Produkte > 2N5
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| 2N5277 | MOT | CAN | auf Bestellung 336 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5278 | MOT | CAN | auf Bestellung 655 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5279 | MOT | CAN | auf Bestellung 145 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N527A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2N528 | MOTOROLA | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2N5280 | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5281 | MOT | CAN | auf Bestellung 328 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5282 | MOT | CAN | auf Bestellung 687 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5284 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2.5mA, 5mA Supplier Device Package: TO-59 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 50 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5285 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: PNP Supplier Device Package: TO-59 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 50 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5286 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Power - Max: 50 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-59 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 5mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Stud Mount Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5286 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5287 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 5mA Supplier Device Package: TO-59 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 50 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5288 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5289 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N528A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2N529 | MOTOROLA | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2N5290 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5290 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Power - Max: 116 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-61 Transistor Type: PNP Mounting Type: Stud Mount Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5291 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5291 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Power - Max: 116 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-61 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 5mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Stud Mount Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5292 | MOT | CAN | auf Bestellung 987 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5296 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 60Vcbo 60Vcev 4.0A 50Vcer 40Vceo 36W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5296 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 60Vcbo 60Vcev 4.0A 50Vcer 40Vceo 36W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5298 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Purp Power | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5298 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 80Vcbo 80Vcev 70Vcer 60Vceo 36W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N529A | MOTOROLA | auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2N53 | CAN | auf Bestellung 1030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2N530 | MOTOROLA | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2N5301 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5301 | MULTICOMP | Description: MULTICOMP - 2N5301 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 30 A, 200 W, TO-3, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 40 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 30 MSL: - Verlustleistung: 200 Bauform - Transistor: TO-3 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 2 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5301 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5301 | NTE Electronics, Inc | Description: TRANS NPN 40V 30A TO3 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 6A, 30A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Bag Power - Max: 200 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-3 Frequency - Transition: 2MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 5mA | auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2N5301 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Hi-Pwr Amp | auf Bestellung 287 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2N5301 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 40V 30A TO3 Power - Max: 200 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Supplier Device Package: TO-3 Frequency - Transition: 4MHz Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5302 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 60V 30A 5W NPN Power BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5302 | MOTOROLA | auf Bestellung 550 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2N5302 | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 6A, 30A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 15A, 2V Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 5 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5302 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 60V 30A 5000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5302 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5302 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 30A 60V 200W NPN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5302G | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 30A TO204 Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Bulk Power - Max: 200 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Frequency - Transition: 2MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 15A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 5mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 6A, 30A | auf Bestellung 1330 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2N5302G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N5302G | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 30A TO204 Frequency - Transition: 2MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 15A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 5mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 6A, 30A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Tray Power - Max: 200 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5302G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | auf Bestellung 603 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N5302G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 30A 60V 200W NPN | auf Bestellung 121 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5302G | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N5302G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 30 A, 200 W, TO-204AA, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 2 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 30 Verlustleistung: 200 Bauform - Transistor: TO-204AA Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: 2NXXXX Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 2 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: Lead (19-Jan-2021) | auf Bestellung 514 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N5302GE | 88+ | auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2N5303 | MOT | SOT-23-5 | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5303 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 80V 20A 5W NPN Power BJT THT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5303 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - 2N5303 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 20 A, 200 W, TO-3, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 40 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 20 Verlustleistung: 200 Bauform - Transistor: TO-3 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 2 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5303 | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 4A, 20A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 2V Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3) Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 5 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5303 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 80V 20A 5000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5303 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5303 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 80V 20A TO3 Power - Max: 200 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Supplier Device Package: TO-3 Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Tube Frequency - Transition: 2MHz | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5303 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 20A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5303 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Hi-Pwr Amp | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5303 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 80Vcbo 80Vceo 20A 7.5A 200W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5306 | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 25V 1.2A TO92-3 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A Supplier Device Package: TO-92-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7000 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN - Darlington Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5306 | onsemi / Fairchild | Darlington Transistors NPN Transistor Darlington | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5306 APM PBFREE | Central Semiconductor | Darlington Transistors 300mA,25V Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Darlington | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5306 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | Darlington Transistors 300mA,25V Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Darlington | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5306 PBFREE | Central Semiconductor | Darlington Transistors NPN Darl Amp | auf Bestellung 1980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2N5306 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN DARL 25V 0.3A TO-92 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5306 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 25Vcbo 25Vceo 12Vebo 300mA 625mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5306 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN DARL 25V 0.3A TO92-3 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 60MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7000 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN - Darlington Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bulk | auf Bestellung 3231 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2N5306 TRE PBFREE | Central Semiconductor | Darlington Transistors 300mA,25V Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Darlington | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5306 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | Darlington Transistors 300mA,25V Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Darlington | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5306_D74Z | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 25V 1.2A TO92-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5306_Q | onsemi / Fairchild | Darlington Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5307 | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO92-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5307_D74Z | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO-92 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5308 | onsemi | Darlington Transistors NPN Transistor Darlington | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5308 | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7000 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5308 APM PBFREE | Central Semiconductor | Darlington Transistors 300mA,40V Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Darlington | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5308 APM PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 300MA 40V TH TRANSISTOR-SMALL SI Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7000 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5308 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | Darlington Transistors 300mA,40V Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Darlington | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5308 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 300MA 40V TH TRANSISTOR-SMALL SI Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7000 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5308 APP PBFREE | Central Semiconductor | Darlington Transistors NPN 40Vcbo 40Vceo 12Vebo 300mA 625mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5308 APP PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 300MA 40V TH TRANSISTOR-SMALL SI Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7000 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5308 APP TIN/LEAD | Central Semiconductor | Darlington Transistors NPN 40Vcbo 40Vceo 12Vebo 300mA 625mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5308 APP TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 300MA 40V TH TRANSISTOR-SMALL SI Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7000 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5308 PBFREE | Central Semiconductor | Trans Darlington NPN 40V 0.3A 625mW 3-Pin TO-92 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5308 PBFREE | Central Semiconductor | Darlington Transistors NPN Darl Amp | auf Bestellung 2051 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2N5308 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN DARL 40V 0.3A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7000 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW | auf Bestellung 2021 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2N5308 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 40Vcbo 40Vceo 12Vebo 300mA 625mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5308 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 300MA 40V TH TRANSISTOR-SMALL SI Packaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7000 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5308 TRA PBFREE | Central Semiconductor | Darlington Transistors NPN 40Vcbo 40Vceo 12Vebo 300mA 625mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5308 TRA PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 300MA 40V TH TRANSISTOR-SMALL SI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7000 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5308 TRA TIN/LEAD | Central Semiconductor | Darlington Transistors NPN 40Vcbo 40Vceo 12Vebo 300mA 625mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5308 TRA TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 300MA 40V TH TRANSISTOR-SMALL SI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7000 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5308 TRE PBFREE | Central Semiconductor | Darlington Transistors 300mA,40V Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Darlington | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5308 TRE PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 300MA 40V TH TRANSISTOR-SMALL SI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7000 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5308 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | Darlington Transistors 300mA,40V Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Darlington | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5308 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 300MA 40V TH TRANSISTOR-SMALL SI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7000 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5308_D26Z | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO92-3 Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7000 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN - Darlington Mounting Type: Through Hole | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5308_D27Z | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO92-3 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7000 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN - Darlington Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5308_D74Z | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO92-3 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7000 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN - Darlington Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Box (TB) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5308_D75Z | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO92-3 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7000 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN - Darlington Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Box (TB) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| 2N5308_Q | onsemi / Fairchild | Darlington Transistors NPN Transistor Darlington | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |