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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2SC991NECCAN
auf Bestellung 841 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC992NECCAN
auf Bestellung 657 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC993NECCAN
auf Bestellung 295 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC994NECCAN
auf Bestellung 336 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC995N/A
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC996
auf Bestellung 17400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC997NECCAN
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC998N/A
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC999TOS/HIT98+ TO-3
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC999ATOS/HIT98+ TO-3
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCA1797ROHMSOT-89
auf Bestellung 10010 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCBGeneral WireDescription: 2" SIDE CUTTER BLADE
Packaging: Box
Type: Side Cutter Blade
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+41.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR293P5T100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 1A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: MPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 4602 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.94 EUR
37+0.58 EUR
100+0.37 EUR
500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR293P5T100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 30V Vceo 1A Ic MPT3
auf Bestellung 2402 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.04 EUR
10+0.64 EUR
100+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
2000+0.2 EUR
25000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR293P5T100ROHMDescription: ROHM - 2SCR293P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
198+1.26 EUR
321+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR293P5T100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 1A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: MPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.25 EUR
2000+0.23 EUR
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR293P5T100ROHMDescription: ROHM - 2SCR293P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
198+1.26 EUR
321+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR293P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 712 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
205+0.84 EUR
250+0.8 EUR
500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 205 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR293P5T100ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 1A; 500mW; SC62,SOT89
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Frequency: 320MHz
Case: SC62; SOT89
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 270...680
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR293PFRAT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 1A MPT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR293PFRAT100ROHMDescription: ROHM - 2SCR293PFRAT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR293PFRAT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 1A MPT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR293PFRAT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN SOT-89 1A 270 to 680hFE 30V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR293PFRAT100ROHMDescription: ROHM - 2SCR293PFRAT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR293PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 2130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
453+0.38 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 453 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR293PHZGT100ROHMDescription: ROHM - 2SCR293PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 270hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1A
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 668 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+2.14 EUR
173+1.34 EUR
262+0.82 EUR
500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR293PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
249+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 249 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR293PHZGT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 1A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.93 EUR
18+1.2 EUR
100+0.79 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR293PHZGT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN SOT89 30V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.62 EUR
10+1.09 EUR
100+0.73 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.46 EUR
2000+0.4 EUR
5000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR293PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 549 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
355+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 355 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR293PHZGT100ROHMDescription: ROHM - 2SCR293PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 668 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+2.14 EUR
173+1.34 EUR
262+0.82 EUR
500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR293PHZGT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 1A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR293PT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 705 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
409+0.42 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 409 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR293PT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 1A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR293PT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT Trans GP BJT NPN 30V 1A
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR293PT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 2763 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1086+0.15 EUR
1139+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 1086 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR293PT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
409+0.42 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.38 EUR
2500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 409 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR293PT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 321 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR341QTRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 400V 0.1A TSMT6
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2mA, 20mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.74 EUR
20+1.08 EUR
100+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR341QTRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 400V 0.1A TSMT6
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2mA, 20mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR341QTRROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 100mA Ic 400V TSMT6
auf Bestellung 3643 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.83 EUR
10+1.14 EUR
100+0.75 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.54 EUR
3000+0.44 EUR
6000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR341QTRPRohm SemiconductorNPN Middle Power Transistor
auf Bestellung 1805 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
669+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 669 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR341QTRPRohm SemiconductorNPN Middle Power Transistor
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
342+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 342 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR341QTRQROHMDescription: ROHM - 2SCR341QTRQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 100 mA, 500 mW, TSMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120
DC-Stromverstärkung hFE: 120
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
196+1.29 EUR
224+1.04 EUR
284+0.76 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 196 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR346PT100PRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 0.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 28 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR346PT100PRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 0.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 170 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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2SCR346PT100PROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 400V Vceo 100mA Ic MPT3
auf Bestellung 1004 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.92 EUR
10+1.19 EUR
100+0.77 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
2000+0.46 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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2SCR346PT100PRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 0.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 833 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
285+0.63 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 285 Stücke
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2SCR346PT100PROHMDescription: ROHM - 2SCR346PT100P - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 100 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
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2SCR346PT100PRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 0.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 1364 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1318+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 1318 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR346PT100PROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 0.1A; 500mW; SC62,SOT89
Case: SC62; SOT89
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Current gain: 82...180
Collector-emitter voltage: 400V
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR346PT100PRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 0.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
285+1.06 EUR
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2SCR346PT100PRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 0.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 224 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR346PT100PROHMDescription: ROHM - 2SCR346PT100P - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 100 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
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2SCR346PT100PRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 0.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
274+0.63 EUR
285+0.6 EUR
500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 274 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR346PT100QROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 0.1A; 500mW; SC62,SOT89
Case: SC62; SOT89
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Current gain: 120...270
Collector-emitter voltage: 400V
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR346PT100QROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 400V Vceo 100mA Ic MPT3
auf Bestellung 1558 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.92 EUR
10+1.19 EUR
100+0.77 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
2000+0.46 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372P5T100QRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
145+1.19 EUR
296+0.57 EUR
323+0.51 EUR
325+0.5 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372P5T100QROHMDescription: ROHM - 2SCR372P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372P5T100QRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 892 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.82 EUR
19+1.13 EUR
100+0.74 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372P5T100QRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 1795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
141+1.23 EUR
288+0.6 EUR
315+0.52 EUR
317+0.51 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 141 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372P5T100QROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 120V Vceo 700mA Ic MPT3
auf Bestellung 1967 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.83 EUR
10+1.14 EUR
100+0.75 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.52 EUR
2000+0.45 EUR
5000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372P5T100QROHMDescription: ROHM - 2SCR372P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372P5T100QROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 0.7A; 500mW; SC62,SOT89
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Frequency: 390MHz
Case: SC62; SOT89
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.7A
Power dissipation: 0.5W
Collector-emitter voltage: 120V
Current gain: 120...270
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372P5T100QRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372P5T100QRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
269+0.64 EUR
280+0.61 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.54 EUR
2500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 269 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372P5T100RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 220MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372P5T100RROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 120V Vceo 700mA Ic MPT3
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372P5T100RRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372P5T100RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 220MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372P5T100RRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
446+0.38 EUR
453+0.37 EUR
460+0.35 EUR
468+0.33 EUR
476+0.31 EUR
484+0.3 EUR
500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 446 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372PFRAT100QRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 220MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372PFRAT100QROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 120V 0.7A 1E+21W SOT-89
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372PFRAT100QRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372PFRAT100RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372PFRAT100RROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 120V 0.7A 1E+21W SOT-89
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372PFRAT100RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 220MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372PHZGT100QRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 0.7A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+1.5 EUR
163+1.05 EUR
232+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372PHZGT100QRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 0.7A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372PHZGT100QRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 0.7A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
491+0.35 EUR
513+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 491 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372PHZGT100QRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 0.7A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372PHZGT100QRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 0.7A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
192+0.89 EUR
250+0.84 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 192 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372PHZGT100QROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN, SOT-89, 120V 0.7A, Medium Power Transistor
auf Bestellung 1957 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.59 EUR
10+1.59 EUR
100+1.05 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.7 EUR
2000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR372PT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
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2SCR372PT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
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2SCR372PT100QROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT Trans GP BJT NPN 120V 0.7A
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2SCR372PT100QRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 220MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
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2SCR372PT100RRohm Semiconductor2SCR372PT100R
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2SCR372PT100RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 220MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
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2SCR372PT100RROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT Trans GP BJT NPN 120V 0.7A
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2SCR372PT100RRohm Semiconductor2SCR372PT100R
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2SCR375P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
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2SCR375P5T100QRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 1.5A 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
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2SCR375P5T100QROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 120V Vceo 1.5A Ic MPT3
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100+0.96 EUR
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2SCR375P5T100QROHMDescription: ROHM - 2SCR375P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 170 Stücke:
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100+2.5 EUR
160+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2SCR375P5T100QRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 1.5A MPT3
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2SCR375P5T100QRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
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197+0.88 EUR
250+0.83 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.74 EUR
2500+0.7 EUR
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 197 Stücke
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2SCR375P5T100QROHMDescription: ROHM - 2SCR375P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.5 EUR
160+1.45 EUR
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2SCR375P5T100QRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 1.5A MPT3
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2SCR375P5T100RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 1.5A MPT3
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18+1.18 EUR
100+0.88 EUR
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