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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STL220N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 2033 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.9 EUR
61+2.83 EUR
100+2.67 EUR
500+2.33 EUR
1000+1.86 EUR
2000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL220N6F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL220N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1400 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.72 EUR
50+4.66 EUR
100+3.88 EUR
500+3.45 EUR
1500+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL220N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL220N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL220N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL220N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 120A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL220N6F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL220N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1400 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.88 EUR
500+3.45 EUR
1500+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL220N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 4830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+3.25 EUR
55+3.08 EUR
56+2.93 EUR
100+2.76 EUR
250+2.62 EUR
500+2.46 EUR
1000+2.32 EUR
3000+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL224/100Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL225/100Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL225N6F7AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 120A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL225N6F7AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive 60V N-Ch 12mOhm 120A F7 Power
auf Bestellung 3139 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.62 EUR
10+4.33 EUR
100+3.03 EUR
500+2.67 EUR
1000+2.56 EUR
3000+2.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL225N6F7AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL225N6F7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1200 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 8258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+7.93 EUR
49+4.83 EUR
100+3.13 EUR
500+3.06 EUR
1000+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL225N6F7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.37 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL225N6F7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL225N6F7AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 120A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3767 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7 EUR
10+4.58 EUR
100+3.2 EUR
500+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL225N6F7AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL225N6F7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1200 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 8258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.13 EUR
500+3.06 EUR
1000+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL225N6F7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL22N60DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL22N60DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 220 mOhm typ., 13 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL22N60DM6STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 42A; 102W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 102W
Case: PowerFLAT 8x8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL22N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 220 mOhm typ., 10 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL22N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A PWRFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL22N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 8-Pin Power Flat EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL22N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 15A 4-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL22N65M5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 15A; Idm: 60A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 15A
Power dissipation: 110W
Case: PowerFLAT 8x8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A
Gate charge: 36nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL22N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL22N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.21 ohm, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (05-Nov-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M5 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.12 EUR
40+5.81 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL22N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1345 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL22N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 15A 4-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL22N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 15A 4-Pin Power Flat EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL22N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V .198Ohm 15A MDmesh M5
auf Bestellung 2585 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.1 EUR
10+5.34 EUR
100+3.77 EUR
3000+2.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL22N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1345 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL22NF10ST
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL23NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 2.8A 4-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.7 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL23NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500V 0.170Ohm 14A pwr MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL23NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 2.8A PWRFLT 8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL23NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 2.8A 4-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.7 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL23NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 19.5A POWERFLAT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL23NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 19.5A POWERFLAT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL23NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600V 0.150 Ohm 19.5 A Fdmesh II
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL23NS3LLH7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 92A POWERFLAT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 4.5 V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL23NS3LLH7STMicroelectronicsMOSFET N-channel 30 V, 0.0027 Ohm typ., 23 A STripFET(TM) VII DeepGATE(TM) Power MOSFET plus monolithic Schottky in a PowerFLAT(TM) 3.3 x 3.3
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL23NS3LLH7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 92A POWERFLAT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL24N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 15A PWRFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL24N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.195 Ohm typ., 15 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
auf Bestellung 7582 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.96 EUR
10+5.24 EUR
100+3.69 EUR
500+3.08 EUR
1000+3.01 EUR
3000+2.76 EUR
6000+2.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL24N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 15A 4-Pin Power Flat EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL24N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 15A PWRFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL24N60DM2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; Idm: 60A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 125W
Case: PowerFLAT 8x8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL24N60DM2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL24N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.22 ohm, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (05-Nov-2025)
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+8.97 EUR
41+5.71 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL24N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL24N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 18A PWRFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 100 V
auf Bestellung 8994 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.47 EUR
10+4.9 EUR
100+3.44 EUR
500+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL24N60M2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 72A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 125W
Case: PowerFLAT 8x8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 29nC
Pulsed drain current: 72A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL24N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL24N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 18A PWRFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 100 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.36 EUR
6000+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL24N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.33 EUR
10+4.82 EUR
100+3.39 EUR
500+2.81 EUR
3000+2.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL24N60M6STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; Idm: 52.5A; 109W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 52.5A
Power dissipation: 109W
Case: PowerFLAT 8x8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 209mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL24N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 15A 4-Pin Power Flat EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL24N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 15 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL24N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 15A 4-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 1988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.03 EUR
50+3.78 EUR
100+3 EUR
500+2.74 EUR
1000+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL24N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 15A PWRFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 209mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL24N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 14A 4-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.77 EUR
50+3.63 EUR
100+2.88 EUR
500+2.64 EUR
1000+2.3 EUR
2000+2.12 EUR
3000+2 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL24N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 14A PWRFLAT HV
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL24N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.205 Ohm typ., 14 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL24NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 16A POWERFLAT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+3.78 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL24NM60N
auf Bestellung 1476 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL24NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600V 0.200 Ohm 16 A HV Mdmesh II
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.66 EUR
10+7.12 EUR
100+5.09 EUR
500+4.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL24NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 16A POWERFLAT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6957 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.01 EUR
10+6.68 EUR
100+4.78 EUR
500+3.97 EUR
1000+3.78 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL2500BKTAptiv (formerly Delphi)Automotive Connectors 25 POS.STL CONN FOR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4864 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL2500YETAptiv (formerly Delphi)Automotive Connectors 25 POS.STL CONN FOR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4864 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL251-73Carling TechnologiesDescription: SWITCH TOGGLE DPDT 15A 125V
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 15A (AC)
Mounting Type: Panel Mount
Circuit: DPDT
Switch Function: Mom-Off-Mom
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Illumination: Non-Illuminated
Actuator Length: 17.45mm
Actuator Type: Standard Round
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia
Part Status: Active
Voltage Rating - AC: 125 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL251-73Carling TechnologiesToggle Switches STL251-73
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL253/100 MLumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL254-58Carling TechnologiesToggle Switches ST-Series Toggle Switch
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL254-73Carling TechnologiesToggle Switches STL254-73
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL254-73Carling TechnologiesDescription: SWITCH TOGGLE DPDT 15A 125V
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 15A (AC)
Mounting Type: Panel Mount
Circuit: DPDT
Switch Function: Mom-Off-Mom
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Screw Terminal
Illumination: Non-Illuminated
Actuator Length: 17.45mm
Actuator Type: Standard Round
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia
Part Status: Active
Voltage Rating - AC: 125 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL25N15F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 150V 25A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 2282 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.13 EUR
10+3.61 EUR
100+3.33 EUR
500+3.21 EUR
1000+3.18 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL25N15F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 150V 25A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL25N15F3
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL25N15F4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 150V 25A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2710 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL25N60M2-EPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 16A 4-Pin Power Flat EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL25N60M2-EPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 16A PWRFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 100 V
auf Bestellung 2784 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.35 EUR
10+4.81 EUR
100+3.37 EUR
500+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL25N60M2-EPSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.184 Ohm typ., 16 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a PowerFLAT 8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL25N60M2-EPSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 64A; 125W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29nC
On-state resistance: 0.205Ω
Drain current: 16A
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 125W
Pulsed drain current: 64A
Case: PowerFLAT 8x8
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL25N60M2-EPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 16A PWRFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL260N3LLH6STMicroelectronicsMOSFET LGS LV MOSFET
auf Bestellung 5210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL260N3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 260A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6375 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL260N4F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL260N4F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL260N4F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 900 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2848 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.72 EUR
50+4.64 EUR
100+3.11 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL260N4F7STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A; 188W
Case: PowerFLAT 5x6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 72nC
On-state resistance: 1.1mΩ
Drain current: 120A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 188W
Drain-source voltage: 40V
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2973 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.78 EUR
20+4.32 EUR
27+3.17 EUR
100+2.09 EUR
250+1.87 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL260N4F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL260N4F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 900 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 900µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2848 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.11 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL260N4F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
auf Bestellung 2167 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.51 EUR
10+4.27 EUR
100+2.99 EUR
500+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL260N4F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL260N4F7STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 40 V, 0.9 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5
auf Bestellung 5168 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.08 EUR
10+4.44 EUR
100+3.25 EUR
500+2.67 EUR
3000+2.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL260N4LF7STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL 40 V, 0.00085 OHM TYP.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL260N4LF7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL260N4LF7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL260N4LF7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 850 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 850µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL260N4LF7STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 40 V, 0.85 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x
auf Bestellung 5493 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.09 EUR
10+3.96 EUR
100+2.76 EUR
500+2.24 EUR
1000+2.18 EUR
3000+2.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL260N4LF7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL260N4LF7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 850 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL260N4LF7STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL 40 V, 0.00085 OHM TYP.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
auf Bestellung 1090 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.62 EUR
10+3.64 EUR
100+2.52 EUR
500+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL260N4LF7STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A; 188W
Case: PowerFLAT 5x6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 1.1mΩ
Drain current: 120A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 188W
Drain-source voltage: 40V
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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