Produkte > irf
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| IRFP244PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 392 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP244PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP245 | HARRIS | IRFP245 | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP245 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP246 | HARRIS | IRFP246 | auf Bestellung 5440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP246 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 275 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk | auf Bestellung 5674 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP246 | HARRIS | IRFP246 | auf Bestellung 216 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP250 | Siliconix | N-MOSFET 30A 200V 190W 0.085Ω IRFP250 TIRFP250 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFP250 | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP250 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AD Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2970 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP250 Produktcode: 171437
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Lieblingsprodukt
| Siliconix | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247 Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 В Drain-Strom Idd, A: 33 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,075 Ом Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2850/117 Montage: THT | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFP250 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 200 Volt 33 Amp | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP250 | auf Bestellung 1642 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFP250 | Siliconix | N-MOSFET 30A 200V 190W 0.085Ω IRFP250 TIRFP250 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFP250 | Siliconix | N-MOSFET 30A 200V 190W 0.085Ω IRFP250 TIRFP250 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFP250 | IXYS | MOSFETs 30 Amps 200V 0.085 Rds | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP250 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 200V 33A TO247-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP250 | ONS/FAI | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP250 (IRFP250PBF) Produktcode: 7938
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Lieblingsprodukt
| ST | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247 Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V Drain-Strom Idd, A: 33 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2850/117 Montage: THT | auf Bestellung: 51 St.
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| IRFP250A Produktcode: 46979
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRFP250B | ONS/FAI | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP250M | Infineon | N-MOSFET 30A 200V 214W 0.075Ω IRFP250M TIRFP250m Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFP250M | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP250MPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP250MPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 214W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm | auf Bestellung 159 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP250MPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube | auf Bestellung 888 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP250MPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP250MPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V | auf Bestellung 3743 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP250MPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC | auf Bestellung 3125 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP250MPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube | auf Bestellung 888 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP250MPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP250MPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 30A Power dissipation: 214W Case: TO247AD Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Gate charge: 123nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® | auf Bestellung 821 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP250MPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP250N | International Rectifier | N-MOSFET 30A 200V 214W 0.075Ω IRFP250N TIRFP250n Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFP250N | Infineon / IR | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP250N | International Rectifier | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP250N IR | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFP250NPBF Produktcode: 40169
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247 Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V Drain-Strom Idd, A: 30 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2159/123 Montage: THT | auf Bestellung: 144 St.
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| IRFP250NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 71158 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP250NPBF | Infineon | Транзистори | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP250NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 1570 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP250NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP250NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 30A Power dissipation: 214W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Gate charge: 123nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP250NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 564 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP250NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP250NPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC | auf Bestellung 3761 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP250NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 564 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP250NPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP250NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 214W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm | auf Bestellung 1888 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP250NPBF | JSMSEMI | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP250NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | auf Bestellung 71152 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP250NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP250NPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP250P | auf Bestellung 1080 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFP250PBF | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 19A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 577 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP250PBF | TO-247 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRFP250PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 3304 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP250PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 278 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP250PBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO247 200V 30A N-CH MOSFET | auf Bestellung 2450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP250PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 587 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP250PBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFP250PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.085 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 180W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm | auf Bestellung 1102 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP250PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 3304 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP250PBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V | auf Bestellung 3197 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP250PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 278 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP250PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP250S2453 | Harris Corporation | Description: 33A, 200V, 0.085 OHM, N-CHANNEL Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 360 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP250S2453 | HARRIS | IRFP250S2453 | auf Bestellung 360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP250S2497 | Harris Corporation | Description: 33A, 200V, 0.085 OHM, N-CHANNEL Part Status: Active Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP251 | HARRIS | IRFP251 | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP251 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 17A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) | auf Bestellung 265 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP254 | IXYS | MOSFETs 23 Amps 250V 0.14 Rds | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP254 | IR | 09+ | auf Bestellung 5030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP254 | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP254 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 250V 23A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP254A | auf Bestellung 1302 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRFP254B | FAIRCHILD | IRFP254B | auf Bestellung 1419 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP254B | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 221W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V | auf Bestellung 10182 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP254B | FAIRCHILD | IRFP254B | auf Bestellung 8763 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP254B | ONSEMI | Description: ONSEMI - IRFP254B - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 11578 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP254BFP001 | Fairchild Semiconductor | Description: 25A, 250V, 0.14OHM, N-CHANNEL PO Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 221W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP254N | IR | TO-247 | auf Bestellung 7650 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP254NPBF Produktcode: 40244
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRFP254NPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 250V 23A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 220W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP254PBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO247 250V 23A N-CH MOSFET | auf Bestellung 6884 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP254PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP254PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 3292 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP254PBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 250V 23A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V | auf Bestellung 2910 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFP254PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 2598 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP254PBF | TO247 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRFP254PBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFP254PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 23 A, 0.14 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 190W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm | auf Bestellung 406 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP254PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 3288 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP254PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 2598 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP254PBF | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 23A; Idm: 92A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 23A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 92A | auf Bestellung 403 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP254PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 403 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFP254PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP254PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP260 Produktcode: 18422
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247AC Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V Drain-Strom Idd, A: 46 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,055 Ohm Montage: THT | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFP260 | IXYS | MOSFETs 46 Amps 200V 0.055 Rds | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP260 | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP260 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 200V 46A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFP260 | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRFP260M | International Rectifier | Transistor N-MOSFET; 200V; 20V; 40mOhm; 50A; 300W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRFP260M; IRFP260M TIRFP260m Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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