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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRFP260NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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IRFP260NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 9200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
400+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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IRFP260NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 24178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+5.34 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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IRFP260NPBFInfineonIRFP260NPBF MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC Транзистори
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IRFP260NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4057 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 689 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.6 EUR
25+4.28 EUR
50+3.84 EUR
100+3.49 EUR
500+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP260NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 598 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+5.07 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP260NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFP260NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 7449 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.07 EUR
49+4.83 EUR
100+3.62 EUR
500+3.58 EUR
1000+3.51 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP260NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 24178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+5.34 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP260NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 2410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
242+2.7 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 242 Stücke
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IRFP260NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
auf Bestellung 3361 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.06 EUR
10+4.41 EUR
100+3.58 EUR
400+2.92 EUR
5200+2.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP260NPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальный ПТ, Id = 50 A, Ptot, Вт = 300, Vdss, В = 200, Тип монт. = выводной, Rds = 40 мОм @ 28 А, 10 В, Ciss @ Vds = 4057 пФ @ 25 В, Qg,нКл = 234 @ 10 В, Tэксп, °C = -55...+175, Vgs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-247AC Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP260NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 694 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP260NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 9244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
400+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP260PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.09 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP260PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.26 EUR
25+6.94 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP260PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFP260PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 46 A, 0.055 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 280W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
auf Bestellung 887 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.11 EUR
28+8.45 EUR
100+6.85 EUR
500+5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IRFP260PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 200V 46A N-CH MOSFET
auf Bestellung 3189 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.82 EUR
10+7.5 EUR
100+6.62 EUR
500+6.37 EUR
1000+5.62 EUR
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IRFP260PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 29A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 29A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 652 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFP260PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 672 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.56 EUR
25+7.66 EUR
50+6.82 EUR
100+5.82 EUR
375+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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IRFP260PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.63 EUR
29+5.95 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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IRFP260PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 2170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+11.61 EUR
25+6.83 EUR
100+5.72 EUR
500+4.97 EUR
1000+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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IRFP260PBF
Produktcode: 195436
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP260PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.26 EUR
25+7.09 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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IRFP260PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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IRFP260PBFTO-247AC Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP260PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 804 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.84 EUR
25+8.18 EUR
50+7.45 EUR
100+6.83 EUR
500+5.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP260PBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 2168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+11.7 EUR
25+7.03 EUR
100+5.99 EUR
500+5.3 EUR
1000+4.8 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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IRFP264IXYSMOSFETs 38 Amps 250V 0.075 Rds
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP264Vishay SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 250, Id = 38 А, Ptot, Вт = 280, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 5400 @ 25, Qg, нКл = 210, Rds = 75 мОм, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3,... Транзистори Корпус: TO-247AC Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP264Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 38A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP264Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP264NVishay / SiliconixMOSFETs N-Chan 250V 44 Amp
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP264NIR
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP264N
Produktcode: 27857
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 В
Drain-Strom Idd, A: 44 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 60 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3860/210
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP264NPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 44A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP264NPBFVishay SemiconductorN-канальный ПТ... Транзистори Корпус: TO-247 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP264NPBF
Produktcode: 219855
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SiliconixTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 В
Drain-Strom Idd, A: 44 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 60 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3860/210
Montage: THT
auf Bestellung: 27 St.
  • 27 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+3.13 EUR
10+2.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP264NPBFVishay / SiliconixMOSFETs N-Chan 250V 44 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP264NPBFIR09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP264NPBF
Produktcode: 197506
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 В
Drain-Strom Idd, A: 44 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 60 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3860/210
Montage: THT
auf Bestellung: 4 St.
  • 4 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+3.13 EUR
10+2.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP264PBFVBSEMI(MFET,N-CH,280W,250V,38A,TO-247AC) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP264PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP264PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 250V 38A N-CH MOSFET
auf Bestellung 7977 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.23 EUR
10+7.98 EUR
100+6.95 EUR
500+6.15 EUR
1000+5.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP264PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 4098 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.73 EUR
25+8.33 EUR
50+7.93 EUR
100+6.59 EUR
500+5.52 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP264PBFJSMSEMI(MFET,N-CH,280W,250V,38A,TO-247AC) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP264PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 4096 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.75 EUR
25+8.54 EUR
50+8.25 EUR
100+6.99 EUR
500+5.99 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP264PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP264PBF(MFET,N-CH,280W,250V,38A,TO-247AC) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP264PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 38A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
auf Bestellung 1284 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.21 EUR
25+9.69 EUR
50+8.84 EUR
100+8.14 EUR
500+6.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP264PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP264PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFP264PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 38 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 280W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
auf Bestellung 364 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.24 EUR
29+8.23 EUR
100+6.26 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP264PBFVishay SiliconixN-канальний ПТ, Udss, В = 250, Id = 38, Ptot, Вт = 280, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 5400 @ 25, Qg, нКл = 210 @ 10 B, Rds = 75 мОм @ 23 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 @ 250 мА,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP264PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 256 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+15.51 EUR
14+12.54 EUR
25+8.88 EUR
100+6.83 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP264PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 24A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 24A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 256 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP264PBF (TO-247AC, IR)
Produktcode: 51613
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 V
Drain-Strom Idd, A: 38 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5400/210
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+2.86 EUR
10+2.71 EUR
100+2.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP264PBF (TO-247AC, Siliconix)
Produktcode: 156295
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
SiliconixTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 В
Drain-Strom Idd, A: 38 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,075 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5400/210
Montage: THT
erwartet: 15 St.
  • 15 St. - erwartet
auf Bestellung: 124 St.
  • 124 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+4.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP264PBF/IRIR08+;
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP26N60LVishayTrans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP26N60LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 26A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5020 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP26N60L
auf Bestellung 6800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP26N60LVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP26N60LPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFP26N60LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.25 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1069 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.65 EUR
23+10.31 EUR
100+8.48 EUR
500+7.44 EUR
1000+7.28 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP26N60LPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 26A TO-247AC Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP26N60LPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 600V 26A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1103 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.72 EUR
10+15.58 EUR
25+10.47 EUR
100+9.42 EUR
500+9.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP26N60LPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; Idm: 100A; 470W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 470W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP26N60LPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP26N60LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 26A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5020 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP27N60KIR
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP27N60KVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP27N60KVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 27A TO247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP27N60KHEXFET TO247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP27N60K-205IRTO-247
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP27N60KPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 27A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP27N60KPBF
Produktcode: 91814
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP27N60KPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP27N60KPBFVishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP27N60KPBFHEXFET TO247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP27N60KPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFP27N60KPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 27 A, 0.22 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 121 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.81 EUR
14+17.05 EUR
100+13.95 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907International RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907International RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 4,5mOhm; 209A; 470W; -55°C ~ 175°C; IRFP2907 TIRFP2907
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+8.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907
Produktcode: 28880
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 V
Drain-Strom Idd, A: 209 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0045 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 13000/620
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+5.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907International RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 4,5mOhm; 209A; 470W; -55°C ~ 175°C; IRFP2907 TIRFP2907
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+8.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 410nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 75, Id = 209 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 13000 @ 25, Qg, нКл = 620 @ 10 В, Rds = 4,5 мОм @ 125 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 470 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-247AC Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 75V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 410nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 789 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+7.02 EUR
28+6.03 EUR
50+5.37 EUR
100+4.39 EUR
500+3.38 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907PBF
Produktcode: 60422
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 В
Drain-Strom Idd, A: 209 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 4,5 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 13000/410
Montage: THT
erwartet: 10 St.
  • 10 St. - erwartet
auf Bestellung: 59 St.
  • 59 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+6.46 EUR
10+6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 15072 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+7.12 EUR
28+6.19 EUR
50+5.56 EUR
100+4.57 EUR
500+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFP2907PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 75 V, 209 A, 4500 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 470W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
auf Bestellung 572 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.45 EUR
33+7.19 EUR
100+5.72 EUR
500+5.03 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
158+4.15 EUR
500+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 209A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
auf Bestellung 12306 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.06 EUR
25+6.39 EUR
50+5.78 EUR
100+5.28 EUR
500+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 75V 209A TO-247AC Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 789 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+7.02 EUR
28+6.16 EUR
50+5.57 EUR
100+4.64 EUR
500+3.67 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 15072 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+7.09 EUR
28+6.03 EUR
50+5.33 EUR
100+4.31 EUR
500+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907PBFXKMA1Infineon TechnologiesIRFP2907PBFXKMA1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: PLANAR 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-901
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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IRFP2907ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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