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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRF300P226Infineon TechnologiesMOSFETs IFX OPTIMOS
auf Bestellung 992 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.3 EUR
10+14.66 EUR
25+10.4 EUR
100+8.82 EUR
400+8.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF300P227INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 300V; 35A; 313W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: StrongIRFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 35A
Power dissipation: 313W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 107nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF300P227Infineon TechnologiesMOSFETs IFX OPTIMOS
auf Bestellung 756 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.34 EUR
10+11.33 EUR
25+7.87 EUR
100+6.58 EUR
400+6.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF300P227Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 300V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+10.01 EUR
18+8.27 EUR
50+6.48 EUR
100+5.32 EUR
200+5.15 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF300P227INFINEONDescription: INFINEON - IRF300P227 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 50 A, 0.033 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF300P227Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 300V 50A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4893 pF @ 50 V
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3034IOR01+ SOP
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3037AIR03+
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3037ACSIOR
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3040TI00+ QFP
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3065CLIR2003
auf Bestellung 323 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF310IR/MOT
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3103IR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF320Infineon / IRMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF320IR/MOT
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205
Produktcode: 188594
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205Infineon / IRMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205International RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205; IRF 3205 ; IRF3205; YFW120N06AC; PTP12HN06; MOT110N06F; D3205; IRF3205 TIRF3205
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205 IR
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205-CNCHIPNOBOTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 15mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205-CN CHIPNOBO TIRF3205 CNB
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205-ML MOSLEADER TIRF3205 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 110A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 110A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
389+1.41 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 389 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205LPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF3205LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.008 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205NSTRLPBFIR09+
auf Bestellung 10018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PB
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 98A 8mOhm 97.3nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBFIRF3205PBF Транзисторы
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF3205PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 37036 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 28358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
386+1.42 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.14 EUR
10000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 386 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBFInfineonMOSFET N-CH 55V, 98A, TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
386+1.42 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 386 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1871 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+2.91 EUR
117+1.23 EUR
119+1.19 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 55V, 110A, TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
16 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 1459 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.5 EUR
10+1.45 EUR
100+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1509 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
386+1.42 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 386 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
386+1.42 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 386 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF/IRIR08+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205SInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 110 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25, Qg, нКл = 146 @ 10 В, Rds = 8 мОм @ 62 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 2 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205SJSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; SP001576776; SP001576758; SP001564448; IRF3205S JSMICRO TIRF3205s JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205SPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 110 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25 В, Qg, нКл = 146 @ 10 В, Rds = 8 мОм @ 62 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 16 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205SPBF
Produktcode: 36593
3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3247/146
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 17 St.
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF3205SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
    Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: D2PAK
    Part Status: Discontinued at Digi-Key
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF3205SPBFInternational RectifierTO-263-3 (D2PAK) Транзистори
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF3205SPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 97.3nC
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF3205STRLInternational RectifierTranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; IRF3205S-GURT; MOT100N07E; PTY12HN06; IRF3205S TIRF3205s
    Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
    auf Bestellung 200 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    50+1.95 EUR
    Mindestbestellmenge: 50 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF3205STRLInfineonTranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; IRF3205S-GURT; MOT100N07E; PTY12HN06; IRF3205S TIRF3205s
    Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
    auf Bestellung 86 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    50+1.95 EUR
    Mindestbestellmenge: 50 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF3205STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
    auf Bestellung 64800 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    800+1.04 EUR
    2400+1.01 EUR
    4800+0.95 EUR
    Mindestbestellmenge: 800 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF3205STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
    Type of transistor: N-MOSFET
    Technology: HEXFET®
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 55V
    Drain current: 110A
    Power dissipation: 200W
    Case: D2PAK
    Mounting: SMD
    Kind of package: reel
    Kind of channel: enhancement
    auf Bestellung 1907 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    28+2.6 EUR
    44+1.64 EUR
    58+1.24 EUR
    100+1.12 EUR
    250+1 EUR
    500+0.9 EUR
    800+0.86 EUR
    1600+0.8 EUR
    Mindestbestellmenge: 28 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF3205STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC
    auf Bestellung 7128 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+4.35 EUR
    10+2.78 EUR
    100+1.9 EUR
    500+1.61 EUR
    800+1.43 EUR
    2400+1.35 EUR
    4800+1.28 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF3205STRLPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
    auf Bestellung 370 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    328+1.67 EUR
    Mindestbestellmenge: 328 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF3205STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    euEccn: NLR
    Drain-Source-Spannung Vds: 55V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 110A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: N
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
    Verlustleistung: 200W
    SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
    Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: n-Kanal
    Betriebstemperatur, max.: 175°C
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
    auf Bestellung 1256 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    		 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF3205STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
    auf Bestellung 64800 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    800+1.04 EUR
    2400+0.98 EUR
    4800+0.91 EUR
    Mindestbestellmenge: 800 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF3205STRLPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 110 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25, Qg, нКл = 146 @ 10 В, Rds = 8 мОм @ 62 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
    Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF3205STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
    Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: D2PAK
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
    auf Bestellung 2200 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    4+4.52 EUR
    10+2.9 EUR
    100+1.98 EUR
    Mindestbestellmenge: 4 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF3205STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF3205STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    euEccn: NLR
    Drain-Source-Spannung Vds: 55V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 110A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
    Verlustleistung: 200W
    SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
    Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: n-Kanal
    Betriebstemperatur, max.: 175°C
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
    auf Bestellung 1256 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF3205STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
    auf Bestellung 2735 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    51+2.87 EUR
    74+1.95 EUR
    100+1.42 EUR
    800+0.97 EUR
    2400+0.92 EUR
    Mindestbestellmenge: 51 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF3205STRLPBFInternational RectifierD2PAK Транзистори
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF3205STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
    Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: D2PAK
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
    auf Bestellung 1600 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    800+1.5 EUR
    1600+1.38 EUR
    Mindestbestellmenge: 800 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF3205STRLPBF/IRIR08+;
    auf Bestellung 9000 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF3205STRPBFIR09+
    auf Bestellung 5000 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF3205STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
    Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: D2PAK
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF3205STRRPBFInternational RectifierD2PAK Транзистори
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF3205STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF3205STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
    Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: D2PAK
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF3205STRRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
    Type of transistor: N-MOSFET
    Technology: HEXFET®
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 55V
    Drain current: 110A
    Power dissipation: 200W
    Case: D2PAK
    Mounting: SMD
    Kind of package: reel
    Kind of channel: enhancement
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF3205TRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 110 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3247, Qg, нКл = 146 @ 10 В, Rds = 8 мОм @ 62 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 200 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
    Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF3205ZInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
    Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
    auf Bestellung 30 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    50+2.63 EUR
    Mindestbestellmenge: 30 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF3205ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-220-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
    Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-220AB
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF3205ZInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
    Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
    auf Bestellung 50 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    50+2.63 EUR
    Mindestbestellmenge: 50 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF3205ZLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO262
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
    Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-262
    Part Status: Obsolete
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF3205ZLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
    auf Bestellung 2400 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    260+1.69 EUR
    500+1.5 EUR
    1000+1.35 EUR
    Mindestbestellmenge: 260 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF3205ZLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO262
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
    Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-262
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF3205ZLPBFInfineon TechnologiesMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 76nC
    Produkt ist nicht verfügbar
    		 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF3205ZLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF3205ZLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.0065 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Durchsteckmontage
    Drain-Source-Spannung Vds: 55V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 110A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    usEccn: EAR99
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
    euEccn: NLR
    Verlustleistung: 170W
    Bauform - Transistor: TO-262
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: HEXFET Series
    productTraceability: No
    Kanaltyp: n-Kanal
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Betriebstemperatur, max.: 175°C
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
    Produkt ist nicht verfügbar
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF3205ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-220-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
    Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-220AB
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
    auf Bestellung 2173 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    5+3.71 EUR
    50+1.78 EUR
    100+1.59 EUR
    500+1.27 EUR
    1000+1.16 EUR
    2000+1.07 EUR
    Mindestbestellmenge: 5 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF3205ZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
    Type of transistor: N-MOSFET
    Technology: HEXFET®
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 55V
    Drain current: 78A
    Power dissipation: 170W
    Case: TO220AB
    Gate-source voltage: ±20V
    On-state resistance: 6.5mΩ
    Mounting: THT
    Gate charge: 110nC
    Kind of package: tube
    Kind of channel: enhancement
    auf Bestellung 1117 Stücke:
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    IRF3205ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg
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    IRF3205ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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    IRF3205ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF3205ZPBF - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 55 V, 110 A, 6500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Durchsteckmontage
    euEccn: NLR
    Drain-Source-Spannung Vds: 55V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 110A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    MSL: -
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
    Verlustleistung: 170W
    SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
    Bauform - Transistor: TO-220AB
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: n-Kanal
    Betriebstemperatur, max.: 175°C
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
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    IRF3205ZPBFInternational RectifierTO-220AB Транзистори
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    IRF3205ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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    IRF3205ZPBF
    Produktcode: 34997
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    		IRTransistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: TO-220
    Uds,V: 55
    Idd,A: 75
    Rds(on), Ohm: 0.0065
    Ciss, pF/Qg, nC: 3450/110
    JHGF: THT
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    IRF3205ZPBFAKSA1Infineon TechnologiesIRF3205ZPBFAKSA1
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    IRF3205ZPBFAKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-220-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
    Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
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    		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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    IRF3205ZPBFAKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET UP TO 60V
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    IRF3205ZPBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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    Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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    IRF3205ZPBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-220-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
    Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-220AB
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
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    IRF3205ZPBFXKMA1Infineon Technologies TRENCH 40<-<100V
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    IRF3205ZPBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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    IRF3205ZPBFXKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
    Type of transistor: N-MOSFET
    Technology: HEXFET®
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 55V
    Drain current: 78A
    Power dissipation: 170W
    Case: TO220AB
    Gate-source voltage: ±20V
    On-state resistance: 6.5mΩ
    Mounting: THT
    Gate charge: 110nC
    Kind of package: tube
    Kind of channel: enhancement
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    IRF3205ZSIRTO-263
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    IRF3205ZS
    Produktcode: 53829
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