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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXGX120N60C2IXYSDescription: IGBT 600V 75A 830W PLUS TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/120ns
Switching Energy: 1.7mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 370 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 500 A
Power - Max: 830 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX12N90CIXYSIGBTs 12 Amps 900V 3 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX12N90CIXYSDescription: IGBT 900V 24A 100W PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/135ns
Switching Energy: 320µJ (off)
Test Condition: 720V, 12A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 100 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX28N140B3H1IXYSIGBT Modules 15khz-40khz w/Diode Power Device
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX28N140B3H1IXYSDescription: IGBT 1400V 60A 300W PLUS247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX300N60B3IXYSIGBT Modules XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBTs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX300N60B3IXYSDescription: IGBT 600V 1000W PLUS247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX320N60A3IXYSDescription: IGBT PT 600V 320A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Gate Charge: 560 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 320 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 700 A
Power - Max: 1000 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX320N60A3IXYSIGBT Transistors 320 Amps 600V
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX320N60B3IXYSIGBTs GenX3 600V IGBTs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX320N60B3IXYSDescription: IGBT PT 600V 500A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/250ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 3.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 585 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1200 A
Power - Max: 1700 W
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+80.97 EUR
30+54.26 EUR
120+52.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX320N60B3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 320A; 1.7kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 1.7kW
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 585nC
Pulsed collector current: 1.2kA
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 595ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 320A
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+85.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX32N170AH1IXYSIGBT Transistors 24 Amps 1700V 5 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX32N170AH1IXYSDescription: IGBT 1700V 32A 350W PLUS247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX32N170H1(IGBT,1700V,75A, with SONIC diode, TO247AD) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX32N170H1IXYSIGBT Transistors 32 Amps 1700V 2.5 Rds
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX32N170H1IXYSDescription: IGBT 1700V 75A 350W PLUS247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX35N120BIXYSIGBT Transistors 70 Amps 1200V 3.3 V Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX35N120BIXYSDescription: IGBT PT 1200V 70A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/180ns
Switching Energy: 3.8mJ (off)
Test Condition: 960V, 35A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 350 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX35N120BD1IXYSDescription: IGBT 1200V 70A 350W PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/180ns
Switching Energy: 3.8mJ (off)
Test Condition: 960V, 35A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 350 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX35N120BD1IXYSIGBT Transistors 70 Amps 1200V 3.3 V Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX35N120CD1IXYSDescription: IGBT 1200V 70A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/150ns
Switching Energy: 3mJ (off)
Test Condition: 960V, 35A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 350 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX400N30A3IXYSDescription: IGBT 300V 400A 1000W PLUS247
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.15V @ 15V, 100A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
Power - Max: 1000 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 1200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 400 A
Gate Charge: 560 nC
IGBT Type: PT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX400N30A3IXYSIGBT Transistors 400 Amps 300V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX400N30A3Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX40N120BD1IXYSIGBTs 75 Amps 1200V 3.3 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX40N120BD1IXYSDescription: IGBT 1200V PLUS247
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Input Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX40N60BD1IXYSDescription: IGBT 600V 75A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/180ns
Switching Energy: 2.7mJ (off)
Test Condition: 480V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 116 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 250 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX40N60BD1IXYSIGBT Transistors 75 Amps 600V 2.1 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX50N120C3H1IXYSDescription: IGBT PT 1200V 95A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/123ns
Switching Energy: 2mJ (on), 630µJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 196 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 95 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 460 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX50N120C3H1IXYSIGBTs High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX50N120C3H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 460W; PLUS247™
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 460W
Gate charge: 196nC
Technology: GenX3™; PT
Pulsed collector current: 240A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 60ns
Kind of package: tube
Case: PLUS247™
Turn-off time: 485ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX50N60AU1IXYSDescription: IGBT 600V 75A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/200ns
Switching Energy: 4.8mJ (off)
Test Condition: 480V, 50A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 300 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX50N60B2D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 75A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/190ns
Switching Energy: 550µJ (off)
Test Condition: 480V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 140 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 400 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX50N60BD1IXYSDescription: IGBT 600V 75A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/200ns
Switching Energy: 1.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 50A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 300 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX50N60C2D1IGBT 600V 75A 48 ns PLUS247 (корпус с изолированной подложкой) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX50N60C2D1
Produktcode: 166974
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX50N60C2D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 75A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/115ns
Switching Energy: 380µJ (off)
Test Condition: 480V, 40A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 138 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 480 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX55N120A3D1IXYSDescription: IGBT PLUS247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX55N120A3D1IXYSIGBTs IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX55N120A3H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 55A; 460W; PLUS247™
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 460W
Gate charge: 185nC
Technology: GenX3™; PT
Pulsed collector current: 400A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 70ns
Kind of package: tube
Case: PLUS247™
Turn-off time: 1253ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 55A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX55N120A3H1IXYSIGBTs Low-Frequency Range Low Vcesat w/ Diode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX55N120A3H1IXYSDescription: IGBT 1200V 125A 460W PLUS247
Power - Max: 460 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 125 A
Gate Charge: 185 nC
Test Condition: 960V, 55A, 3Ohm, 15V
Switching Energy: 5.1mJ (on), 13.3mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/365ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 55A
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Input Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX60N60B2D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 75A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/160ns
Switching Energy: 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 3.3Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 500 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX60N60B2D1MOSFET N-CH 600V 60A 100 нс (TO247) с обратным диодом Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX60N60C2D1IGBT Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX60N60C2D1IXYS
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX60N60C2D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 75A PLUS247
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 146 nC
Test Condition: 400V, 50A, 2Ohm, 15V
Switching Energy: 400µJ (on), 480µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/95ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
Power - Max: 480 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX60N60C2D1IXYSIGBT Transistors 60 Amps 600V 2.5 V Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX64N60B3D1IXYSDescription: IGBT 600V 460W PLUS247
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 168 nC
Test Condition: 480V, 50A, 3Ohm, 15V
Switching Energy: 1.5mJ (on), 1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/138ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Input Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
Power - Max: 460 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGX64N60B3D1IXYSIGBT Modules Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode
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IXGX72N60A3H1IXYSDescription: IGBT 600V 75A 540W PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/320ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 3.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 50A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 540 W
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IXGX72N60A3H1IXYSIGBT Transistors 75Amps 600V
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IXGX72N60B3H1IXYSDescription: IGBT PT 600V 75A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/152ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 480V, 50A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 450 A
Power - Max: 540 W
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IXGX72N60C3H1IXYSDescription: IGBT PT 600V 75A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/77ns
Switching Energy: 1.03mJ (on), 480µJ (off)
Test Condition: 480V, 50A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 174 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A
Power - Max: 540 W
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IXGX72N60C3H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 540W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: GenX3™; PT
Collector current: 72A
Pulsed collector current: 360A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 244ns
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IXGX72N60C3H1IXYSIGBT Transistors G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 72A
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IXGX75N250IXYSDescription: IGBT 2500V 170A 780W PLUS247
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IXGX82N120A3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 82A; 1.25kW; PLUS247™
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 1.25kW
Gate charge: 340nC
Technology: GenX3™; PT
Pulsed collector current: 580A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 109ns
Kind of package: tube
Case: PLUS247™
Turn-off time: 1.59µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 82A
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IXGX82N120A3IXYSIGBTs GenX3 1200V IGBTs
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IXGX82N120A3IXYSDescription: IGBT 1200V 260A 1250W PLUS247
Current - Collector Pulsed (Icm): 580 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 260 A
Part Status: Active
Gate Charge: 340 nC
Test Condition: 600V, 80A, 2Ohm, 15V
Switching Energy: 5.5mJ (on), 12.5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/265ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 82A
Input Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
Power - Max: 1250 W
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IXGX82N120B3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 82A; 1.25kW; PLUS247™
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 1.25kW
Gate charge: 0.35µC
Technology: GenX3™; PT
Pulsed collector current: 500A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 112ns
Kind of package: tube
Case: PLUS247™
Turn-off time: 760ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 82A
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IXGX82N120B3IXYSIGBTs GenX3 1200V IGBTs
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IXGX82N120B3IXYSDescription: IGBT 1200V 230A 1250W PLUS247
Current - Collector (Ic) (Max): 230 A
Part Status: Active
Gate Charge: 350 nC
Test Condition: 600V, 80A, 2Ohm, 15V
Switching Energy: 5mJ (on), 3.3mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/210ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 82A
Input Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
Power - Max: 1250 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 500 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
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IXGY2N120IXYSIGBTs 2 Amps 1200V 3 Rds
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IXGY2N120IXYSDescription: IGBT 1200V 5A 25W TO252AA
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