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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDD6676ASFAIRCHILDD-PAK/ TO-252
auf Bestellung 9500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6676ASUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6676ASUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6676AS_NLFAIRCHILD06+
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6676F40FAIRCHILDD-PAK/ TO-252
auf Bestellung 9500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6676MFAIRCHILDD-PAK/ TO-252
auf Bestellung 9500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6676SFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4770 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
auf Bestellung 10684 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
284+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 284 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6676SFAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680Fairchild SemiconductorFDD6680
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+2.87 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680Fairchild SemiconductorFDD6680
auf Bestellung 18996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+2.87 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.48 EUR
10000+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 12A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680FAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680Fairchild SemiconductorFDD6680
auf Bestellung 10600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+2.87 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.48 EUR
10000+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680onsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Ch PowerTrench
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680Fairchild SemiconductorFDD6680
auf Bestellung 19900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+2.87 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.48 EUR
10000+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680Fairchild SemiconductorFDD6680
auf Bestellung 147500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+2.87 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.48 EUR
10000+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680AFairchild SemiconductorFDD6680A
auf Bestellung 3285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+2.87 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680AFairchild SemiconductorFDD6680A
auf Bestellung 145568 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+2.87 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.48 EUR
10000+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680Aonsemi / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680AFairchild SemiconductorFDD6680A
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+2.87 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.48 EUR
10000+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680AFairchild SemiconductorFDD6680A
auf Bestellung 4900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+2.87 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680AFairchild SemiconductorFDD6680A
auf Bestellung 10934 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+2.87 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.48 EUR
10000+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/56A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425 pF @ 15 V
auf Bestellung 204395 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
197+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 197 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680AFairchild SemiconductorFDD6680A
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+2.87 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680AONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6680A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 204395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
236+4.07 EUR
Mindestbestellmenge: 236 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680AFairchild SemiconductorFDD6680A
auf Bestellung 11381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+2.87 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.48 EUR
10000+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/56A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680AFAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680ASFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 55A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V
auf Bestellung 9266 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
528+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 528 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680ASONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 55A; Idm: 100A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680ASFairchild SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 55A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2348 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+1.45 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680ASUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680ASonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 55A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 60W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680ASFAIRCHILDD-PAK/ TO-252
auf Bestellung 9500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680ASFairchild SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 55A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6993 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+1.45 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680ASUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680ASonsemi / FairchildMOSFET 30V NCH DPAK POWR TRENCH
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680ASonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 55A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 60W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680ASNLFAIRCHILD
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680AS_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V, NCH, DPAK, POWER TRENCH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680AS_NL
auf Bestellung 4080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680A_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V N-CH. FET, 95 MO, DPAK, T
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680A_Qonsemi / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680SFairchild SemiconductorFDD6680S
auf Bestellung 432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680SFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
auf Bestellung 31202 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
197+3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 197 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680SFAIRCHILDTO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680SFairchild SemiconductorFDD6680S
auf Bestellung 5948 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+2.87 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680SFairchild SemiconductorFDD6680S
auf Bestellung 14646 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+2.87 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.48 EUR
10000+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6680SFairchild SemiconductorFDD6680S
auf Bestellung 10176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+2.87 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.48 EUR
10000+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6682Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
auf Bestellung 29312 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 317 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6682FAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6682_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
auf Bestellung 2748 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
290+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 290 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6685UMWDescription: MOSFET P-CH 30V 11A/40A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6685Fairchild/ON Semiconductor-... Транзистори Корпус: TO-252 Очікується: 2500 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6685onsemiMOSFETs 30V P-Channel PowerTrench
auf Bestellung 11352 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.89 EUR
10+1.98 EUR
100+1.32 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 11295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
562+1.17 EUR
1000+1.06 EUR
10000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 562 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6685ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+3.62 EUR
102+2.27 EUR
153+1.4 EUR
500+1.09 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6685onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 11A/40A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 52W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4178 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.17 EUR
11+2.01 EUR
100+1.34 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6685ONN
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6685UMWDescription: MOSFET P-CH 30V 11A/40A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 534 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.27 EUR
27+0.8 EUR
100+0.51 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6685ONS/FAITO-252 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 926 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
562+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 562 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6685onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 11A/40A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 52W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6685ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7121 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.09 EUR
107+2.18 EUR
140+1.54 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6685-GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6686SFAIRCHILD07+ D-PAK/ TO-252
auf Bestellung 9500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6688ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1699 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+2.94 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6688Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 84A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
auf Bestellung 146976 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
178+3.01 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6688ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 47027 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+2.94 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.34 EUR
10000+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6688ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+2.94 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6688ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4406 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+2.94 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6688ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+2.94 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.34 EUR
10000+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6688onsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Ch PowerTrench
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6688onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 84A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6688ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 34410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+2.94 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.34 EUR
10000+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6688ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1079 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
213+3.07 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 213 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6688ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 22200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+2.94 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.34 EUR
10000+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6688ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1433 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+2.94 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6688onsemiMOSFETs 30V N-Ch PowerTrench
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6688onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 84A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6688FAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6688ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+2.94 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6688SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 88A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 15 V
auf Bestellung 6966 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
190+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6688SFAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6688SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 88A D-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6688SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 88A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+2.61 EUR
500+2.43 EUR
1000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6690Aonsemi / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.26 EUR
10+1.87 EUR
100+1.56 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.05 EUR
2500+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6690AFairchildN-Channel 30V 12A (Ta), 46A (Tc) 3.3W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-25) FDD6690A ON Semiconductor TFDD6690a
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6690A
Produktcode: 183764
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6690AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/46A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 46A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6690AONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6690A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 46 A, 0.0077 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 46
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 50
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 50
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 1437 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+3.34 EUR
84+2.78 EUR
108+2 EUR
500+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6690AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6690AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/46A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 46A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6690SFAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6690SFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
298+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 298 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6692FAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD6692Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2164 pF @ 15 V
auf Bestellung 66982 Stücke:
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343+1.58 EUR
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FDD6696ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD6696 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Mindestbestellmenge: 782 Stücke
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FDD6696Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/50A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715 pF @ 15 V
auf Bestellung 217895 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
443+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 443 Stücke
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