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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXGT32N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 75A 350000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT32N170 T&RIXYSDescription: IGBT 1700V 75A 350W TO268
auf Bestellung 1237 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT32N170 T&RIXYSDescription: IGBT 1700V 75A 350W TO268
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT32N170-TRLIXYSDescription: IGBT NPT 1700V 75A TO-268AA
Power - Max: 350 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Part Status: Active
Gate Charge: 155 nC
Test Condition: 1020V, 32A, 2.7Ohm, 15V
Switching Energy: 11mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/270ns
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 32A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
400+39.21 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT32N170-TRLLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 75A 350000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268 T/R
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 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT32N170-TRLIXYSDescription: IGBT NPT 1700V 75A TO-268AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-268AA
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/270ns
Switching Energy: 11mJ (off)
Test Condition: 1020V, 32A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 350 W
auf Bestellung 1054 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+64.09 EUR
10+47.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT32N170-TRLIXYSIGBTs IXGT32N170 TRL
auf Bestellung 624 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+54.29 EUR
10+41.84 EUR
100+39.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT32N170AIXYSIGBT Transistors 72 Amps 1700 V 5.0 V Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT32N170AIXYSDescription: IGBT NPT 1700V 32A TO-268AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT32N60BD1IXYSDescription: IGBT 600V 60A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-268AA
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/100ns
Switching Energy: 600µJ (off)
Test Condition: 480V, 32A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT32N60CIXYSDescription: IGBT 600V 60A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-268AA
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/85ns
Switching Energy: 320µJ (off)
Test Condition: 480V, 32A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT32N90B2IXYSDescription: IGBT 900V 64A 300W TO268
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT32N90B2IXYSIGBTs 32 Amps 900V 2.7 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT32N90B2D1IXYSDescription: IGBT 900V 64A 300W TO268
Power - Max: 300 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Part Status: Active
Gate Charge: 89 nC
Test Condition: 720V, 32A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 2.2mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/260ns
Supplier Device Package: TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 32A
Reverse Recovery Time (trr): 190 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT32N90B2D1IXYSIGBTs 32 Amps 900V 2.7 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT35N120BIXYSIGBT Transistors 70 Amps 1200V 3.3 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT35N120BIXYSDescription: IGBT PT 1200V 70A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: TO-268AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/180ns
Switching Energy: 3.8mJ (off)
Test Condition: 960V, 35A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 300 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT39N60BD1IXYSDescription: IGBT 600V 76A 200W TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 39A
Supplier Device Package: TO-268AA
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/250ns
Switching Energy: 4mJ (off)
Test Condition: 480V, 39A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 76 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 152 A
Power - Max: 200 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT40N120B2D1Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT40N120B2D1IXYSIGBTs 75 Amps 1200V 3.5 V Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT40N120B2D1IXYSDescription: IGBT 1200V 75A 380W TO268
Power - Max: 380 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Gate Charge: 138 nC
Test Condition: 960V, 40A, 2Ohm, 15V
Switching Energy: 4.5mJ (on), 3mJ (off)
Supplier Device Package: TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/290ns
IGBT Type: PT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT40N60B2IXYSDescription: IGBT 600V 75A 300W TO268
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT40N60B2D1IXYSDescription: IGBT 600V 75A 300W TO268
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT40N60C2IXYSIGBT Transistors 40 Amps 600V 2.7 V Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT40N60C2IXYSDescription: IGBT PT 600V 75A TO-268AA
Power - Max: 300 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Gate Charge: 95 nC
Test Condition: 400V, 30A, 3Ohm, 15V
Switching Energy: 200µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/90ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT40N60C2D1IXYSDescription: IGBT 600V 75A 300W TO268
Power - Max: 300 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 95 nC
Test Condition: 400V, 30A, 3Ohm, 15V
Switching Energy: 200µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/90ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT40N60C2D1IXYSIGBT Transistors 40 Amps 600V 2.7 V Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT45N120IXYSIGBTs 75 Amps 1200V 3.5 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT45N120IXYSDescription: IGBT 1200V 75A 300W TO268
Power - Max: 300 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Gate Charge: 170 nC
Test Condition: 960V, 45A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 14mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/370ns
Supplier Device Package: TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 45A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT4N250CIXYSDescription: IGBT 2500V 13A 150W TO268
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT50N60BIXYSDescription: IGBT 600V 75A 300W TO268
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT50N60B2IXYSDescription: IGBT PT 600V 75A TO-268AA
Power - Max: 400 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Gate Charge: 140 nC
Test Condition: 480V, 40A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 550µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/190ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT50N60C2IXYSIGBTs 50 Amps 600V 2.5 V Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT50N60C2IXYSDescription: IGBT PT 600V 75A TO268AA
Power - Max: 400 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Gate Charge: 138 nC
Test Condition: 480V, 40A, 2Ohm, 15V
Switching Energy: 380µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/115ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT50N90B2IXYSIGBTs 50 Amps 900V 2.7 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT50N90B2IXYSDescription: IGBT 900V 75A 400W TO268
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT50N90B2D1IXYSIGBTs 75 Amps 900V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT50N90B2D1IXYSDescription: IGBT 900V 75A 400W TO268
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT60N60IXYSDescription: IGBT PT 600V 75A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-268AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/300ns
Switching Energy: 8mJ (off)
Test Condition: 480V, 60A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 300 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT60N60B2IXYSDescription: IGBT PT 600V 75A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-268AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/160ns
Switching Energy: 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 3.3Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 500 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT60N60C2IXYSDescription: IGBT PT 600V 75A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-268AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/95ns
Switching Energy: 480µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 146 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 480 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT60N60C2IXYSIGBTs 60 Amps 600V 2.5 V Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT60N60C3D1IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+9.09 EUR
11+8.03 EUR
12+7.21 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT60N60C3D1IXYSIGBTs 60 Amps 600V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT60N60C3D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 75A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-268AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/70ns
Switching Energy: 800µJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 480V, 40A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 380 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT64N60B3IXYSDescription: IGBT PT 600V 64A TO-268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-268
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/138ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 480V, 50A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 460 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT64N60B3IXYSIGBT Transistors DISC IGBT PT-MID FREQUENCY
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IXGT64N60B3-TRLIXYSDescription: IGBT PT 600V 64A TO-268
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-268
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/138ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 480V, 50A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 460 W
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IXGT64N60B3-TRLIXYSIGBTs IXGT64N60B3 TRL
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IXGT6N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 6A 75000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
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IXGT6N170IXYSIGBTs 12 Amps 1700 V 4 V Rds
auf Bestellung 166 Stücke:
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1+28.94 EUR
10+21.57 EUR
120+21.16 EUR
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IXGT6N170IXYSDescription: IGBT NPT 1700V 12A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: TO-268AA
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/250ns
Switching Energy: 1.5mJ (off)
Test Condition: 1360V, 6A, 33Ohm, 15V
Gate Charge: 20 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 75 W
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IXGT6N170-TRLIXYSDescription: IXGT6N170 TRL
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IXGT6N170-TRLIXYSIGBT Transistors IXGT6N170 TRL
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IXGT6N170AIXYSIGBTs 12 Amps 1700 V 7 V Rds
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IXGT6N170ALittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 6A 75000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
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IXGT6N170AIXYSDescription: IGBT NPT 1700V 6A TO-268AA
Gate Charge: 18.5 nC
Test Condition: 850V, 6A, 33Ohm, 15V
Switching Energy: 590µJ (on), 180µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/220ns
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 7V @ 15V, 3A
Input Type: Standard
Power - Max: 75 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.69 EUR
30+16.89 EUR
120+14.53 EUR
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IXGT6N170A-TRLIXYSDescription: IXGT6N170A TRL
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IXGT6N170A-TRLIXYSIGBT Transistors IXGT6N170A TRL
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IXGT6N170AHVIXYSDescription: IGBT 1700V 6A 75W TO268
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IXGT6N170AHVIXYSIGBT Transistors IGBT NPT-HI VOLTAGE
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IXGT6N170AHV-TRLIXYSIGBT Transistors IXGT6N170AHV TRL
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IXGT6N170AHV-TRLIXYSDescription: IXGT6N170AHV TRL
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IXGT72N60A3IXYSDescription: IGBT PT 600V 75A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-268AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/320ns
Switching Energy: 1.38mJ (on), 3.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 50A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 540 W
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.98 EUR
30+17.18 EUR
120+14.83 EUR
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IXGT72N60A3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 78A 540W 3-Pin(2+Tab) TO-268
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+18.17 EUR
25+13.96 EUR
100+13.16 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IXGT72N60A3Ixys CorporationTrans IGBT Chip N-CH 600V 78A 540W 3-Pin(2+Tab) TO-268
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+22.25 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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IXGT72N60A3IXYSIGBTs GenX3 600V IGBTs
auf Bestellung 1 Stücke:
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1+33.01 EUR
10+20.5 EUR
120+19.62 EUR
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IXGT72N60A3IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO268
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 400A
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 885ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 72A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: GenX3™
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+28.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IXGT72N60A3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 78A 540W 3-Pin(2+Tab) TO-268
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+17.54 EUR
25+13.26 EUR
100+12.3 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IXGT72N60A3-TRLIXYSIGBTs IXGT72N60A3 TRL
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IXGT72N60A3-TRLIXYSDescription: IGBT PT 600V 75A TO-268
Power - Max: 540 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Part Status: Active
Gate Charge: 230 nC
Test Condition: 480V, 50A, 3Ohm, 15V
Switching Energy: 1.38mJ (on), 3.5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/320ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-268
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 60A
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGT72N60B3IXYSDescription: IGBT 600V 75A 540W TO268
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/150ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 60A
Input Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Power - Max: 540 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 230 nC
Test Condition: 480V, 50A, 3Ohm, 15V
Switching Energy: 1.38mJ (on), 1.05mJ (off)
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IXGV25N250SIXYSDescription: IGBT NPT 2500V 60A PLUS-220SMD
Packaging: Tube
Package / Case: PLUS-220SMD
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5.2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PLUS-220SMD
IGBT Type: NPT
Gate Charge: 75 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 250 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGV30N250DIXYS09+
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IXGWP-FLHIROSECategory: Industrial connectors - others
Description: Mounting adapter; IX; Mech.durability: 5000cycles
Manufacturer series: IX
Mechanical durability: 5000 cycles
Type of connector accessories: mounting adapter
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGWP-FL-DCHIROSECategory: Industrial connectors - others
Description: Protection cover; IX; Mech.durability: 5000cycles
Manufacturer series: IX
Mechanical durability: 5000 cycles
Type of connector accessories: protection cover
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGWP-PLUG-DCHIROSECategory: Industrial connectors - others
Description: Protection cover; IX; Mech.durability: 5000cycles
Manufacturer series: IX
Mechanical durability: 5000 cycles
Type of connector accessories: protection cover
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX100N160AIXYSDescription: IGBT TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PLUS247™-3
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IXGX100N160AIXYSIGBTs 75Amps 600V
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IXGX100N170IXYSDescription: IGBT NPT 1700V 170A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: NPT
Gate Charge: 425 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 170 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 830 W
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXGX100N170IXYSIGBTs HIGH VOLT NPT IGBTS 1700V 100A
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXGX120N120A3IXYSIGBTs 120 Amps 1200V
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXGX120N120A3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; PLUS247™
Pulsed collector current: 600A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 105ns
Kind of package: tube
Case: PLUS247™
Turn-off time: 1365ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 830W
Gate charge: 420nC
Technology: GenX3™; PT
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IXGX120N120A3IXYSDescription: IGBT PT 1200V 240A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/490ns
Switching Energy: 10mJ (on), 33mJ (off)
Test Condition: 960V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 420 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 830 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX120N120B3IXYSDescription: IGBT PT 1200V 200A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/275ns
Switching Energy: 5.5mJ (on), 5.8mJ (off)
Test Condition: 600V, 100A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 370 A
Power - Max: 830 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX120N120B3IXYSIGBTs 15khz-40khz Power Device
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX120N120B3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; PLUS247™
Pulsed collector current: 370A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 122ns
Kind of package: tube
Case: PLUS247™
Turn-off time: 885ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 830W
Gate charge: 470nC
Technology: GenX3™; PT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX120N60A3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 200A 780W 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX120N60A3IXYSIGBTs 120 Amps 600V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX120N60A3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 200A 780W 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+22.57 EUR
10+21.03 EUR
25+20.13 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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IXGX120N60A3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 120A; 780W; PLUS247™
Pulsed collector current: 600A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 123ns
Kind of package: tube
Case: PLUS247™
Turn-off time: 830ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 780W
Gate charge: 450nC
Technology: GenX3™; PT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX120N60A3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 200A 780W 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX120N60A3IXYSDescription: IGBT PT 600V 200A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/295ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 6.6mJ (off)
Test Condition: 480V, 100A, 1.5Ohm, 15V
Gate Charge: 450 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 780 W
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+62.03 EUR
30+40.61 EUR
120+37.43 EUR
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IXGX120N60BIGBT 600V 200A Транзистори
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IXGX120N60BIXYSDescription: IGBT PT 600V 200A PLUS247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/200ns
Switching Energy: 2.4mJ (on), 5.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 100A, 2.4Ohm, 15V
Gate Charge: 350 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 660 W
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IXGX120N60B
Produktcode: 42602
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IXGX120N60BIXYSIGBT Transistors 76 Amps 600V 2.1 Rds
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IXGX120N60B3IXYSDescription: IGBT PT 600V 280A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/227ns
Switching Energy: 2.9mJ (on), 3.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 100A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 465 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 280 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 780 W
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IXGX120N60B3IXYSIGBT Transistors 120Amps 600V
auf Bestellung 58 Stücke:
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IXGX120N60B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 280A 780000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
auf Bestellung 6 Stücke:
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