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MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

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1+	7.98 EUR
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IPB175N20NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPB175N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.0155 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

28+	8.95 EUR
43+	5.45 EUR
100+	3.51 EUR
500+	3.11 EUR
1000+	2.59 EUR

Mindestbestellmenge: 28 Stücke

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IPB175N20NM6ATMA1

Description: IPB175N20NM6ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 38A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 203W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 100 V

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Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.94 EUR
10+	5.21 EUR
100+	3.67 EUR
500+	3.08 EUR

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IPB175N20NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 9.7A D2PAK T/R

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IPB175N20NM6ATMA1

Description: INFINEON - IPB175N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.0155 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

28+	8.95 EUR
43+	5.45 EUR
100+	3.51 EUR
500+	3.11 EUR
1000+	2.59 EUR

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IPB175N20NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 9.7A D2PAK T/R

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB175N20NM6ATMA1

Infineon

N-Channel 200 V 9.7A (Ta), 61A (Tc) 3.8W (Ta), 203W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-U01 Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

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IPB175N20NM6ATMA1

Description: IPB175N20NM6ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 38A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 203W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 100 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	2.8 EUR

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IPB17N25S3-100

MOSFETs N-Ch 250V 17A D2PAK-2

auf Bestellung 954 Stücke:

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1+	5.65 EUR
10+	3.67 EUR
100+	2.7 EUR
500+	2.32 EUR
1000+	1.96 EUR

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IPB17N25S3100ATMA1

Trans MOSFET N-CH 250V 17A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IPB17N25S3100ATMA1

MOSFETs N-Ch 250V 17A D2PAK-2

auf Bestellung 1327 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.89 EUR
10+	3.81 EUR
100+	2.68 EUR
500+	2.15 EUR
1000+	1.98 EUR
2000+	1.96 EUR

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IPB17N25S3100ATMA1

Description: INFINEON - IPB17N25S3100ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm

auf Bestellung 19 Stücke:

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IPB17N25S3100ATMA1

Trans MOSFET N-CH 250V 17A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 145 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

49+	3.57 EUR
58+	2.9 EUR
100+	2.34 EUR

Mindestbestellmenge: 49 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB17N25S3100ATMA1

Description: MOSFET N-CH 250V 17A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 54µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 57787 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.93 EUR
10+	3.86 EUR
100+	2.67 EUR
500+	2.17 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB17N25S3100ATMA1

Description: INFINEON - IPB17N25S3100ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 17 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 107W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1115 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.38 EUR
500+	2.78 EUR
1000+	2.14 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IPB17N25S3100ATMA1

Trans MOSFET N-CH 250V 17A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 145 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

49+	3.57 EUR
58+	2.8 EUR
100+	2.23 EUR

Mindestbestellmenge: 49 Stücke

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IPB17N25S3100ATMA1

Description: MOSFET N-CH 250V 17A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 54µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 57000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	2 EUR
2000+	1.86 EUR
3000+	1.78 EUR
5000+	1.71 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB17N25S3100ATMA1

Trans MOSFET N-CH 250V 17A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 965 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

49+	3.57 EUR
60+	2.87 EUR
100+	2.61 EUR
500+	2.26 EUR

Mindestbestellmenge: 49 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N03S4L-01

Description: IPB180N03 - 20V-40V N-CHANNEL AU
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17600 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N03S4L-01

MOSFETs N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

auf Bestellung 339 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.51 EUR
10+	6.24 EUR
100+	4.65 EUR
500+	4.06 EUR
1000+	3.42 EUR
2000+	3.39 EUR

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IPB180N03S4L-H0

MOSFET N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N03S4L-H0

Description: IPB180N03 - 20V-40V N-CHANNEL AU
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N03S4L01ATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N03S4L01ATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 444 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

183+	3.57 EUR

Mindestbestellmenge: 183 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N03S4L01ATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N03S4L01ATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1170 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

183+	3.57 EUR
500+	3.34 EUR
1000+	3.08 EUR

Mindestbestellmenge: 183 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N03S4L01ATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N03S4LH0ATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N03S4LH0ATMA1

MOSFET N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N03S4LH0ATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1388 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

124+	5.26 EUR
500+	4.93 EUR
1000+	4.55 EUR

Mindestbestellmenge: 124 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N04S3-02

MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N04S3-02

INF

09+

auf Bestellung 96 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N04S302ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14300 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N04S302ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 700 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

124+	5.26 EUR
500+	4.93 EUR

Mindestbestellmenge: 124 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N04S302ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 766 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

124+	5.26 EUR
500+	4.93 EUR

Mindestbestellmenge: 124 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N04S302ATMA1

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPB180N04S302ATMA1 - IPB180N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE
euEccn: TBC
hazardous: true
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

104+	6.38 EUR

Mindestbestellmenge: 104 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N04S302ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

124+	5.26 EUR
500+	4.93 EUR
1000+	4.55 EUR
10000+	4.18 EUR

Mindestbestellmenge: 124 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N04S4-00

MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

auf Bestellung 991 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.72 EUR
10+	6.37 EUR
100+	4.76 EUR
500+	3.97 EUR
1000+	3.67 EUR
2000+	3.47 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N04S4-01

MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

auf Bestellung 9386 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.02 EUR
10+	4.61 EUR
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IPB180N04S4-H0

MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

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10+	5.24 EUR
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500+	3.28 EUR
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IPB180N04S4-H0

Infineon

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IPB180N04S400ATMA1

Description: INFINEON - IPB180N04S400ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm

auf Bestellung 13 Stücke:

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IPB180N04S400ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

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Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	3.8 EUR

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IPB180N04S400ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

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IPB180N04S400ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.98mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 286 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2075 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	9.17 EUR
10+	6.08 EUR
100+	4.31 EUR
500+	3.76 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IPB180N04S400ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

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500+	3.39 EUR
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IPB180N04S400ATMA1

Description: INFINEON - IPB180N04S400ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm

auf Bestellung 13 Stücke:

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IPB180N04S400ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

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180+	3.63 EUR

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IPB180N04S400ATMA1

MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

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1+	10.09 EUR
10+	6.64 EUR
100+	4.84 EUR
500+	4.05 EUR
1000+	3.72 EUR
2000+	3.44 EUR
5000+	3.2 EUR

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IPB180N04S400ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.98mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 286 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22880 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	3.32 EUR
2000+	3.12 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB180N04S400ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	5.34 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB180N04S400ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	3.81 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB180N04S401ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.29 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB180N04S401ATMA1

Description: INFINEON - IPB180N04S401ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm

auf Bestellung 1123 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.3 EUR
500+	2.7 EUR
1000+	2.52 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IPB180N04S401ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.55 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB180N04S401ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

250+	2.61 EUR
500+	2.43 EUR
1000+	2.25 EUR

Mindestbestellmenge: 250 Stücke

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IPB180N04S401ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

25+	7.09 EUR
36+	4.82 EUR
100+	3.38 EUR
500+	2.71 EUR
1000+	2.48 EUR

Mindestbestellmenge: 25 Stücke

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IPB180N04S401ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 816 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.19 EUR
10+	5.36 EUR
100+	3.74 EUR
500+	3.05 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N04S401ATMA1

Description: INFINEON - IPB180N04S401ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm

auf Bestellung 1123 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

31+	8.12 EUR
48+	4.91 EUR
100+	3.3 EUR
500+	2.7 EUR
1000+	2.52 EUR

Mindestbestellmenge: 31 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N04S401ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 188W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 188W
Case: TO263-7
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 176nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N04S401ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N04S401ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	3.08 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N04S401ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N04S4H0ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	2.3 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N04S4H0ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	2.38 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N04S4H0ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17940 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	3.2 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N04S4H0ATMA1

MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

auf Bestellung 849 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.33 EUR
10+	4.69 EUR
100+	3.61 EUR
500+	3.03 EUR
1000+	2.87 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N04S4H0ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 317 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

218+	3 EUR

Mindestbestellmenge: 218 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N04S4H0ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1056 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

218+	3 EUR
500+	2.81 EUR
1000+	2.58 EUR

Mindestbestellmenge: 218 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N04S4H0ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 950 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30+	5.89 EUR
42+	4.12 EUR
43+	3.99 EUR
50+	3.39 EUR
100+	3.08 EUR
250+	3.01 EUR
500+	2.65 EUR

Mindestbestellmenge: 30 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N04S4H0ATMA1

Description: INFINEON - IPB180N04S4H0ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm

auf Bestellung 10333 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.58 EUR
500+	2.84 EUR
1000+	2.49 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IPB180N04S4H0ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 5057 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

79+	2.23 EUR
100+	2.09 EUR
250+	1.96 EUR
500+	1.86 EUR
1000+	1.76 EUR
2500+	1.69 EUR
5000+	1.61 EUR

Mindestbestellmenge: 79 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N04S4H0ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	2.31 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N04S4H0ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	2.38 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N04S4H0ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17940 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1828 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	9.07 EUR
10+	5.96 EUR
100+	4.19 EUR
500+	3.44 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N04S4H0ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 477 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

218+	3 EUR

Mindestbestellmenge: 218 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N04S4H0ATMA1

Description: INFINEON - IPB180N04S4H0ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm

auf Bestellung 10333 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30+	8.52 EUR
47+	5.01 EUR
100+	3.58 EUR
500+	2.84 EUR
1000+	2.49 EUR

Mindestbestellmenge: 30 Stücke

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IPB180N04S4H0ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 180A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 173nC
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 977 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	4.43 EUR
23+	3.76 EUR
26+	3.39 EUR
30+	2.93 EUR
50+	2.61 EUR
100+	2.33 EUR
250+	2.23 EUR

Mindestbestellmenge: 20 Stücke

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IPB180N04S4H0ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 621 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

218+	3 EUR
500+	2.81 EUR

Mindestbestellmenge: 218 Stücke

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IPB180N04S4L01ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 951 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

151+	4.33 EUR
500+	4.03 EUR

Mindestbestellmenge: 151 Stücke

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IPB180N04S4L01ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 245 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 7000 Stücke

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IPB180N04S4L01ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 7924 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

151+	4.33 EUR
500+	4.03 EUR
1000+	3.74 EUR

Mindestbestellmenge: 151 Stücke

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IPB180N04S4L01ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 180A; 188W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 188W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -16...20V
Mounting: SMD
Gate charge: 245nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	3.59 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB180N04S4L01ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

151+	4.33 EUR
500+	4.03 EUR
1000+	3.74 EUR

Mindestbestellmenge: 151 Stücke

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IPB180N04S4L01ATMA1

MOSFET N-CHANNEL 30/40V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 7000 Stücke

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IPB180N04S4L01ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

151+	4.33 EUR
500+	4.03 EUR
1000+	3.74 EUR

Mindestbestellmenge: 151 Stücke

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IPB180N04S4LH0ATMA1

MOSFETs N-CHANNEL 30/40V

auf Bestellung 55 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.77 EUR
10+	5.74 EUR
100+	4.3 EUR
500+	3.58 EUR
1000+	3.33 EUR
2000+	3.12 EUR

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IPB180N04S4LH0ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24440 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB180N04S4LH0ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB180N06S4H1ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPB180N06S4H1ATMA2

Description: INFINEON - IPB180N06S4H1ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm

auf Bestellung 36 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

24+	10.61 EUR
36+	6.52 EUR

Mindestbestellmenge: 24 Stücke

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IPB180N06S4H1ATMA2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 180A; Idm: 720A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 720A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N06S4H1ATMA2

Description: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3498 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	10.34 EUR
10+	6.84 EUR
100+	4.86 EUR
500+	4 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N06S4H1ATMA2

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	2.88 EUR
2000+	2.75 EUR
3000+	2.62 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N06S4H1ATMA2

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 885 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

24+	7.4 EUR
34+	5.08 EUR
100+	3.56 EUR
500+	3.32 EUR

Mindestbestellmenge: 24 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N06S4H1ATMA2

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N06S4H1ATMA2

Description: INFINEON - IPB180N06S4H1ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm

auf Bestellung 36 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 36 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N06S4H1ATMA2

Description: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	3.72 EUR
2000+	3.5 EUR
3000+	3.38 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N06S4H1ATMA2

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

183+	3.57 EUR
500+	3.34 EUR

Mindestbestellmenge: 183 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB180N06S4H1ATMA2