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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRFI620GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 200V 4.1A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2472 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.82 EUR
10+1.92 EUR
100+1.57 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.21 EUR
2000+1.16 EUR
5000+1.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI620GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
auf Bestellung 505 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.04 EUR
50+1.25 EUR
100+1.24 EUR
500+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI620GPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 4.1A TO220FP Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI620GPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.1A; Idm: 16A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 16A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI620GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI620GPBFMOSFET N-CH 200V 4.1A TO220FP Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI624BTU
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI624BTUFP001Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI624BTUFP001Fairchild SemiconductorIRFI624BTUFP001
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1683+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 1683 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI624GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 3.4A TO220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI624GIR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI624GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 3.4A TO220FP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI630IR
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI630A
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI630BTUON SemiconductorIRFI630BTU
auf Bestellung 3453 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1244+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1244 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI630BTUONSEMIDescription: ONSEMI - IRFI630BTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3453 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1457 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI630BTUFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V
auf Bestellung 3453 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
826+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 826 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI630GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI630GVishayN-MOSFET 200V 5.9A 35W IRFI630G Vishay TIRFI630g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI630GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+2.54 EUR
59+2.48 EUR
100+2.04 EUR
500+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI630GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 200V 5.9A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1756 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.63 EUR
10+2.85 EUR
100+2.34 EUR
500+2.18 EUR
1000+1.9 EUR
2000+1.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI630GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI630GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
auf Bestellung 386 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.42 EUR
50+2.74 EUR
100+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI630GPBFТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI630GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFI630GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.9 A, 0.4 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 5.9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 32
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI630GPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.7A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+2.67 EUR
39+1.84 EUR
50+1.74 EUR
100+1.64 EUR
250+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI630GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+2.54 EUR
59+2.43 EUR
100+1.97 EUR
500+1.88 EUR
1000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI630GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+2.9 EUR
100+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI630GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+3.85 EUR
100+3.08 EUR
500+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI630GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
78+1.9 EUR
86+1.69 EUR
100+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI630NG
auf Bestellung 98000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI634GIR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI634GVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFI634GPBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI634GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 5.6A TO220FP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI634GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 250V
auf Bestellung 8392 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.19 EUR
10+2.55 EUR
100+2.31 EUR
250+2.29 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.71 EUR
2000+1.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI634GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 5.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
auf Bestellung 604 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.68 EUR
50+2.96 EUR
100+2.43 EUR
500+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI634GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI634GPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5.6A; Idm: 22A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 5.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI634GPBF.VISHAYDescription: VISHAY - IRFI634GPBF. - N CHANNEL MOSFET, 250V, 5.6A, TO-220FP
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 5.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 32
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.45
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI640GVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI640GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI640G
Produktcode: 22414
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI640GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI640GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI640GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFI640GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.8 A, 0.18 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1014 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI640GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI640GPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.8A; Idm: 39A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 39A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI640GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 200V 9.8A N-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI640GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
auf Bestellung 597 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.95 EUR
50+3.58 EUR
100+3.26 EUR
500+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI640GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+1.66 EUR
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IRFI640GPBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 9,8 А, Ptot, Вт = 40, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25, Qg, нКл = 70 @ 10 В, Rds = 180 мОм @ 5,9 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220FP Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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IRFI640NPBF
auf Bestellung 98000 Stücke:
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IRFI644GVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
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IRFI644GVishayN-MOSFET 250V 7.9A 40W IRFI644G Vishay TIRFI644g
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IRFI644GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFI644GPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 5A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 68nC
Power dissipation: 40W
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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IRFI644GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 7.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFI644GPBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 250, Id = 7,9 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25 В, Qg, нКл = 68 @ 10 В, Rds = 280 мОм @ 4.7A, 10V, Р, Вт = 40 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220FP Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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IRFI644GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 7.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 1188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+1.62 EUR
92+1.58 EUR
93+1.53 EUR
100+1.48 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
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IRFI644GPBF
Produktcode: 101078
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI644GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 7.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFI644GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 250V 7.9A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1518 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.7 EUR
10+2.76 EUR
100+2.15 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.64 EUR
2000+1.57 EUR
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IRFI644GPBFTO-220FP Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI644GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220-3
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
auf Bestellung 3981 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+5.91 EUR
50+3.05 EUR
100+2.77 EUR
500+2.47 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI644GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 7.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 1190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+1.62 EUR
92+1.48 EUR
93+1.41 EUR
100+1.34 EUR
500+1.26 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI644GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFI644GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 7.9 A, 0.28 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI644GPBF..VISHAYDescription: VISHAY - IRFI644GPBF.. - N CHANNEL MOSFET, 250V, 7.9A, TO-220FP
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 7.9
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 40
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 40
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28
SVHC: Lead
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI710GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 1.6A TO220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI720GInternational RectifierN-MOSFET 3A 400V 30W 1.8Ω IRFI720G iso TIRF720 iso
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI720GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 2.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI720GPBF
Produktcode: 91804
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI720GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFI720GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 2.6 A, 1.8 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1076 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI720GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 2.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+2.85 EUR
53+2.73 EUR
63+2.25 EUR
100+1.91 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI720GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 400V 2.6A N-CH MOSFET
auf Bestellung 873 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.17 EUR
10+3.22 EUR
100+2.34 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI720GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 2.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 868 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+2.69 EUR
55+2.57 EUR
100+1.97 EUR
500+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI720GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 2.6A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.44 EUR
10+2.97 EUR
100+2.23 EUR
500+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI720GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 2.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 728 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+2.99 EUR
50+2.91 EUR
52+2.73 EUR
100+1.99 EUR
500+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI720GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 2.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+4.48 EUR
49+2.89 EUR
50+2.75 EUR
52+2.54 EUR
100+1.82 EUR
500+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI720GPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.6A; Idm: 10A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 10A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI720GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 2.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 556 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+2.6 EUR
61+2.33 EUR
100+1.95 EUR
500+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI720GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 2.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+2.91 EUR
52+2.73 EUR
100+1.98 EUR
500+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI720GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 2.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI730GVishayN-MOSFET 400V 3.7A 35W IRFI730G Vishay TIRFI730g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI730GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI730GТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI730GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI730GPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.7A; Idm: 15A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 15A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI730GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
auf Bestellung 1105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.71 EUR
50+1.65 EUR
100+1.64 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI730GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFI730GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.7 A, 1 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 32
Transistormontage: Durchsteckmontage
Kanaltyp: n-Kanal
Wandlerpolarität: n-Kanal
euEccn: Unknown
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 150
usEccn: Unknown
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI730GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 400V 3.7A N-CH MOSFET
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.68 EUR
10+2.32 EUR
100+2.09 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI734GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 450V 3.4A TO220FP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI734GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 450V 3.4A TO220FP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI740BTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 10A I2PAK
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 134W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI740GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 5.4A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI740GVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
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IRFI740GSiliconixN-MOSFET 5.7A 400V 40W 0.55Ω IRFI740G TIRF740 iso
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IRFI740G
Produktcode: 77936
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 400
Idd,A: 03.04.2015
Rds(on), Ohm: 0.55
Ciss, pF/Qg, nC: 1370/66
JHGF: THT
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IRFI740GLCVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFI740GLCPBF
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IRFI740GLCVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 5.7A TO220-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 3.4A, 10V
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IRFI740GLCPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 5.7A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
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