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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
MT3S03S(TE85L)
auf Bestellung 72500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S03S/MR
auf Bestellung 97300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S03T SOT416-MRTOSHIBA
auf Bestellung 680000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S03T/MR
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S03TSOT416-M
auf Bestellung 680000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S03TSOT416-MRTOSHIBA
auf Bestellung 680000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S03TTE85L(MR)
auf Bestellung 57000 Stücke:
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MT3S04A
auf Bestellung 1200 Stücke:
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MT3S04AC
auf Bestellung 7700 Stücke:
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MT3S04AFS
auf Bestellung 6500 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S04AS
auf Bestellung 8700 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S04AT
auf Bestellung 6730 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S04AT(TE85L)TOSHIBASOT23/SOT323
auf Bestellung 2728 Stücke:
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MT3S04C
auf Bestellung 8000 Stücke:
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MT3S04STOSHIBA09+
auf Bestellung 96018 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S04S(T5LALPSS,F)TOSHIBASOT23/SOT323
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S04TTOSHIBA07+ SOT-523
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S04T/AE
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S05AFS
auf Bestellung 1500 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S05T
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S06STOSHIBA07+PB SOT-523
auf Bestellung 216000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S06TTOS09+
auf Bestellung 8018 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S06T(T5LALPSS,F)TOSHIBASOT23
auf Bestellung 806 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S06T(TE85L)TOSHIBASOT416-AC
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S06T(TE85L) SOT416-ACTOSHIBA
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S06T(TE85L)SOT416-ACTOSHIBA
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S06T(TE85L,F)TOSHIBASOT23/SOT323
auf Bestellung 3708 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S06U
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S07TOSHIBA08+ .
auf Bestellung 512 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S07FS
auf Bestellung 9660 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S07S
auf Bestellung 2423 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S07T
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S07T(TE85L)
auf Bestellung 34500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S07T/AD
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S08C
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S08FS
auf Bestellung 3768 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S08T
auf Bestellung 3950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S105FS
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S106TOSHIBASOT-23 0839+
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S106T
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S111(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ S MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 700mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 11.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S111(TE85L,F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - MT3S111(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 6 V, 100 mA, 700 mW, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 700mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 11.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1886 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+3.75 EUR
139+1.68 EUR
197+1.09 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S111(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ S MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 700mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 11.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
auf Bestellung 2230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+1 EUR
25+0.84 EUR
27+0.8 EUR
100+0.73 EUR
250+0.69 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S111(TE85L,F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - MT3S111(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 6 V, 100 mA, 700 mW, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 700mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 11.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1886 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.75 EUR
139+1.68 EUR
197+1.09 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S111(TE85L,F)ToshibaRF Bipolar Transistors RF Bipolar Transistor .1A 700mW
auf Bestellung 5878 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.29 EUR
10+1.14 EUR
100+0.79 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.56 EUR
3000+0.5 EUR
6000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S111P
auf Bestellung 21600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S111P(TE12L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1GHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S111P(TE12L,F)ToshibaRF Bipolar Transistors RF Bipolar Transistor .1A 1W
auf Bestellung 1652 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.65 EUR
10+1.36 EUR
100+1.06 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.71 EUR
2000+0.68 EUR
5000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S111P(TE12L,F)ToshibaTrans RF BJT NPN 6V 0.1A 300mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S111P(TE12L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1GHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S111TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: RF TRANS NPN 6V 10GHZ UFM
Part Status: Active
Supplier Device Package: UFM
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
Frequency - Transition: 10GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 800mW
Gain: 12.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S111TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: RF TRANS NPN 6V 10GHZ UFM
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 800mW
Gain: 12.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: UFM
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
Frequency - Transition: 10GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S111TU,LF(BToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S111TU,LF(BToshibaVHF-UHF Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Application
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 198 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S111TULF(TToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S113(TE85L,F)ToshibaRF Bipolar Transistors RF Bipolar Transistor .1A 800mW
auf Bestellung 2695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.38 EUR
10+1.09 EUR
100+0.84 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.6 EUR
3000+0.56 EUR
6000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S113(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ SMINI
Part Status: Active
Supplier Device Package: S-Mini
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz
Frequency - Transition: 12.5GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.3V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 800mW
Packaging: Cut Tape (CT)
Gain: 11.8dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
auf Bestellung 1617 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.38 EUR
18+1.23 EUR
25+1.11 EUR
100+0.98 EUR
250+0.86 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S113(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ SMINI
Part Status: Active
Supplier Device Package: S-Mini
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz
Frequency - Transition: 12.5GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.3V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 800mW
Gain: 11.8dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S113PTOSHIBA10+ SOT-89
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S113P(TE12L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB
Power - Max: 1.6W
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 7.7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S113P(TE12L,F)ToshibaRF Bipolar Transistors RF Bipolar Transistor .1A 1.6W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S113P(TE12L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB
Power - Max: 1.6W
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 7.7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S113TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB
Power - Max: 900mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 11.2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz
Supplier Device Package: UFM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S113TU,LFToshibaRF Bipolar Transistors RF Bipolar Transistor .1A 900mW
auf Bestellung 1755 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.24 EUR
10+1 EUR
100+0.87 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.68 EUR
3000+0.57 EUR
6000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S113TU,LFToshibaTrans RF BJT NPN 5.3V 0.1A 900mW 3-Pin UFM T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S113TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB
Power - Max: 900mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 11.2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz
Supplier Device Package: UFM
auf Bestellung 2502 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.27 EUR
19+1.13 EUR
25+1.01 EUR
100+0.89 EUR
250+0.77 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S11CT
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S12TTOSHIBASOT523
auf Bestellung 52000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S14FS
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S14T
auf Bestellung 23580 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MT3S150PTOSHIBASOT89
auf Bestellung 20418 Stücke:
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MT3S150P(T2LALPS1F)TOSHIBASOT89
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MT3S150P(TE12L,F)
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MT3S150P(TE12L.F)TOSHIBASOT89-MP
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MT3S150P(TE12L.F) SOT89-TOSHIBA
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MT3S150P(TE12L.F)SOT89-MPTOSHIBA
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MT3S150P(TE12LF)
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MT3S150P(TE12LЈ¬F)TOS05PB
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MT3S150PTE12L
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MT3S15OP
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MT3S15TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS RF NPN 6V 1GHZ UFM
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MT3S15TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS RF NPN 6V 1GHZ UFM
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MT3S16U(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS RF NPN 5V 1GHZ USM
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MT3S16U(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS RF NPN 5V 1GHZ USM
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MT3S16U(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS RF NPN 5V 1GHZ USM
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MT3S16U(TE85L,F)ToshibaRF Bipolar Transistors RF 50mW 5.5dB 10V USM 60mA 2GHz
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MT3S18T
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MT3S20P
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MT3S20P(TE12L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: RF TRANS NPN 12V 7GHZ PW-MINI
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MT3S20P(TE12L,F)ToshibaRF Bipolar Transistors X34 Pb-FREE PW-MINI DIODE
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MT3S20P(TE12L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: RF TRANS NPN 12V 7GHZ PW-MINI
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MT3S20TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS RF NPN 7GHZ 80MA UFM
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MT3S20TU(TE85L)ToshibaRF Bipolar Transistors Radio-Freq VHF/UHF 80mA 900mW 12V
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MT3S20TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS RF NPN 7GHZ 80MA UFM
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MT3S20TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS RF NPN 7GHZ 80MA UFM
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MT3S21P
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MT3S22P
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MT3S35T
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MT3S37T
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