Produkte > IRF

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 22 44 66 88 110 132 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 154 176 198 220 223  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRFL4310TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 2.1W; SOT223
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 2.1W
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4310TRPBFInternational Rectifier100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 packa, pbf Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4310TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 67500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.28 EUR
7500+0.27 EUR
12500+0.26 EUR
17500+0.25 EUR
25000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4310TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4310TRPBF
Produktcode: 53875
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-223
Uds,V: 100 V
Idd,A: 1,6 A
Rds(on), Ohm: 0,20 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/25
JHGF: SMD
auf Bestellung 26 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4310TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFL4310TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 2504 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4310TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 67500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.28 EUR
5000+0.27 EUR
7500+0.26 EUR
12500+0.25 EUR
17500+0.23 EUR
25000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4310TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
auf Bestellung 9793 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.55 EUR
19+0.96 EUR
100+0.62 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4310TRPBFInfineon100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 packa, pbf Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4310TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 1.6A 200mOhm 17nC
auf Bestellung 10659 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.64 EUR
10+0.98 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
2500+0.39 EUR
5000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4310TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
185+0.79 EUR
260+0.56 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 185 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4310TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.3 EUR
5000+0.29 EUR
7500+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4310TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.3 EUR
5000+0.29 EUR
7500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4315Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2560 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4315International RectifierTransistor N-MOSFET; 150V; 30V; 185mOhm; 2,6A; 2,8W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRFL4315; IRFL4315TR; IRFL4315; IRFL4315TR TIRFL4315
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4315InfineonTransistor N-MOSFET; 150V; 30V; 185mOhm; 2,6A; 2,8W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRFL4315; IRFL4315TR; IRFL4315; IRFL4315TR TIRFL4315
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4315PBFInternational Rectifier150V , 2.6A Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 packa Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4315PBFInfineon TechnologiesMOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 12nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4315PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4315PbF(Transistor)
Produktcode: 76177
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-223-4
Uds,V: 150 V
Idd,A: 2,6 A
Rds(on), Ohm: 185 mOhm
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4315TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.4 EUR
5000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4315TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFL4315TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.6 A, 0.185 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
auf Bestellung 2436 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4315TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4315TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4315TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.4 EUR
5000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4315TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4315TRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4315TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.41 EUR
5000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4315TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFL4315TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.6 A, 0.185 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
auf Bestellung 2436 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4315TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.6A; 2.8W; SOT223
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 2.8W
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4315TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.41 EUR
5000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4315TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 150V 2.6A 185mOhm 12nC
auf Bestellung 8988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.22 EUR
10+1.37 EUR
100+0.9 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.61 EUR
2500+0.55 EUR
5000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4315TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
auf Bestellung 4811 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.69 EUR
17+1.06 EUR
100+0.7 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL4710IR07+ SOT-223
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL52N15DIR07+ SOT-223
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL59N10DIR07+ SOT-223
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL630IR07+ SOT-223
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL630BIR07+ SOT-223
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL7406PBFInternational RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9014
Produktcode: 46633
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9014Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9014Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9014
Produktcode: 123235
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
SILITransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-223
Uds,V: 60 V
Id,A: 1,8 A
Rds(on),Om: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 270/12
/: SMD
auf Bestellung 67 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9014IRSOT-223
auf Bestellung 88000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9014PBFVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9014PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9014PBFVishay/IRP-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 1,8 A, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 270 пФ, Qg, нКл = 12 @ 10 В, Rds = 500 мОм @ 1.1 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
verfügbar 3 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9014PBF(Transistor)
Produktcode: 31798
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9014PBF..VISHAYDescription: VISHAY - IRFL9014PBF.. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 1.8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.1
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9014TRUMWTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 62mOhm; 8A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFL9014; IRFL9014TR; IRFL9014TR-BE3; IRFL9014TR UMW TIRFL9014 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9014TR
Produktcode: 201622
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9014TRVishayTranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 500mOhm; 1,8A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFL9014; IRFL9014TR; IRFL9014-GURT; IRFL9014TR-BE3; IRFL9014TR TIRFL9014
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9014TRVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9014TRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9014TRVishayTranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 500mOhm; 1,8A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFL9014; IRFL9014TR; IRFL9014-GURT; IRFL9014TR-BE3; IRFL9014TR TIRFL9014
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9014TR-CNCHIPNOBOTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 99mOhm; 10A; 31,3W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFL9014; IRFL9014TR; IRFL9014TR-BE3; IRFL9014TR-CN CHIPNOBO TIRFL9014 CNB
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9014TRPBF
Produktcode: 31799
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-223
Uds,V: 60
Id,A: 1.8
Rds(on),Om: 0.5
/: SMD
verfügbar: 12 St.
    1+0.57 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFL9014TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFL9014TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 60V 1.1 Amp
    auf Bestellung 2234 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    2+2.39 EUR
    10+1.45 EUR
    100+1.14 EUR
    500+0.9 EUR
    1000+0.82 EUR
    2500+0.73 EUR
    5000+0.61 EUR
    Mindestbestellmenge: 2 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFL9014TRPBFVishay/IRP-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 1,8 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 270 @ 25, Qg, нКл = 12 @ 10 В, Rds = 500 мОм @ 1,1 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2, 3,1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-223 Очікується: 2902 Од.
    Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFL9014TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
    Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: SOT-223
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
    auf Bestellung 47500 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    2500+1.42 EUR
    5000+1.33 EUR
    7500+1.32 EUR
    Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFL9014TRPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
    Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; Idm: -14A; 3.1W; SOT223
    Type of transistor: P-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: -60V
    Drain current: -1.1A
    Pulsed drain current: -14A
    Power dissipation: 3.1W
    Case: SOT223
    Gate-source voltage: ±20V
    On-state resistance: 0.5Ω
    Mounting: SMD
    Gate charge: 12nC
    Kind of package: reel; tape
    Kind of channel: enhancement
    auf Bestellung 4683 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    49+1.49 EUR
    71+1.01 EUR
    100+0.78 EUR
    500+0.63 EUR
    1000+0.56 EUR
    2500+0.48 EUR
    Mindestbestellmenge: 49 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFL9014TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFL9014TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    euEccn: NLR
    Drain-Source-Spannung Vds: 60V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
    Verlustleistung: 3.1W
    SVHC: Lead (04-Feb-2026)
    Bauform - Transistor: SOT-223
    Anzahl der Pins: 4Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: No
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: p-Kanal
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
    auf Bestellung 6762 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFL9014TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
    Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: SOT-223
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
    auf Bestellung 48522 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    4+4.68 EUR
    10+3.03 EUR
    100+2.09 EUR
    500+1.69 EUR
    1000+1.61 EUR
    Mindestbestellmenge: 4 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFL9014TRPBF-BE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
    Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; Idm: -14A; 3.1W; SOT223
    Pulsed drain current: -14A
    Drain current: -1.1A
    Gate charge: 12nC
    On-state resistance: 0.5Ω
    Power dissipation: 3.1W
    Gate-source voltage: ±20V
    Kind of channel: enhancement
    Type of transistor: P-MOSFET
    Kind of package: reel; tape
    Mounting: SMD
    Case: SOT223
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: -60V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFL9014TRPBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRFL9014TRPBF-BE3 - MOSFET, P-CH, 60V, 1.8A, SOT-223
    tariffCode: 85412900
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    rohsCompliant: YES
    Anzahl der Pins: 4Pin(s)
    euEccn: NLR
    isCanonical: Y
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    directShipCharge: 25
    usEccn: EAR99
    auf Bestellung 2238 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFL9014TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
    Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: SOT-223
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
    auf Bestellung 2604 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    4+4.68 EUR
    10+3.03 EUR
    100+2.09 EUR
    500+1.69 EUR
    1000+1.61 EUR
    Mindestbestellmenge: 4 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFL9014TRPBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
    auf Bestellung 2238 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    76+1.94 EUR
    100+1.83 EUR
    250+1.72 EUR
    500+1.62 EUR
    1000+1.54 EUR
    Mindestbestellmenge: 76 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFL9014TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
    Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: SOT-223
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
    auf Bestellung 2500 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    2500+1.42 EUR
    Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFL9014TRPBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
    auf Bestellung 2500 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    2500+0.38 EUR
    Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFL9014TRPBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
    auf Bestellung 2500 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    2500+0.38 EUR
    Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFL9014TRPBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT223 P-CH 60V 1.8A
    auf Bestellung 94124 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    2+2.29 EUR
    10+1.5 EUR
    100+0.99 EUR
    500+0.78 EUR
    1000+0.67 EUR
    2500+0.6 EUR
    5000+0.52 EUR
    Mindestbestellmenge: 2 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFL9110Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFL
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFL9110Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V
    Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: SOT-223
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFL9110IRSOT-223
    auf Bestellung 72500 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFL9110PBFVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFL9110TRPBF
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFL9110PBFP-Channel 100V 1.1A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount SOT-223 Транзистори
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFL9110PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V
    Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: SOT-223
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFL9110PBFIRFL9110PBF Транзисторы HEXFET
    auf Bestellung 5102 Stücke:
    Lieferzeit 7-21 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFL9110PBF
    Produktcode: 99844
    zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
    Gehäuse: SOT-223-3
    Uds,V: 100 V
    Id,A: 0,69 A
    Rds(on),Om: 1,2 Ohm
    Ciss, pF/Qg, nC: 200/8,7
    /: SMD
    auf Bestellung 1 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFL9110PBFVishay/IRP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 1,1 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 200 @ 25, Qg, нКл = 8,7 @ 10 В, Rds = 1,2 Ом @ 660 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
    Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
    verfügbar 1 Stücke:
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFL9110TRVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFL
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFL9110TRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V
    Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: SOT-223
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFL9110TR FF.SiliconixTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 1,2Ohm; 1,1A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; IRFL9110 TIRFL9110
    Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
    auf Bestellung 100 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    50+0.95 EUR
    Mindestbestellmenge: 50 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFL9110TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
    auf Bestellung 230 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    197+0.74 EUR
    199+0.73 EUR
    230+0.61 EUR
    Mindestbestellmenge: 197 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFL9110TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V
    Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: SOT-223
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
    auf Bestellung 21091 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    4+4.4 EUR
    10+2.84 EUR
    100+1.95 EUR
    500+1.57 EUR
    1000+1.49 EUR
    Mindestbestellmenge: 4 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    irfl9110trpbf
    Produktcode: 22352
    zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

    8542 39 90 00
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFL9110TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
    auf Bestellung 5000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    2500+0.63 EUR
    5000+0.55 EUR
    Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFL9110TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFL9110TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.1 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    euEccn: NLR
    Drain-Source-Spannung Vds: 100V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: N
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
    Verlustleistung: 2W
    SVHC: Lead (04-Feb-2026)
    Bauform - Transistor: SOT-223
    Anzahl der Pins: 4Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: p-Kanal
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
    auf Bestellung 7487 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    		 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFL9110TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 100V 1.1 Amp
    auf Bestellung 47650 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    2+2.01 EUR
    10+1.27 EUR
    100+0.97 EUR
    500+0.76 EUR
    1000+0.65 EUR
    2500+0.59 EUR
    5000+0.52 EUR
    Mindestbestellmenge: 2 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFL9110TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
    auf Bestellung 230 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    166+0.88 EUR
    197+0.72 EUR
    199+0.68 EUR
    230+0.57 EUR
    Mindestbestellmenge: 166 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFL9110TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: P-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V
    Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: SOT-223
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
    auf Bestellung 20000 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    2500+1.32 EUR
    5000+1.24 EUR
    7500+1.22 EUR
    Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFL9110TRPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
    Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.69A; Idm: -8.8A; 3.1W
    Pulsed drain current: -8.8A
    Drain current: -0.69A
    Gate charge: 8.7nC
    On-state resistance: 1.2Ω
    Power dissipation: 3.1W
    Gate-source voltage: ±20V
    Kind of channel: enhancement
    Type of transistor: P-MOSFET
    Kind of package: reel; tape
    Mounting: SMD
    Case: SOT223
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: -100V
    auf Bestellung 2393 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    58+1.24 EUR
    78+0.92 EUR
    105+0.68 EUR
    119+0.6 EUR
    250+0.52 EUR
    500+0.47 EUR
    1000+0.41 EUR
    Mindestbestellmenge: 58 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFL9110TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
    auf Bestellung 2593 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    101+1.45 EUR
    129+1.12 EUR
    250+0.98 EUR
    500+0.76 EUR
    1000+0.64 EUR
    2500+0.57 EUR
    Mindestbestellmenge: 101 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFL9110TRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFL9110TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.1 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    euEccn: NLR
    Drain-Source-Spannung Vds: 100V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
    Verlustleistung: 2W
    SVHC: Lead (04-Feb-2026)
    Bauform - Transistor: SOT-223
    Anzahl der Pins: 4Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: p-Kanal
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
    auf Bestellung 7487 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    		 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFL9110TRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
    auf Bestellung 5000 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    2500+0.63 EUR
    5000+0.54 EUR
    Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFL9110TRPBFSOT223 Транзистори
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFL9110TRPBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
    auf Bestellung 2298 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    70+2.72 EUR
    100+1.84 EUR
    500+1.45 EUR
    1000+1.34 EUR
    Mindestbestellmenge: 70 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFL9110TRPBF-BE3Vishay SiliconixP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 1,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 200 @ 25, Qg, нКл = 8,7 @ 10 В, Rds = 1,2 Ом @ 660 мA, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2, 3,1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-223 Очікується: 50 Од.
    Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
    verfügbar 5 Stücke:
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRFL9110TRPBF-BE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
    Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.69A; Idm: -8.8A; 3.1W
    Pulsed drain current: -8.8A
    Drain current: -0.69A
    Gate charge: 8.7nC
    On-state resistance: 1.2Ω
    Power dissipation: 3.1W
    Gate-source voltage: ±20V
    Kind of channel: enhancement
    Type of transistor: P-MOSFET
    Kind of package: reel; tape
    Mounting: SMD
    Case: SOT223
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: -100V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 22 44 66 88 110 132 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 154 176 198 220 223  [ Nächste Seite >> ]