Produkte > NVM
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| NVMFS5C468NLWFAFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 37A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVMFS5C468NLWFAFT3G | ON Semiconductor | MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVMFS5C468NLWFET3G | onsemi | MOSFETs T6 40V NCH LL IN SO8FL | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVMFS5C468NLWFT1G | ON Semiconductor | MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVMFS5C468NLWFT1G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V SO8FL | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVMFS5C468NLWFT3G | ON Semiconductor | MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVMFS5C468NLWFT3G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V SO8FL | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVMFS5C468NT1G | onsemi | MOSFETs 40V 12 MOHM T6 S08FL SING | auf Bestellung 3597 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVMFS5C468NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 12A/35A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVMFS5C468NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 12A/35A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 483 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVMFS5C468NWFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 12A/35A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1848000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVMFS5C468NWFT1G | onsemi | MOSFETs 40V 12 MOHM T6 S08FL SING | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVMFS5C468NWFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 12A/35A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1848750 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVMFS5C604NL | onsemi | MOSFET T6 60V HEFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVMFS5C604NLAFT1G | ONN | auf Bestellung 1415 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| NVMFS5C604NLAFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 287A (Tc) FET Type: N-Channel Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 215770 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVMFS5C604NLAFT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVMFS5C604NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 287 A, 0.0012 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 287A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 4478 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVMFS5C604NLAFT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 40A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVMFS5C604NLAFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 287A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 215490 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVMFS5C604NLAFT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVMFS5C604NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 287 A, 930 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 287A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 930µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 6951 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVMFS5C604NLAFT1G | onsemi | MOSFETs T6 60V HEFET | auf Bestellung 5013 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVMFS5C604NLAFT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 40A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVMFS5C604NLAFT3G | ON Semiconductor | MOSFET T6 60V HEFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVMFS5C604NLAFT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVMFS5C604NLT1G | ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO | auf Bestellung 246 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVMFS5C604NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 40A/287A 5DFN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVMFS5C604NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 40A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVMFS5C604NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 40A/287A 5DFN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVMFS5C604NLT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 40A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVMFS5C604NLT3G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 40A SO8FL | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVMFS5C604NLT3G | ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVMFS5C604NLWFAFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 287A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVMFS5C604NLWFAFT1G | onsemi | MOSFETs T6 60V HEFET | auf Bestellung 6121 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVMFS5C604NLWFAFT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 40A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVMFS5C604NLWFAFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 287A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | auf Bestellung 3659 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVMFS5C604NLWFAFT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 40A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVMFS5C604NLWFAFT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVMFS5C604NLWFAFT3G | ON Semiconductor | MOSFET T6 60V HEFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVMFS5C604NLWFAFT3G | ON Semiconductor | T6 60V HEFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVMFS5C604NLWFET1G | onsemi | MOSFETs NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 375-379 Tag (e) |
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| NVMFS5C604NLWFET1G | onsemi | Description: NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVMFS5C604NLWFET1G | onsemi | Description: NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVMFS5C604NLWFT1G | onsemi | MOSFETs NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO | auf Bestellung 1524 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVMFS5C604NLWFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 40A/287A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 287A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 57000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVMFS5C604NLWFT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 40A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVMFS5C604NLWFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 40A/287A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 287A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 57763 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVMFS5C604NLWFT3G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 40A SO8FL | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVMFS5C604NLWFT3G | onsemi | MOSFET NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVMFS5C604NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 40A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVMFS5C604NT1G | onsemi | MOSFETs NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO | auf Bestellung 349 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVMFS5C604NT1G | onsemi | Description: NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 287A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVMFS5C604NT1G | onsemi | Description: NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 287A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVMFS5C604NWFT1G | onsemi | Description: NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO | auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVMFS5C604NWFT1G | onsemi | Description: NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO | auf Bestellung 5325 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVMFS5C604NWFT1G | ONN | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| NVMFS5C604NWFT1G | onsemi | MOSFETs NFET SO8FL 60V 287A 12MO | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVMFS5C612NL | onsemi | MOSFETs NFET SO8FL 60V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVMFS5C612NLAFT1G | onsemi | MOSFETs NFET SO8FL 60V | auf Bestellung 2268 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVMFS5C612NLAFT1G | onsemi | Description: NFET SO8FL 60V Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 250A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVMFS5C612NLAFT1G | ON Semiconductor | auf Bestellung 1260 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| NVMFS5C612NLAFT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 38A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVMFS5C612NLAFT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVMFS5C612NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 A, 0.00136 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 250A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 167W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00136ohm | auf Bestellung 1415 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVMFS5C612NLAFT1G | onsemi | Description: NFET SO8FL 60V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVMFS5C612NLAFT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 38A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVMFS5C612NLAFT1G | onsemi | Description: NFET SO8FL 60V Grade: Automotive Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 250A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V | auf Bestellung 580 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVMFS5C612NLAFT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 38A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVMFS5C612NLAFT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVMFS5C612NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 A, 0.00136 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 250A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 167W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00136ohm | auf Bestellung 2416 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVMFS5C612NLAFT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 38A/250A 5DFN Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 250A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVMFS5C612NLAFT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 38A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVMFS5C612NLAFT3G | onsemi | MOSFET NFET SO8FL 60V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVMFS5C612NLET1G | onsemi | MOSFETs NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO | auf Bestellung 1050 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVMFS5C612NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 38A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVMFS5C612NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 36A/235A 5DFN Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 235A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 1122000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVMFS5C612NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 36A/235A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 235A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads | auf Bestellung 1122000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVMFS5C612NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 38A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R | auf Bestellung 152895 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVMFS5C612NLT1G | onsemi | MOSFETs NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO | auf Bestellung 2269 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVMFS5C612NLT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 38A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVMFS5C612NLT3G | ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVMFS5C612NLT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 36A/235A 5DFN Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 235A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVMFS5C612NLWFAFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 38A/250A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 250A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVMFS5C612NLWFAFT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 38A Automotive 5-Pin DFNW EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVMFS5C612NLWFAFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 38A/250A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 250A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVMFS5C612NLWFAFT1G | onsemi | MOSFETs NFET SO8FL 60V | auf Bestellung 620 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVMFS5C612NLWFAFT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 38A/250A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 250A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVMFS5C612NLWFAFT3G | onsemi | MOSFET NFET SO8FL 60V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVMFS5C612NLWFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 36A/235A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 235A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVMFS5C612NLWFT1G | ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO | auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVMFS5C612NLWFT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 38A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVMFS5C612NLWFT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 36A/235A 5DFN Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 235A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVMFS5C612NLWFT3G | ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVMFS5C612NT1G | onsemi | Description: NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 225A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVMFS5C612NT1G | onsemi | MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 60V, 225A, 1.65mohm | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVMFS5C612NT1G | onsemi | Description: NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 225A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVMFS5C612NWFT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 34A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVMFS5C612NWFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 34A/225A 5DFN Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 225A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 1098 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVMFS5C612NWFT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVMFS5C612NWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 225 A, 0.00135 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 225A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00135ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVMFS5C612NWFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 34A/225A 5DFN Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 225A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVMFS5C612NWFT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVMFS5C612NWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 225 A, 0.00135 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 225A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00135ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 5990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVMFS5C612NWFT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 34A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NVMFS5C612NWFT1G | onsemi | MOSFETs 60V 225A 1.65mOhms | auf Bestellung 6811 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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