Produkte > ZXT
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| ZXTN5551ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 108000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTN5551ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 128000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTN617MATA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 15V 5A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R | auf Bestellung 530 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 521 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXTN617MATA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 15V 5A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R | auf Bestellung 530 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 521 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXTN617MATA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN617MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 4.5 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.45W Bauform - Transistor: DFN2020 Dauerkollektorstrom: 4.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 2520 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTN617MATA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 15V 4.5A DFN2020B-3 Power - Max: 1.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A Part Status: Active Supplier Device Package: DFN2020B-3 Frequency - Transition: 120MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 3A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 25nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 4.5A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-UDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 10221 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTN617MATA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 15V 5A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTN617MATA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 15V 5A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTN617MATA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 15V 4.5A DFN2020B-3 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A Part Status: Active Supplier Device Package: DFN2020B-3 Frequency - Transition: 120MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 3A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 25nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 4.5A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 1.5 W | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTN617MATA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 15V 5A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTN617MATA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN | auf Bestellung 906 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTN617MATA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 15V 5A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXTN617MATA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN617MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 4.5 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.45W Bauform - Transistor: DFN2020 Dauerkollektorstrom: 4.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 2520 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTN617MATA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 15V 5A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXTN618MATA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K | auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTN618MATA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 20V 4.5A DFN2020B-3 Power - Max: 1.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A Part Status: Active Supplier Device Package: DFN2020B-3 Frequency - Transition: 140MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 25nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 125mA, 4.5A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-UDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 269984 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTN618MATA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 20V 4.5A DFN2020B-3 Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A Part Status: Active Supplier Device Package: DFN2020B-3 Frequency - Transition: 140MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 25nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 125mA, 4.5A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 1.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V | auf Bestellung 267000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTN619MATA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 50V 4A DFN2020B-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 25nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 165MHz Supplier Device Package: DFN2020B-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 3 W | auf Bestellung 78000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTN619MATA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 50V 4.3A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXTN619MATA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN619MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 1.5 W, UDFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: UDFN2020 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 165MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 12963 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTN619MATA | Diodes Inc./Zetex | TRANS NPN 50V 4A 3-DFN Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXTN619MATA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 50V 4A DFN2020B-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 25nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 165MHz Supplier Device Package: DFN2020B-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 3 W | auf Bestellung 80455 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTN619MATA Produktcode: 220206
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| Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| ZXTN619MATA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 50V 4.3A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXTN619MATA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN | auf Bestellung 669 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTN619MATA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN619MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 1.5 W, UDFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: UDFN2020 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 165MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 12963 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTN620MATA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 80V 3.8A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTN620MATA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN620MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3.5 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.45W Bauform - Transistor: DFN2020 Dauerkollektorstrom: 3.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1085 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTN620MATA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 80V 3.5A DFN2020B-3 Power - Max: 3 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A Supplier Device Package: DFN2020B-3 Frequency - Transition: 160MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 25nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 325mV @ 300mA, 3.5A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTN620MATA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 80V 3.8A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R | auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTN620MATA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 80V 3.8A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTN620MATA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 80V 3.8A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXTN620MATA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN | auf Bestellung 669 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTN620MATA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN620MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3.5 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.45W Bauform - Transistor: DFN2020 Dauerkollektorstrom: 3.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1085 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTN620MATA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 80V 3.8A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R | auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTN620MATA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 80V 3.5A DFN2020B-3 Package / Case: 3-UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 3 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A Supplier Device Package: DFN2020B-3 Frequency - Transition: 160MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 25nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 325mV @ 300mA, 3.5A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount | auf Bestellung 20872 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTN620MATA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 80V 3.8A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXTN620MATA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 80V 3.8A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTN649F | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXTN649FTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 25V 3A 725mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 126000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTN649FTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 25V 3A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 725 mW | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTN649FTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 25V 3A 725mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXTN649FTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Zetex Med. Power NPN | auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTN649FTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 25V 3A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 725 mW | auf Bestellung 6435 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTNS618MCTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 20V NPN Low AAT 40V 1A Schottky Dual | auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTNS618MCTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 20V 4.5A DFN3020B-8 Power - Max: 3 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A Supplier Device Package: DFN3020B-8 Frequency - Transition: 140MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 25nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 125mA, 4.5A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN + Diode (Isolated) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXTP01500BGQTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 500V 0.15A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 3 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-223-3 Frequency - Transition: 60MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXTP01500BGQTA | Diodes Incorporated | Description: PWRHIVOLTAGETRANSISTORSOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V Power - Max: 3 W Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXTP01500BGQTA | Diodes Incorporated | Description: PWRHIVOLTAGETRANSISTORSOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V Power - Max: 3 W Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXTP01500BGQTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 500V PNP HiPerf Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXTP01500BGQTA-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT PwrHiVoltTranstr | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXTP01500BGQTC | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 500V PNP HiPerf Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXTP01500BGQTC | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 500V 0.15A 3000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 1408000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP01500BGQTC | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 500V 0.15A SOT-223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V Power - Max: 3 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1753 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTP01500BGQTC | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 500V 0.15A 3000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP01500BGQTC | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 500V 0.15A SOT-223-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V Power - Max: 3 W Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXTP01500BGQTC | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 500V 0.15A 3000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP01500BGTC | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 500V 0.15A SOT-223-3 Power - Max: 3 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-223-3 Frequency - Transition: 60MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTP01500BGTC | Diodes | BJT 500V PNP HiPerf Transistor Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXTP01500BGTC | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP01500BGTC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 500 V, 150 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 150mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 500V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 60MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 3650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP01500BGTC | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 500V 0.15A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP01500BGTC | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 500V PNP HiPerf Transistor | auf Bestellung 7623 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTP01500BGTC | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 500V 0.15A SOT-223-3 Power - Max: 3 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-223-3 Frequency - Transition: 60MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | auf Bestellung 24617 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTP01500BGTC | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP01500BGTC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 500 V, 150 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 150mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 500V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 60MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 3650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP03200BGTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 200V 2A 5800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP03200BGTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 200V PNP Low Vce 2A Ic Vceo -200V | auf Bestellung 1391 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTP03200BGTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 200V 2A SOT223-3 Power - Max: 1.25 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Supplier Device Package: SOT-223-3 Frequency - Transition: 105MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 26000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTP03200BGTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 200V 2A 5800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP03200BGTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 200V 2A 5800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP03200BGTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP03200BGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 5.8 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 5.8W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 105MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 969 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP03200BGTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 200V 2A 5800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP03200BGTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 200V 2A SOT223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 105MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Power - Max: 1.25 W | auf Bestellung 26545 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTP03200BGTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 200V 2A 5800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP03200BGTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP03200BGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 5.8 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 5.8W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 105MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 969 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP03200BZ Produktcode: 72060
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Lieblingsprodukt
| Verschiedene Bauteile > Other components 3 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| ZXTP03200BZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 200V 2A SOT89-3 Power - Max: 1.1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Supplier Device Package: SOT-89-3 Frequency - Transition: 105MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 2A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 7376 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTP03200BZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 200V 2A 38700mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXTP03200BZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP03200BZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 38.7 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 38.7W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 105MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 870 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP03200BZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 200V 2A 38700mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 61000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP03200BZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 200V 2A 38700mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP03200BZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 200V 2A SOT89-3 Power - Max: 1.1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Supplier Device Package: SOT-89-3 Frequency - Transition: 105MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 2A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTP03200BZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 200V 2A 38700mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP03200BZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP03200BZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 38.7 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 38.7W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 105MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 870 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP03200BZTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 200V PNP Low Vce 2A Ic 160mV Vce 2.4W | auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTP03200BZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 200V 2A 38700mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP05120HFF | Diodes Incorporated | Darlington Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXTP05120HFFTA | Diodes Zetex | Trans Darlington PNP 120V 1A 2000mW 3-Pin SOT-23F T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXTP05120HFFTA | Diodes Zetex | Trans Darlington PNP 120V 1A 2000mW 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 56 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 56 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXTP05120HFFTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP DARL 120V 1A SOT-23F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 2mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3000 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-23F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 1.5 W | auf Bestellung 390705 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTP05120HFFTA | Diodes Zetex | Trans Darlington PNP 120V 1A 2000mW 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 56 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 56 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXTP05120HFFTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP DARL 120V 1A SOT-23F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 2mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3000 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-23F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 1.5 W | auf Bestellung 390000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTP05120HFFTA | Diodes Zetex | Trans Darlington PNP 120V 1A 2000mW 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 90000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP05120HFFTA | Diodes Incorporated | Darlington Transistors PNP 120V DARLINGTON TRANSISTR | auf Bestellung 14288 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTP05120HFFTA Transistor Produktcode: 152104
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| ZXTP07012EFFTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 12V 4A 2000mW 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP07012EFFTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 12V 4A 2000mW 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP07012EFFTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTP07012EFFTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4 A, 2 W, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 230hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 2W SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: SOT-23F Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1835 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP07012EFFTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 12V 4A 2000mW 3-Pin SOT-23F T/R | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXTP07012EFFTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 12V 4A SOT23F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 80mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-23F Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 1.5 W | auf Bestellung 103466 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXTP07012EFFTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT PNP 12V HIGH GAIN | auf Bestellung 4796 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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