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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FQPF8N80ConsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N80CONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF8N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 1.29 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 8
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 59
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 59
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.29
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.29
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N80CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N80CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N80CON-SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 1,55Ohm; 8A; 59W; -55°C ~ 150°C; FQPF8N80C TFQPF8n80c
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+6.52 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N80C (SOT-220F - Fairchild) MOSFET 800V/8A/1.55R
Produktcode: 122019
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N80CYDTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 8A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N80CYDTUonsemi / FairchildMOSFET HIGH VOLTAGE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N80CYDTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 8A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.14 EUR
50+3.07 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N80CYDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF8N80CYDTU - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N80CYDTUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 8A TO220F-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
183+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 183 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N90CFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 900V 6.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
auf Bestellung 6370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
231+2.83 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 231 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N90ConsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 6.3A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
auf Bestellung 16054 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
185+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 185 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N90Consemi / FairchildMOSFET QFC 900V 1.9OHM D2PAK
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.38 EUR
10+4.88 EUR
25+4.58 EUR
100+3.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N90CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 6.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
231+2.83 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 231 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N90CONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF8N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6.3 A, 1.6 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 15174 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N90CFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
auf Bestellung 2559 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
185+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 185 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N90CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 6.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 8684 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
231+2.83 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 231 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N90ConsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 6.3A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8N90CFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 900V 6.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
auf Bestellung 346 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
231+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 231 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF8P10Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 5.3A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 2.65A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
auf Bestellung 860 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
505+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 505 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF90N10V2Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 90A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 25 V
auf Bestellung 809 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
117+4.97 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF90N10V2onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 90A TO220F
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N08onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 7A TO220F
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N08LonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 7A TO220F
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N15onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 6.9A TO220F
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N25FAIRCHILDFQPF9N25
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
494+1.32 EUR
549+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 494 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N25Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 6.7A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.35A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
475+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 475 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N25CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N25ConsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N25CFairchild
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N25Consemi / FairchildMOSFET 250V N-Channel Advance Q-FET
auf Bestellung 549 Stücke:
Lieferzeit 53-57 Tag (e)
2+3.09 EUR
10+2.78 EUR
100+2.18 EUR
500+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N25CRDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF9N25CRDTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 42981 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
713+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 713 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N25CRDTUFairchild SemiconductorDescription: 8.8A, 250V, N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 42981 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
404+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 404 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N25CRDTUFAIRCHILDFQPF9N25CRDTU
auf Bestellung 581 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
561+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 561 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N25CRDTUFAIRCHILDFQPF9N25CRDTU
auf Bestellung 42400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
561+1.17 EUR
1000+1.06 EUR
10000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 561 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N25CTonsemi / FairchildMOSFET N-CH/250V/9A/QFET
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.22 EUR
10+2.92 EUR
100+2.26 EUR
500+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N25CTON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N25CTONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF9N25CT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 8.8 A, 0.35 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 8.8
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.35
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N25CTonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N25CTON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N25CYDTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N25CYDTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N25CYDTUFAIRCHILDFQPF9N25CYDTU
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
565+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 565 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N25CYDTUonsemiMOSFETs 250V 8.8A N-Chan
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.8 EUR
10+2.4 EUR
100+1.62 EUR
500+1.31 EUR
800+1.18 EUR
2400+1.11 EUR
5600+1.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N30ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF9N30 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1038 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
479+2 EUR
Mindestbestellmenge: 479 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N30FAIRCHILDFQPF9N30
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
339+1.93 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 339 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N30Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 300V 6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
auf Bestellung 2342 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
398+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 398 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N50FAIRCHILD2002 TO-220
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N50FAIRCHILDFQPF9N50
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+2.34 EUR
500+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N50Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 2.65A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
auf Bestellung 35450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
222+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 222 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N50onsemi / FairchildMOSFETs 500V N-Channel QFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N50FAIRCHILDFQPF9N50
auf Bestellung 34950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+2.34 EUR
500+2.08 EUR
1000+1.88 EUR
10000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N50CFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 9A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
auf Bestellung 404493 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
207+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 207 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N50Consemi / FairchildMOSFETs 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N50CFairchild
auf Bestellung 4844 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N50C(PBF)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N50C(IC)
Produktcode: 60160
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N50CF
Produktcode: 94298
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N50CFON-SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQPF9N50CF TFQPF9n50cf
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+8.4 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N50CFFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
auf Bestellung 103280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
281+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 281 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N50CFonsemi / FairchildMOSFET N-CH/500V/9A/ QFET C-Series
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N50CFONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF9N50CF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.7 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1796 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+4.68 EUR
70+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N50CFON-SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQPF9N50CF TFQPF9n50cf
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+8.4 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N50CTFAIRCHILDFQPF9N50CT
auf Bestellung 542000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
329+1.99 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.59 EUR
10000+1.39 EUR
100000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 329 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N50CTFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 9A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
auf Bestellung 549940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
262+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 262 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N50CTONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF9N50CT - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
465+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 465 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N50CTFAIRCHILDFQPF9N50CT
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
329+1.99 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 329 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N50CTFAIRCHILDFQPF9N50CT
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
329+1.99 EUR
500+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 329 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N50CYDTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 9A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N50TFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 2.65A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
214+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 214 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N50TONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF9N50T - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
378+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 378 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N50YDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF9N50YDTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 24800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
378+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 378 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N50YDTUFAIRCHILDFQPF9N50YDTU
auf Bestellung 24800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
268+2.44 EUR
500+2.17 EUR
1000+1.95 EUR
10000+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 268 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N50YDTUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 2.65A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
auf Bestellung 24800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
214+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 214 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N90CFAIRCHIL09+ QFP
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N90ConsemiMOSFETs N-CH/900V/8A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N90ConsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N90Consemi / FairchildMOSFETs N-CH/900V/8A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N90C Transistor
Produktcode: 44576
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N90CTonsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
auf Bestellung 1164 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.76 EUR
50+5.11 EUR
100+4.65 EUR
500+3.87 EUR
1000+3.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N90CTONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF9N90CT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 8 A, 1.12 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 8
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.12
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.12
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N90CT
Produktcode: 148086
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N90CTON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 67000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+3.44 EUR
100+3.25 EUR
500+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQPF9N90CTonsemiMOSFETs 900V N-Chan Advance Q-FET C-Series
auf Bestellung 1790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.81 EUR
10+7.08 EUR
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FQPF9N90CTON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 67000 Stücke:
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54+3.27 EUR
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FQPF9N90CTONS/FAIMOSFET N-CH 900V 8A TO-220F Транзистори
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FQPF9N90CTONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 68W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 977 Stücke:
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14+6.32 EUR
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FQPF9N90CTON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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50+5.44 EUR
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250+4.7 EUR
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FQPF9P25onsemi / FairchildMOSFETs 250V P-Channel QFET
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FQPF9P25ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 250V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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FQPF9P25Fairchild
auf Bestellung 24000 Stücke:
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FQPF9P25onsemiDescription: MOSFET P-CH 250V 6A TO220F-3
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
auf Bestellung 419 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.45 EUR
10+2.87 EUR
100+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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FQPF9P25ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF9P25 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 6 A, 0.48 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
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FQPF9P25
Produktcode: 51667
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FQPF9P25-TonsemiDescription: MOSFET P-CH 250V 6A TO220F-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
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FQPF9P25YDTUON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 250V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
auf Bestellung 721 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
126+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
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FQPF9P25YDTUON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 250V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
auf Bestellung 721 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
126+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
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FQPF9P25YDTUON Semiconductor / FairchildMOSFET QF -250V 620MOHM TO220FYD
auf Bestellung 678 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FQPF9P25YDTUonsemiDescription: MOSFET P-CH 250V 6A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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