.7A SOT-89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 220MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 500 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR372PHZGT100Q | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 0.7A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 790 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR372PHZGT100Q | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 120V 0.7A SOT-89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 220MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 500 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR372PHZGT100Q | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 0.7A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR372PHZGT100Q | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-89, 120V 0.7A, Medium Power Transistor | auf Bestellung 1957 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR372PHZGT100Q | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 0.7A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR372PT100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR372PT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR372PT100Q | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3 Power - Max: 2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Supplier Device Package: MPT3 Frequency - Transition: 220MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR372PT100Q | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Trans GP BJT NPN 120V 0.7A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR372PT100R | Rohm Semiconductor | 2SCR372PT100R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR372PT100R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3 Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Supplier Device Package: MPT3 Frequency - Transition: 220MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR372PT100R | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Trans GP BJT NPN 120V 0.7A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR372PT100R | Rohm Semiconductor | 2SCR372PT100R | auf Bestellung 938 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR375P5T100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 68 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 9 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR375P5T100Q | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 120V Vceo 1.5A Ic MPT3 | auf Bestellung 11955 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR375P5T100Q | ROHM | Description: ROHM - 2SCR375P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR375P5T100Q | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 120V 1.5A MPT3 | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR375P5T100Q | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 9730 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR375P5T100Q | ROHM | Description: ROHM - 2SCR375P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR375P5T100Q | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 120V 1.5A MPT3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2SCR375P5T100Q | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 1.5A 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | auf Bestellung 595 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR375P5T100R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 120V 1.5A MPT3 | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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