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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDD6680SFairchild SemiconductorFDD6680S
auf Bestellung 14646 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+2.94 EUR
500+2.74 EUR
1000+2.53 EUR
10000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6682Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
auf Bestellung 29312 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 317 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6682_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
auf Bestellung 2748 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
290+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 290 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 926 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
562+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 562 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6685onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 11A/40A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6685ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6685onsemiMOSFETs 30V P-Channel PowerTrench
auf Bestellung 17497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.37 EUR
10+1.61 EUR
100+1.29 EUR
500+1.09 EUR
1000+1.04 EUR
2500+0.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.09 EUR
250+1.46 EUR
1000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6685ONS/FAITO-252 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
562+1.19 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 562 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6685ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6685onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 11A/40A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715 pF @ 15 V
auf Bestellung 773 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.36 EUR
10+2.13 EUR
50+1.61 EUR
100+1.43 EUR
500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6685ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 52W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -40A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6685Fairchild/ON Semiconductor-... Транзистори Корпус: TO-252 Очікується: 2500 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6685-GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6686SFAIRCHILD07+ D-PAK/ TO-252
auf Bestellung 9500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6688FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 84A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R
auf Bestellung 22200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+3 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.4 EUR
10000+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6688FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 84A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R
auf Bestellung 1433 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+3 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6688FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 84A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R
auf Bestellung 2206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+3 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6688FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 84A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R
auf Bestellung 47027 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+3 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.4 EUR
10000+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6688FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 84A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+3 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6688Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 84A DPAK
auf Bestellung 146976 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
178+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6688FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 84A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R
auf Bestellung 4406 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+3 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6688FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 84A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+3 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.4 EUR
10000+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6688onsemiMOSFETs 30V N-Ch PowerTrench
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6688FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 84A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R
auf Bestellung 34410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+3 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.4 EUR
10000+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6688ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1699 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+3 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6688onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 84A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6688SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 88A D-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6688SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 88A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+2.67 EUR
500+2.48 EUR
1000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6690A
Produktcode: 183764
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6690AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/46A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6690Aonsemi / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.26 EUR
10+1.87 EUR
100+1.56 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.05 EUR
2500+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6690AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/46A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6690AONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6690A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 46 A, 0.0077 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 46
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 50
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 50
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 1437 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+3.34 EUR
84+2.78 EUR
108+2 EUR
500+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6690AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6690A ON SemiconductorFairchildN-Channel 30V 12A (Ta), 46A (Tc) 3.3W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-25) FDD6690A TFDD6690a
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6690SFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
298+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 298 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6692Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2164 pF @ 15 V
auf Bestellung 66982 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
343+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 343 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6696Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/50A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715 pF @ 15 V
auf Bestellung 217895 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
443+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 443 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6696ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6696 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 217895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
782+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 782 Stücke
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FDD6733FAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDD6760AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET NCH 25V 27A DPAK
auf Bestellung 4435000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6760AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET NCH 25V 27A DPAK
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6760AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET NCH 25V 27A DPAK
auf Bestellung 4435000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6770AFairchild SemiconductorDescription: 24A, 25V, 0.004OHM, N-CHANNEL ,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2405 pF @ 13 V
auf Bestellung 4705 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
392+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 392 Stücke
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FDD6770AON Semiconductor / FairchildMOSFET 25V 50A N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6776AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 17.7A/30A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.7A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 17.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 13 V
auf Bestellung 27440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
740+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 740 Stücke
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FDD6776AON Semiconductor / FairchildMOSFET 25V 30A N-Channel PowerTrench
Produkt ist nicht verfügbar
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FDD6778AON Semiconductor / FairchildMOSFET 25V 10A N-Channel PowerTrench
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FDD6778AON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 12A DPAK
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FDD6778ARochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 128596 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 610 Stücke
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FDD6778AON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 12A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDD6778AON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 12A DPAK
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FDD6780ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 16.5A/30A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6780Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 16.5A/30A DPAK
auf Bestellung 12410 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6780ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 16.5A/30A DPAK
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FDD6780A
Produktcode: 175313
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
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FDD6780AFairchild SemiconductorDescription: 16.4A, 25V, 0.0086OHM, N-CHANNEL
auf Bestellung 52350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
628+1 EUR
Mindestbestellmenge: 628 Stücke
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FDD6782AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 20A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6782AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 20A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDD6782AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 20A DPAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6796Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 20A/40A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 13 V
auf Bestellung 15248 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
452+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 452 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6796ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6796 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 15248 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
544+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 544 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6796AON Semiconductor / FairchildMOSFET 25V 40A N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6796AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 20A/40A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 13 V
auf Bestellung 749738 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
533+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 533 Stücke
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FDD6N20TFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 4.5A D-PAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6N20TFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 4.5A DPAK
auf Bestellung 1929 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
628+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 628 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6N20TFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 4.5A D-PAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7728 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
159+1.12 EUR
179+0.96 EUR
234+0.7 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.45 EUR
2500+0.36 EUR
5000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 159 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6N20TMON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 4.5A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6N20TMonsemi / FairchildMOSFET 200V N Chanel MOSFET
auf Bestellung 10432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.71 EUR
10+1.48 EUR
100+1.17 EUR
250+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6N20TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6N20TMON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 4.5A DPAK
auf Bestellung 2260 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.74 EUR
14+1.54 EUR
100+1.18 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6N25fairchild07+ to-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6N25TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6N25TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6N25TMFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
auf Bestellung 1038784 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
740+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 740 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6N25TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6N25TMonsemi / FairchildMOSFET 250V N-CH MOSFET
auf Bestellung 4980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.45 EUR
10+1.3 EUR
100+0.99 EUR
500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6N25TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6N50fairchild07+ to-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6N50onsemi / FairchildMOSFETs UF 500V 0.9OHM DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6N50F TM
Produktcode: 129279
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6N50FTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6N50FTMonsemiMOSFETs 500V N-Channel
auf Bestellung 794 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.28 EUR
10+2.12 EUR
100+1.42 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.02 EUR
2500+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6N50FTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 25 V
auf Bestellung 8587 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.37 EUR
10+2.15 EUR
100+1.45 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6N50FTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6N50FTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 25 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.94 EUR
5000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6N50RTFRochester Electronics, LLCDescription: 6A, 500V, N-CHANNEL, MOSFET
auf Bestellung 526 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 526 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6N50TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6N50TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD6N50TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
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FDD6N50TMonsemiMOSFETs 500V 6A 760mOhms
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FDD6N50TM-F085onsemi / FairchildMOSFET Trans MOS N-Ch 500V 6A 3-Pin 2+Tab
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FDD6N50TM-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD6N50TM-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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FDD6N50TM-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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