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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2SCR293PT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 321 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR293PT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 1A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR293PT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 705 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
409+0.43 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 409 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR341QTRROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 100mA Ic 400V TSMT6
auf Bestellung 3643 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.83 EUR
10+1.14 EUR
100+0.75 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.54 EUR
3000+0.44 EUR
6000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR341QTRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 400V 0.1A TSMT6
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2mA, 20mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.74 EUR
20+1.08 EUR
100+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR341QTRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 400V 0.1A TSMT6
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2mA, 20mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR341QTRPRohm SemiconductorNPN Middle Power Transistor
auf Bestellung 1805 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
669+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 669 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR341QTRPRohm SemiconductorNPN Middle Power Transistor
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
342+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 342 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR341QTRQROHMDescription: ROHM - 2SCR341QTRQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 100 mA, 500 mW, TSMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120
DC-Stromverstärkung hFE: 120
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
196+1.29 EUR
224+1.04 EUR
284+0.76 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 196 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR346PT100PRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 0.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR346PT100PROHMDescription: ROHM - 2SCR346PT100P - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 100 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR346PT100PRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 0.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR346PT100PRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 0.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 833 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
285+0.64 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 285 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR346PT100PRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 0.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 1364 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1318+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 1318 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR346PT100PROHMDescription: ROHM - 2SCR346PT100P - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 100 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
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2SCR346PT100PROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 400V Vceo 100mA Ic MPT3
auf Bestellung 1004 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.92 EUR
10+1.19 EUR
100+0.77 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
2000+0.46 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR346PT100PRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 0.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
285+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 285 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR346PT100PRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 0.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 224 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR346PT100PROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 0.1A; 500mW; SC62,SOT89
Case: SC62; SOT89
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Current gain: 82...180
Collector-emitter voltage: 400V
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR346PT100PRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 0.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
274+0.64 EUR
285+0.61 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 274 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR346PT100QROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 400V Vceo 100mA Ic MPT3
auf Bestellung 1558 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.92 EUR
10+1.19 EUR
100+0.77 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
2000+0.46 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR346PT100QRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 400V 0.1A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 740 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.95 EUR
18+1.21 EUR
100+0.79 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR346PT100QROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 0.1A; 500mW; SC62,SOT89
Case: SC62; SOT89
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Current gain: 120...270
Collector-emitter voltage: 400V
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR346PT100QRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 400V 0.1A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372P5T100QROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 0.7A; 500mW; SC62,SOT89
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Frequency: 390MHz
Case: SC62; SOT89
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.7A
Power dissipation: 0.5W
Collector-emitter voltage: 120V
Current gain: 120...270
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372P5T100QRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
145+1.23 EUR
296+0.58 EUR
323+0.52 EUR
325+0.51 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372P5T100QROHMDescription: ROHM - 2SCR372P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372P5T100QRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 1795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
141+1.25 EUR
288+0.61 EUR
315+0.54 EUR
317+0.52 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 141 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372P5T100QRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 892 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.82 EUR
19+1.13 EUR
100+0.74 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372P5T100QROHMDescription: ROHM - 2SCR372P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372P5T100QROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 120V Vceo 700mA Ic MPT3
auf Bestellung 1967 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.83 EUR
10+1.14 EUR
100+0.75 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.52 EUR
2000+0.45 EUR
5000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372P5T100QRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
269+0.65 EUR
280+0.62 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.55 EUR
2500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 269 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372P5T100QRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372P5T100RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 220MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372P5T100RRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372P5T100RROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 120V Vceo 700mA Ic MPT3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372P5T100RRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
446+0.39 EUR
453+0.37 EUR
460+0.36 EUR
468+0.33 EUR
476+0.32 EUR
484+0.3 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 446 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372P5T100RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 220MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372PFRAT100QROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 120V 0.7A 1E+21W SOT-89
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372PFRAT100QRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 220MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372PFRAT100QRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372PFRAT100RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372PFRAT100RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 220MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372PFRAT100RROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 120V 0.7A 1E+21W SOT-89
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372PHZGT100QRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 0.7A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+1.54 EUR
163+1.07 EUR
232+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372PHZGT100QROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN, SOT-89, 120V 0.7A, Medium Power Transistor
auf Bestellung 1957 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.59 EUR
10+1.59 EUR
100+1.05 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.7 EUR
2000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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2SCR372PHZGT100QRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 0.7A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372PHZGT100QRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 0.7A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
491+0.36 EUR
513+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 491 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372PHZGT100QRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 0.7A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372PHZGT100QRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 0.7A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
192+0.92 EUR
250+0.87 EUR
500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 192 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372PT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
294+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 294 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372PT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372PT100QROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT Trans GP BJT NPN 120V 0.7A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372PT100QRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 220MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372PT100RROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT Trans GP BJT NPN 120V 0.7A
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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2SCR372PT100RRohm Semiconductor2SCR372PT100R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
328+0.54 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 328 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372PT100RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 220MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372PT100RRohm Semiconductor2SCR372PT100R
auf Bestellung 938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
328+0.54 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 328 Stücke
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2SCR375P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR375P5T100QRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 1.5A 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
397+0.44 EUR
409+0.42 EUR
431+0.38 EUR
435+0.36 EUR
456+0.33 EUR
462+0.31 EUR
500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 397 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR375P5T100QRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 1.5A MPT3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR375P5T100QROHMDescription: ROHM - 2SCR375P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.5 EUR
160+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR375P5T100QROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 120V Vceo 1.5A Ic MPT3
auf Bestellung 11955 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.43 EUR
10+1.25 EUR
100+0.96 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.55 EUR
5000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR375P5T100QRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 9730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
197+0.89 EUR
250+0.84 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.76 EUR
2500+0.73 EUR
5000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 197 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR375P5T100QRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 1.5A MPT3
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR375P5T100QROHMDescription: ROHM - 2SCR375P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.5 EUR
160+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR375P5T100RROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 120V Vceo 1.5A Ic MPT3
auf Bestellung 1963 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.89 EUR
10+1.18 EUR
100+0.77 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
2000+0.46 EUR
5000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR375P5T100RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 1.5A MPT3
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.38 EUR
18+1.18 EUR
100+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR375P5T100RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 1.5A MPT3
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.38 EUR
18+1.21 EUR
100+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR375P5T100RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 1.5A MPT3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR375PHZGT100QRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 1.5A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 80mA, 800mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR375PHZGT100QROHMDescription: ROHM - 2SCR375PHZGT100Q - Transistor, Bipolartransistor, NPN, 120V, 1.5A, SOT-89, AEC-Q101, 120hFE
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 563 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+3.72 EUR
139+1.68 EUR
197+1.08 EUR
500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR375PHZGT100QRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 1.5A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
409+0.43 EUR
411+0.42 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 409 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR375PHZGT100QRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 1.5A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 80mA, 800mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 1263 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.2 EUR
16+1.38 EUR
100+0.92 EUR
500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR375PHZGT100QROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN, SOT-89, 120V 1.5A, Middle Power Transistor
auf Bestellung 973 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.34 EUR
10+1.48 EUR
100+0.98 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.74 EUR
2000+0.6 EUR
5000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR375PHZGT100QRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 1.5A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 844 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
187+0.94 EUR
250+0.89 EUR
500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 187 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR375PT100QRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
299+0.6 EUR
337+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 299 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR375PT100QRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
286+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 286 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR375PT100RRohm Semiconductor2SCR375PT100R
auf Bestellung 984 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
345+0.51 EUR
500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 345 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR502E3HZGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
382+0.46 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.42 EUR
2500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 382 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR502E3HZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 0.5A EMT3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT3
Frequency - Transition: 360MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR502E3HZGTLROHMDescription: ROHM - 2SCR502E3HZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
260+0.96 EUR
308+0.75 EUR
441+0.49 EUR
589+0.37 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 260 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR502E3HZGTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN, SOT-416, 30V 500mA, General Purpose Amplification Transistor
auf Bestellung 4395 Stücke:
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5+0.83 EUR
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500+0.24 EUR
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3000+0.19 EUR
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR502E3HZGTLROHMDescription: ROHM - 2SCR502E3HZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 360
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2990 Stücke:
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260+0.96 EUR
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Mindestbestellmenge: 260 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR502E3HZGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2690 Stücke:
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1038+0.17 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR502E3HZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 0.5A EMT3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT3
Frequency - Transition: 360MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
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26+0.82 EUR
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500+0.24 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR502E3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 0.5A EMT3
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT3
Frequency - Transition: 360MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2790 Stücke:
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39+0.55 EUR
65+0.32 EUR
105+0.2 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR502E3TLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.5A 150mW 3-Pin EMT
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 Mindestbestellmenge: 445 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR502E3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 0.5A EMT3
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT3
Frequency - Transition: 360MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR502E3TLROHMDescription: ROHM - 2SCR502E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2990 Stücke:
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385+0.65 EUR
637+0.37 EUR
1023+0.21 EUR
1495+0.14 EUR
1695+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 385 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR502E3TLROHMDescription: ROHM - 2SCR502E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
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637+0.37 EUR
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2SCR502E3TLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN, SOT-416, 30V 0.5A, General Purpose Transistor
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7+0.54 EUR
11+0.32 EUR
100+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR502EBHZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 0.5A EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
39+0.55 EUR
65+0.32 EUR
105+0.2 EUR
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2SCR502EBHZGTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 30V 0.5A 0.15W SOT-416FL
auf Bestellung 2986 Stücke:
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7+0.54 EUR
11+0.32 EUR
100+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR502EBHZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 0.5A EMT3F
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Frequency - Transition: 360MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR502EBTLROHMDescription: ROHM - 2SCR502EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR502EBTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Digital Transtr Driver
auf Bestellung 5785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.43 EUR
13+0.26 EUR
100+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.094 EUR
6000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR502EBTLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 0.5A 3-Pin EMTF T/R
auf Bestellung 5120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1004+0.18 EUR
1037+0.17 EUR
2500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 1004 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR502EBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 0.5A EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 2489 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.42 EUR
80+0.26 EUR
128+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR502EBTLRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 0.5A 3-Pin EMTF T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1004+0.18 EUR
1037+0.17 EUR
2500+0.15 EUR
10000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 1004 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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