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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI2307-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.77 EUR
44+0.48 EUR
100+0.31 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307/A7SHB
auf Bestellung 800000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307AUMWDescription: 30V 3A 1.25W 80MR@10V,3A 3V@250A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 15 V
auf Bestellung 2037 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.44 EUR
72+0.3 EUR
81+0.26 EUR
100+0.23 EUR
250+0.2 EUR
500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307AUMWDescription: 30V 3A 1.25W 80MR@10V,3A 3V@250A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 15 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.18 EUR
6000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307BDS
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307BDS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 P CHAN 30V
auf Bestellung 22856 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.39 EUR
10+1.48 EUR
100+0.96 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.67 EUR
3000+0.58 EUR
6000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307BDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 3.2A, 10V
auf Bestellung 2984 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.68 EUR
21+1.04 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307BDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307BDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4611 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+1.51 EUR
186+0.89 EUR
259+0.62 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 442 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
339+0.51 EUR
343+0.5 EUR
346+0.48 EUR
372+0.44 EUR
386+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 339 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307BDS-T1-E3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.5A; Idm: -12A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.5A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4611 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+1.51 EUR
186+0.92 EUR
259+0.64 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.49 EUR
3000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4611 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
224+0.77 EUR
260+0.65 EUR
500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 224 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307BDS-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI2307BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.078 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 750mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
auf Bestellung 2465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.57 EUR
189+1.24 EUR
273+0.79 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307BDS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 9407 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.07 EUR
17+1.3 EUR
100+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 442 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
308+0.56 EUR
339+0.49 EUR
343+0.46 EUR
346+0.44 EUR
372+0.39 EUR
386+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 308 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307BDS-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 3.2A 1.25W
auf Bestellung 56244 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.18 EUR
10+1.11 EUR
100+0.77 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
3000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307BDS-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI2307BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.078 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 750mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
auf Bestellung 2465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+2.57 EUR
189+1.24 EUR
273+0.79 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307BDS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.52 EUR
6000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307BDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307BDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 3.2A 1.25W 78mohm @ 10V
auf Bestellung 49990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.89 EUR
10+1.17 EUR
100+0.76 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
3000+0.46 EUR
6000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307BDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307BDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 15 V
auf Bestellung 4109 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.74 EUR
20+1.09 EUR
100+0.71 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307BDS-TI-E3
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307BDST1E3VISHAY
auf Bestellung 2918 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307CD
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307CDS-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2307CDS-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 30V, 3.5A, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Si2307CDS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 1736 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+2 EUR
203+1.15 EUR
246+0.87 EUR
313+0.69 EUR
355+0.61 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307CDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307CDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.7A/3.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307CDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307CDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2254 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
407+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 407 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307CDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.7A/3.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
auf Bestellung 5238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.49 EUR
23+0.92 EUR
100+0.58 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307CDS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 30V (D-S)
auf Bestellung 165737 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.48 EUR
10+0.92 EUR
100+0.58 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
3000+0.31 EUR
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307CDS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307CDS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
auf Bestellung 18144 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.74 EUR
20+1.09 EUR
100+0.7 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307CDS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.43 EUR
6000+0.39 EUR
9000+0.37 EUR
15000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307CDS-T1-E3
auf Bestellung 2080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307CDS-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs SOT-23
auf Bestellung 407590 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.75 EUR
10+1.02 EUR
100+0.7 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.49 EUR
3000+0.38 EUR
6000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307CDS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307CDS-T1-GE3Vishay SiliconixSOT-23 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307CDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs SOT-23
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.71 EUR
10+1.23 EUR
100+0.76 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.44 EUR
3000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307CDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
auf Bestellung 50251 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.51 EUR
23+0.93 EUR
100+0.6 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307CDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2307CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.088 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
auf Bestellung 15941 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
135+1.86 EUR
228+1.02 EUR
324+0.67 EUR
500+0.5 EUR
1500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307CDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
auf Bestellung 50045 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.36 EUR
6000+0.32 EUR
9000+0.31 EUR
15000+0.29 EUR
30000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307CDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2307CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.088 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
auf Bestellung 15941 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
135+1.86 EUR
228+1.02 EUR
324+0.67 EUR
500+0.5 EUR
1500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307CDS-T1-GE3VishayP-MOSFET 30V 3.5A 1.8W 88mΩ SI2307CDS Vishay TSI2307cds
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 2370 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307CDS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.2A; 1.8W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 138mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.2nC
auf Bestellung 7897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+0.67 EUR
172+0.5 EUR
232+0.37 EUR
257+0.33 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.23 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
322+0.54 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 322 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si2307CDS-T1-GE3-MLMOSLEADERDescription: P -30V 3.5A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
300+0.07 EUR
1000+0.068 EUR
3000+0.063 EUR
6000+0.062 EUR
15000+0.061 EUR
30000+0.058 EUR
75000+0.055 EUR
150000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307CDS-T1-GE3.VISHAYDescription: VISHAY - SI2307CDS-T1-GE3. - P CHANNEL MOSFET, -30V, 2.7A TO-236, FUL
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 2.7
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 1.1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 1.1
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: P Channel
Kanaltyp: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.138
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307DSVISHAY
auf Bestellung 150500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307DSVishay / SiliconixMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307DS
Produktcode: 152992
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307DS-T1Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI2307BDS-E3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307DS-T1VISHAYSOT-23
auf Bestellung 160400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307DS-T1-E3Vishay SiliconixУСТАРЕВШ., ЗАМЕНЯТЬ НА Si2307CDS Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307DS-T1-E3VISHAYSOT23
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307DS-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI2307BDS-E3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307DS-T1-E3-VISHAY
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307DS-T3Vishay / SiliconixMOSFET 30V, P-CH 145mohm 32M CELL TRENCH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307DS-T7-E3
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307DS-TI
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307K-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: P-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
auf Bestellung 5350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
36+0.58 EUR
59+0.36 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307K-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs P-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307K-TPMicro Commercial ComponentsSmall Signal MOSFETS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 386 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307K-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: P-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307K-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 30V 3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307K-TPMicro Commercial ComponentsSmall Signal MOSFETS
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
395+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 395 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2308
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2308GOODWORKDescription: 60V 3A 85m@10V SOT-23
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2308AUMWDescription: 60V 2A 1.25W 160MR@10V,2A 3V@250
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2308AUMWDescription: 60V 2A 1.25W 160MR@10V,2A 3V@250
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
auf Bestellung 2751 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.92 EUR
38+0.56 EUR
52+0.4 EUR
100+0.36 EUR
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Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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SI2308BDS
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Produktcode: 124265
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Transistoren > MOSFET N-CH
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SI2308BDSTECH PUBLICTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 105mOhm; 3A; 350mW; -55°C~150°C; Substitute: SI2308BDS-VB; SI2308BDS-T1-E3; SI2308BDS-T1-BE3; SI2308BDS-T1-GE3; SI2308BDS-T1-GE3-VB; SI2308BDS TSI2308bds c
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI2308BDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V
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SI2308BDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.24 EUR
24000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI2308BDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V
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SI2308BDS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 N CHAN 60V
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3+1.21 EUR
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500+0.5 EUR
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SI2308BDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
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3000+0.23 EUR
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SI2308BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 876 Stücke:
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137+1.26 EUR
224+0.74 EUR
330+0.49 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 137 Stücke
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SI2308BDS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V
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SI2308BDS-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3 Транзистори
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SI2308BDS-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs SOT-23
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SI2308BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI2308BDS-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; Idm: 8A; 1.06W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.06W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 192mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+42.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SI2308BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2308BDS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2308BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 846 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
224+0.77 EUR
331+0.51 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 224 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2308BDS-T1-E3
Produktcode: 168915
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2308BDS-T1-E3.VISHAYDescription: VISHAY - SI2308BDS-T1-E3. - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 2.3A, SOT-23-3
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.66W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 52341 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
135+1.86 EUR
227+1.02 EUR
269+0.8 EUR
331+0.65 EUR
360+0.6 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2308BDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2308BDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.156 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.09W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm
auf Bestellung 1316 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+1.19 EUR
272+0.86 EUR
304+0.7 EUR
500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2308BDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2308BDS-T1-GE3VishayTransistor N-MOSFET; 60V; 20V; 192mOhm; 2,3A; 1,66W; -55°C~150°C; Replacement: SI2308BDS-T1-GE3; SI2308BDS-T1-E3; SI2308BDS-T1-GE3CT-ND; SI2308BDS-T1-BE3; TSI2308BDS-T1-BE3; SI2308BDS TSI2308bds
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 5945 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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