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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NVMFS5C604NLWFAFT3GON SemiconductorT6 60V HEFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C604NLWFAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C604NLWFET1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C604NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 40A/287A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 287A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 57763 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.85 EUR
10+7.62 EUR
100+5.71 EUR
500+5.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C604NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 40A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C604NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 40A/287A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 287A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+5.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C604NLWFT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO
auf Bestellung 1524 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.96 EUR
10+8.73 EUR
100+6.22 EUR
500+5.99 EUR
1000+5.53 EUR
1500+5.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C604NLWFT3GonsemiMOSFET NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C604NLWFT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 40A SO8FL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C604NT1GonsemiDescription: NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 287A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C604NT1GonsemiDescription: NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 287A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1038 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.62 EUR
10+11.4 EUR
100+9.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C604NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 40A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C604NT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.9 EUR
10+11.6 EUR
100+9.32 EUR
1000+8.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C604NWFT1GONN
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C604NWFT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 60V 287A 12MO
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.49 EUR
10+12.67 EUR
25+11.69 EUR
100+9.37 EUR
250+9.03 EUR
500+8.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C612NLonsemiMOSFETs NFET SO8FL 60V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C612NLAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 38A/250A 5DFN
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 250A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C612NLAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 38A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+5.01 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C612NLAFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C612NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 A, 0.00136 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 167W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00136ohm
auf Bestellung 1415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.65 EUR
35+6.64 EUR
100+5.19 EUR
500+4.41 EUR
1000+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C612NLAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 38A/250A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 250A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C612NLAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 38A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C612NLAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 38A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+5.13 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C612NLAFT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 60V
auf Bestellung 2268 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.33 EUR
10+5.53 EUR
100+3.94 EUR
500+3.27 EUR
1500+3.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C612NLAFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C612NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 A, 0.00136 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 167W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00136ohm
auf Bestellung 2416 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.19 EUR
500+4.41 EUR
1000+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C612NLAFT1GON Semiconductor
auf Bestellung 1260 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C612NLAFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 38A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C612NLAFT3GonsemiMOSFET NFET SO8FL 60V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C612NLAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 38A/250A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 250A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C612NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 36A/235A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 235A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
auf Bestellung 1122000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+3.95 EUR
3000+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C612NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 38A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 152895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
165+3.96 EUR
500+3.71 EUR
1000+3.42 EUR
10000+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 165 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C612NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 36A/235A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 235A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1122000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.66 EUR
10+6.43 EUR
100+5.2 EUR
500+4.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C612NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 38A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C612NLT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO
auf Bestellung 1430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.04 EUR
10+5.99 EUR
100+4.41 EUR
500+4.11 EUR
1000+3.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C612NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 38A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C612NLT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 36A/235A 5DFN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 235A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C612NLT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C612NLWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 38A/250A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C612NLWFAFT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 60V
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.1 EUR
10+5.62 EUR
100+4.44 EUR
500+4.27 EUR
1000+3.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C612NLWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 38A/250A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C612NLWFAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 38A Automotive 5-Pin DFNW EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C612NLWFAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 38A/250A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C612NLWFAFT3GonsemiMOSFET NFET SO8FL 60V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C612NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 38A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C612NLWFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C612NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 36A/235A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C612NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 36A/235A 5DFN
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 235A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C612NLWFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C612NT1GonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 60V, 225A, 1.65mohm
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.82 EUR
10+6.53 EUR
25+6.43 EUR
100+4.66 EUR
500+3.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C612NT1GonsemiDescription: NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 225A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.23 EUR
10+5.74 EUR
100+4.24 EUR
500+3.74 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C612NT1GonsemiDescription: NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 225A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+3.74 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C612NWFT1GonsemiMOSFETs 60V 225A 1.65mOhms
auf Bestellung 6811 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.65 EUR
10+6.22 EUR
100+5.02 EUR
500+4.93 EUR
1000+4.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C612NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 34A/225A 5DFN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 225A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C612NWFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C612NWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 225 A, 0.00135 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00135ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.29 EUR
44+5.38 EUR
100+4.63 EUR
500+4.28 EUR
1000+3.94 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C612NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 34A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C612NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 34A/225A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 225A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1098 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.65 EUR
10+6.76 EUR
100+5.03 EUR
500+4.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C612NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 34A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C612NWFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C612NWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 225 A, 0.00135 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00135ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.45 EUR
500+4.2 EUR
1000+3.94 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C628NonsemiMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C628NLAFT1GonsemiMOSFETs TRENCH 6 60V NFET
auf Bestellung 697 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.91 EUR
10+4.55 EUR
100+3.19 EUR
500+2.92 EUR
1000+2.7 EUR
1500+2.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C628NLAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C628NLAFT1GON Semiconductor
auf Bestellung 785 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C628NLAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 369 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.38 EUR
10+4.83 EUR
100+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C628NLAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 28A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C628NLAFT1G-YEonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 60
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.19 EUR
10+2.69 EUR
100+1.83 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.34 EUR
2000+1.25 EUR
5000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C628NLAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C628NLAFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 28A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C628NLAFT3GonsemiMOSFET TRENCH 6 60V NFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C628NLET1GonsemiDescription: TRENCH 6 60V NFET
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.13 EUR
10+2.64 EUR
100+1.8 EUR
500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C628NLET1GonsemiMOSFETs TRENCH 6 60V NFET
auf Bestellung 920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.88 EUR
10+2.49 EUR
100+1.68 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C628NLET1GonsemiDescription: TRENCH 6 60V NFET
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C628NLET1G-YEonsemiDescription: TRENCH 6 60V NFET
auf Bestellung 5730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.25 EUR
10+2.73 EUR
100+1.86 EUR
500+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C628NLET1G-YEonsemiDescription: TRENCH 6 60V NFET
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.21 EUR
3000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C628NLET1G-YEonsemiMOSFETs TRENCH 6 60V NFET
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.19 EUR
10+2.67 EUR
100+1.83 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.31 EUR
1500+1.21 EUR
4500+1.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C628NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C628NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 0.002 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.98 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C628NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C628NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 28A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C628NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C628NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 0.002 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+7 EUR
52+4.55 EUR
100+3.11 EUR
500+3 EUR
1000+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C628NLT1GonsemiMOSFETs TRENCH 6 60V NFET
auf Bestellung 22109 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.37 EUR
10+4.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C628NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 1118 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.33 EUR
10+4.14 EUR
100+2.89 EUR
500+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C628NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 28A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C628NLT3GON SemiconductorMOSFET TRENCH 6 60V NFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C628NLT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C628NLWFAFT1GON Semiconductor
auf Bestellung 1190 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C628NLWFAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 28A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C628NLWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 150A (Tc)
auf Bestellung 2051 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.95 EUR
10+4.53 EUR
100+3.17 EUR
500+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C628NLWFAFT1GonsemiMOSFETs TRENCH 6 60V NFET
auf Bestellung 12191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.46 EUR
10+4.27 EUR
100+3 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C628NLWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C628NLWFAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C628NLWFAFT3GonsemiMOSFET TRENCH 6 60V NFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C628NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C628NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 28A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C628NLWFT1GON SemiconductorMOSFET TRENCH 6 60V NFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C628NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C628NLWFT3GON SemiconductorMOSFET TRENCH 6 60V NFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C628NT1GonsemiMOSFETs T6 60V SG
auf Bestellung 12300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.7 EUR
10+4.5 EUR
25+4.32 EUR
100+3.31 EUR
250+3.28 EUR
500+2.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C628NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C628NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 2300 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.65 EUR
50+4.74 EUR
100+3.34 EUR
500+3 EUR
1000+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C628NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 135µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.69 EUR
10+5.05 EUR
100+3.55 EUR
500+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C628NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 28A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C628NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C628NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 2300 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.34 EUR
500+3 EUR
1000+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C628NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 135µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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