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CSD18511KCS

Texas Instruments

MOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si

auf Bestellung 121 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.61 EUR
10+	1.9 EUR
100+	1.73 EUR
500+	1.4 EUR
1000+	1.24 EUR

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CSD18511KCS

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Mindestbestellmenge: 250 Stücke

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CSD18511KCS

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Mindestbestellmenge: 250 Stücke

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CSD18511KTT

Texas Instruments

MOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A 595-CSD18511KTTT

auf Bestellung 149 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4 EUR
10+	2.75 EUR
100+	1.95 EUR
500+	1.48 EUR
1000+	1.34 EUR

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CSD18511KTT

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 110A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R

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Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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CSD18511KTT

Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 40V 194A DDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 194A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 20 V

auf Bestellung 342 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.28 EUR
10+	2.74 EUR
100+	2.18 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

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CSD18511KTT

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 110A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R

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Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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CSD18511KTT

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 110A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18511KTT

Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 40V 194A DDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 194A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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CSD18511KTTT

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 110A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R

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Mindestbestellmenge: 50 Stücke

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CSD18511KTTT

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 110A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18511KTTT

Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 40V 110A/194A DDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Ta), 194A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 20 V

auf Bestellung 403 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.55 EUR
10+	3.59 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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CSD18511KTTT

Texas Instruments

MOSFET 40-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single D2PAK, 2.6 mOhm 2-DDPAK/TO-263 -55 to 175

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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CSD18511KTTT

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 110A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18511KTTT

Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 40V 110A/194A DDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Ta), 194A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 20 V

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

50+	2.75 EUR
100+	2.49 EUR
150+	2.34 EUR
250+	2.19 EUR
350+	2.09 EUR

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

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CSD18511Q5A

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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CSD18511Q5A

Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 40V 159A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 159A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 24A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18511Q5A

Texas Instruments

MOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18511Q5AT

auf Bestellung 8251 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	3.17 EUR
10+	2 EUR
100+	1.33 EUR
500+	1.05 EUR
1000+	0.96 EUR
2500+	0.86 EUR
5000+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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CSD18511Q5A

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18511Q5A

Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 40V 159A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 159A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 24A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 10 V

auf Bestellung 937 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.2 EUR
11+	2.03 EUR
100+	1.36 EUR
500+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

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CSD18511Q5AT

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 250 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18511Q5AT

Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 40V 159A 8VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 24A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 159A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 5250 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

250+	1.19 EUR
500+	1.15 EUR
750+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 250 Stücke

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CSD18511Q5AT

Texas Instruments

MOSFET N-CH 40V 159A 8VSON Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

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CSD18511Q5AT

TEXAS INSTRUMENTS

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 104W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 104W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Dimensions: 5x6mm

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18511Q5AT

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 250 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18511Q5AT

Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 40V 159A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 159A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 24A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 10 V

auf Bestellung 6033 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.32 EUR
12+	1.83 EUR
100+	1.38 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18511Q5AT

Texas Instruments

MOSFETs 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18511Q5A

auf Bestellung 5050 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.32 EUR
10+	2.76 EUR
100+	1.64 EUR
500+	1.43 EUR
1000+	1.3 EUR
2500+	1.25 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18512Q5B

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18512Q5B

Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 40V 211A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 211A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7120 pF @ 20 V

auf Bestellung 7370 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.69 EUR
10+	3.01 EUR
100+	2.06 EUR
500+	1.64 EUR
1000+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18512Q5B

Texas Instruments

MOSFET N-CH 40V 211A 8VSON Діоди та діодні збірки

Produkt ist nicht verfügbar

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CSD18512Q5B

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R

auf Bestellung 243 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

76+	2.3 EUR
92+	1.87 EUR
93+	1.82 EUR
133+	1.24 EUR

Mindestbestellmenge: 76 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18512Q5B

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R

auf Bestellung 1567 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

48+	3.63 EUR
69+	2.44 EUR
100+	1.67 EUR
500+	1.29 EUR
1000+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 48 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18512Q5B

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18512Q5B

Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 40V 211A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 211A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7120 pF @ 20 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.37 EUR
5000+	1.29 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18512Q5B

Texas Instruments

MOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18512Q5BT

auf Bestellung 3821 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.32 EUR
10+	2.83 EUR
100+	1.95 EUR
500+	1.62 EUR
1000+	1.49 EUR
2500+	1.37 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18512Q5B

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R

auf Bestellung 243 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

76+	2.3 EUR
92+	1.83 EUR
93+	1.75 EUR
133+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 76 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18512Q5B

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R

auf Bestellung 1567 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

48+	3.63 EUR
69+	2.49 EUR
100+	1.74 EUR
500+	1.36 EUR
1000+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 48 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18512Q5BT

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 250 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18512Q5BT

Texas Instruments

MOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18512Q5B

auf Bestellung 328 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.49 EUR
10+	3.56 EUR
100+	2.23 EUR
500+	1.93 EUR
1000+	1.82 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18512Q5BT

Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 40V 211A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 211A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7120 pF @ 20 V

auf Bestellung 350 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.3 EUR
10+	3.69 EUR
100+	2.59 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18512Q5BT

TEXAS INSTRUMENTS

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A; 139W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 139W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18512Q5BT

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 250 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18512Q5BT

Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 40V 211A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 211A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7120 pF @ 20 V

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

250+	2.12 EUR

Mindestbestellmenge: 250 Stücke

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Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R

auf Bestellung 534 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

388+	0.45 EUR
396+	0.43 EUR
400+	0.42 EUR
500+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 388 Stücke

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Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

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2500+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R

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Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R

auf Bestellung 1450 Stücke:

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85+	2.06 EUR
124+	1.37 EUR
170+	0.95 EUR
500+	0.75 EUR
1000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 85 Stücke

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Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R

auf Bestellung 534 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

373+	0.46 EUR
384+	0.44 EUR
388+	0.42 EUR
396+	0.39 EUR
400+	0.37 EUR
500+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 373 Stücke

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Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 40V 124A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 20 V

auf Bestellung 1274 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.25 EUR
11+	2.05 EUR
100+	1.37 EUR
500+	1.08 EUR
1000+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

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Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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MOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18513Q5AT

auf Bestellung 739 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	3.31 EUR
10+	2.07 EUR
100+	1.24 EUR
500+	0.99 EUR
1000+	0.95 EUR
2500+	0.74 EUR
5000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R

auf Bestellung 1450 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

85+	2.06 EUR
124+	1.39 EUR
170+	0.99 EUR
500+	0.8 EUR
1000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 85 Stücke

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Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 40V 124A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R

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Mindestbestellmenge: 250 Stücke

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Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 40V 124A 8VSON
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA

auf Bestellung 750 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

250+	1.32 EUR
500+	1.2 EUR
750+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 250 Stücke

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Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R

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Mindestbestellmenge: 250 Stücke

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Texas Instruments

MOSFETs 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18513Q5A

auf Bestellung 797 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.52 EUR
10+	2.26 EUR
100+	1.32 EUR
500+	1.14 EUR
1000+	1.05 EUR

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Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 250 Stücke

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CSD18513Q5AT

Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 40V 124A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 20 V

auf Bestellung 872 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.52 EUR
10+	2.25 EUR
100+	1.52 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

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Produktcode: 192559

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CSD18514Q5A

Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 40V 89A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2680 pF @ 20 V

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.58 EUR
5000+	0.54 EUR
7500+	0.51 EUR
12500+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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CSD18514Q5A

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 50A 8-Pin VSONP EP T/R

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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CSD18514Q5A

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 50A 8-Pin VSONP EP T/R

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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CSD18514Q5A

Texas Instruments

MOSFET N-CH 40V 89A 8VSON Транзистори

auf Bestellung 95 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5+	1.3 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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CSD18514Q5A

Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 40V 89A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2680 pF @ 20 V

auf Bestellung 14262 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.23 EUR
15+	1.39 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

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CSD18514Q5A

Texas Instruments

MOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18514Q5AT

auf Bestellung 179 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.43 EUR
10+	1.52 EUR
100+	1 EUR
500+	0.79 EUR
1000+	0.71 EUR
2500+	0.63 EUR
5000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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CSD18514Q5A

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 50A 8-Pin VSONP EP T/R

auf Bestellung 2492 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

97+	1.8 EUR
142+	1.21 EUR
205+	0.82 EUR
500+	0.65 EUR
1000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 97 Stücke

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CSD18514Q5AT

TEXAS INSTRUMENTS

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 74W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 74W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm

auf Bestellung 738 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

38+	2.25 EUR
51+	1.69 EUR
57+	1.5 EUR
100+	1.34 EUR

Mindestbestellmenge: 38 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18514Q5AT

Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 40V 89A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2683 pF @ 20 V

auf Bestellung 1041 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	4.08 EUR
10+	2.61 EUR
100+	1.77 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

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CSD18514Q5AT

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 50A 8-Pin VSONP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 250 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18514Q5AT

Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 40V 89A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2683 pF @ 20 V

auf Bestellung 750 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

250+	1.55 EUR
500+	1.42 EUR
750+	1.34 EUR

Mindestbestellmenge: 250 Stücke

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CSD18514Q5AT

Texas Instruments

MOSFETs 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18514Q5A

auf Bestellung 19126 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.13 EUR
10+	2.64 EUR
100+	1.57 EUR
500+	1.36 EUR
1000+	1.23 EUR
2500+	1.2 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18514Q5AT

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 50A 8-Pin VSONP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 250 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18514Q5AT

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 40V 50A 8-Pin VSONP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 250 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18531Q5A

Texas Instruments

MOSFETs 60V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18531Q5AT

auf Bestellung 2692 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.02 EUR
10+	2.57 EUR
100+	1.74 EUR
500+	1.38 EUR
1000+	1.27 EUR
2500+	1.14 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18531Q5A

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R

auf Bestellung 272 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

115+	1.5 EUR
137+	1.24 EUR
250+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 115 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18531Q5A

Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 60V 19A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 30 V

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.17 EUR
5000+	1.09 EUR
7500+	1.05 EUR
12500+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18531Q5A

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R

auf Bestellung 272 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

98+	1.8 EUR
115+	1.4 EUR
137+	1.14 EUR
250+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 98 Stücke

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CSD18531Q5A

Texas Instruments

Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,8mOhm; 134A; 156W; -55°C ~ 175°C; CSD18531Q5AT CSD18531Q5A TCSD18531q5a
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	3.31 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

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CSD18531Q5A

TEXAS INSTRUMENTS

Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18531Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0035 ohm, SON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8
Verlustleistung: 3.1
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

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CSD18531Q5A

Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18531Q5A

TEXAS INSTRUMENTS

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm

auf Bestellung 686 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

35+	2.5 EUR
46+	1.86 EUR
56+	1.55 EUR
64+	1.34 EUR
100+	1.18 EUR
125+	1.14 EUR
500+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 35 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

CSD18531Q5A

Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 60V 19A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 30 V

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Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R

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Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R

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MOSFET N-CH 60V 100A 8SON Транзистори

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Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R

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TEXAS INSTRUMENTS

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Dimensions: 5x6mm

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Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R

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Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R

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CSD18531Q5AT

Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

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Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R

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Texas Instruments

MOSFET N-CH 60V 100A 8SON Транзистори

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Texas Instruments

MOSFETs 60V N-channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18531Q5A

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Texas Instruments

Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R

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CSD18531Q5AT

Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)

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Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R

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CSD18532KCS

Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4680 pF @ 30 V

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50+	2.53 EUR
100+	2.25 EUR
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