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| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| PDTA124XT,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA124XT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA124X Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1559 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTA124XT,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 22 kOhms Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTA124XT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTA124XT,215 | Nexperia | Digital Transistors PDTA124XT/SOT23/TO-236AB | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PDTA124XT-QR | Nexperia USA Inc. | Description: PDTA124XT-Q/SOT23/TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTA124XT-QR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA124XT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 250mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 2755 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTA124XT-QR | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PDTA124XT-Q/SOT23/TO-236AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 11 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTA124XT-QR | Nexperia USA Inc. | Description: PDTA124XT-Q/SOT23/TO-236AB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTA124XT-QR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA124XT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 2755 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTA124XT/APG215 | Nexperia USA Inc. | Description: NEXPERIA, PDTA124X - PNP RESISTO | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTA124XT/APGR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTA124XU | Nexperia | NXP Semiconductors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTA124XU | PHILIPS | 2004 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTA124XU,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA124XU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-70 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA124X Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 2501 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTA124XU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTA124XU,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTA124XU,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA124XU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-70 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA124X Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 2501 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTA124XU,115 | Nexperia | Digital Transistors PDTA124XU/SOT323/SC-70 | auf Bestellung 602 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PDTA124XU,115 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Current gain: 80 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 22kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTA124XU,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 2505 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PDTA124XU115 | NXP USA Inc. | Description: NEXPERIA, PDTA124X - PNP RESISTO Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTA143EE | PHILIPS | 07+ SOT-523 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTA143EE,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SC-75 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTA143EE,115 | NXP | Description: NXP - PDTA143EE,115 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 19439 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTA143EE,115 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin SC-75 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 17121 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTA143EE,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75 Packaging: Bulk Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SC-75 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 18639 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PDTA143EEF,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SC-89 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTA143EK | PHILIPS | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| PDTA143EK(01*) | auf Bestellung 7800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PDTA143EK,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMT3 Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SMT3; MPAK DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTA143EM,315 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 9700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTA143EM,315 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTA143EM,315 | Nexperia | Digital Transistors SOT883 50V .1A PNP RET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 9 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTA143EM,315 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTA143EM,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk | auf Bestellung 189945 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PDTA143EM,315 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN T/R | auf Bestellung 149945 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTA143EM-QYL | Nexperia USA Inc. | Description: PDTA143EM-Q/SOT883/XQFN3 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTA143EM-QYL | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PDTA143EM-Q/SOT883/XQFN3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTA143EMB | NXP USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA PDTA143EMB - SMALL Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTA143EMB,315 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R | auf Bestellung 80978 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTA143EMB,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA143EMB,315 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm Verlustleistung: 250mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1006B Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTA143EMB,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: DFN1006B-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTA143EMB,315 | Nexperia | Digital Transistors SOT883B 50V .1A PNP RET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTA143EMB,315 Produktcode: 175792
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| Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| PDTA143EMB,315 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R | auf Bestellung 104700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTA143EMB,315 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTA143EMB,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA143EMB,315 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm Verlustleistung: 250mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1006B Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 45 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTA143EMB,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: DFN1006B-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-101, SOT-883 Packaging: Bulk | auf Bestellung 185678 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PDTA143EQA147 | NXP | Description: NXP - PDTA143EQA147 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTA143EQA147 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PDTA143EQAZ | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 440mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 125000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTA143EQAZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA143EQAZ - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTA143EQAZ | Nexperia | Digital Transistors SOT1215 50V .1A PNP RET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTA143EQAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: DFN1010D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 280 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTA143EQAZ | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 440mW Automotive 3-Pin DFN-D EP | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTA143EQAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Bulk Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: DFN1010D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 280 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 125000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PDTA143EQB-QZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA143EQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: Y MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm Verlustleistung: 340mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1110D Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTA143EQB-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: DFN1110D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 340 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTA143EQB-QZ | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 420mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R | auf Bestellung 59800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTA143EQB-QZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA143EQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: N MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm Verlustleistung: 340mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1110D Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTA143EQB-QZ | Nexperia | Digital Transistors PDTA143EQB-Q/SOT8015/DFN1110D- | auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PDTA143EQB-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: DFN1110D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 340 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 4900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PDTA143EQBZ | Nexperia | PDTA143EQBZ | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTA143EQBZ | Nexperia | Digital Transistors PDTA143EQB/SOT8015/DFN1110D-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTA143EQBZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: DFN1110D-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 340 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 25000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTA143EQBZ | Nexperia | PDTA143EQBZ | auf Bestellung 14500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTA143EQBZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA143EQBZ - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTA143EQC-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: DFN1412D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 360 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTA143EQC-QZ | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 450mW 3-Pin DFN-D T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTA143EQC-QZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA143EQC-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: Y MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1412D Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTA143EQC-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: DFN1412D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 360 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 4900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PDTA143EQC-QZ | Nexperia | Digital Transistors SOT8009 50V .1A PNP RET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTA143EQC-QZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA143EQC-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: N MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1412D Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTA143EQCZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: DFN1412D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PDTA143EQCZ | Nexperia | Digital Transistors SOT8009 50V .1A PNP RET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 9 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTA143EQCZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: DFN1412D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PDTA143EQCZ | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 450mW 3-Pin DFN-D T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTA143ET | Nexperia | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| PDTA143ET Produktcode: 19784
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Lieblingsprodukt
| NXP | Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP Gehäuse: SOT-23 Spannung Uce, V: 50 V Spannung Ucb, V: 50 V Strom Ic, A: 0,1 A Stromverstärkung h21, max: 100 Bemerkung: 4,7K+4,7K | Produkt ist nicht verfügbar
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| PDTA143ET,215 | TECH PUBLIC | PDTA143ET,215 TPDTA143ET Цифровой PNP транзистор R1 = 4.7 кОм, R2 = 4.7 кОм, SOT-23 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTA143ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 654 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 174 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTA143ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 914290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTA143ET,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA143ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm Verlustleistung: 250mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA143E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTA143ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 57000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTA143ET,215 | Nexperia USA Inc. | Description: PDTA143E SERIES - PNP RESISTOR-E | auf Bestellung 3119769 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PDTA143ET,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 180MHz Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 4.7kΩ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTA143ET,215 | NXP | PDTA143ET,215 PDTA143ET Цифровой PNP транзистор R1 = 4.7 кОм, R2 = 4.7 кОм, SOT-23 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTA143ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTA143ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1590489 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTA143ET,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA143ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm Verlustleistung: 250mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA143E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTA143ET,215 | Nexperia | Digital Transistors PDTA143ET/SOT23/TO-236AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 11 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTA143ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 654 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 174 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTA143ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 365990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTA143ET,215 Produktcode: 151550
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| PDTA143ET,215 | NXP/Nexperia/We-En | Транзистор PNP, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, hFE = 30 @ 10 мА, 5 В, Icutoff-max = 1 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 150 мВ @ 500 мкA, 10 мА, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd, R(база) = R(эмиттер-база) = 4.7 кОм,... Транзистори Корпус: Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | verfügbar 1292 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTA143ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 192000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTA143ET-QR | Nexperia USA Inc. | Description: PDTA143ET-Q/SOT23/TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTA143ET-QR | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PDTA143ET-Q/SOT23/TO-236AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTA143ET-QR | Nexperia USA Inc. | Description: PDTA143ET-Q/SOT23/TO-236AB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTA143ET/FD | auf Bestellung 148000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
