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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IPB107N20N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
auf Bestellung 14649 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.19 EUR
10+8.19 EUR
50+6.47 EUR
100+5.91 EUR
500+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB107N20N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+10.94 EUR
23+7.37 EUR
50+5.7 EUR
100+5.05 EUR
500+4.57 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB107N20N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB107N20N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+10.95 EUR
23+7.54 EUR
50+5.93 EUR
100+5.33 EUR
500+4.95 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB107N20N3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB107N20NAInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 88A D2PAK-2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB107N20NAATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB107N20NAATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB107N20NAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0107 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm
auf Bestellung 378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+16.55 EUR
50+16.26 EUR
100+14.14 EUR
250+12.51 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB107N20NAATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+15.73 EUR
16+11.2 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB107N20NAATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs Mosfet, DCtoDC Nchannel 200V
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.96 EUR
10+11.04 EUR
100+8.84 EUR
500+8.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB107N20NAATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 644 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+8.75 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB107N20NAATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB107N20NAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0107 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm
auf Bestellung 378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+16.55 EUR
50+16.26 EUR
100+14.14 EUR
250+12.51 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB107N20NAATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB107N20NAATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+15.73 EUR
16+10.95 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB107N20NAXTInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 88A D2PAK-2
auf Bestellung 3837 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.06 EUR
10+13.47 EUR
100+11.22 EUR
500+10 EUR
1000+9.47 EUR
2000+9.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB108N15N3 G
Produktcode: 160753
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB108N15N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 150V 83A D2PAK-2 OptiMOS 3
auf Bestellung 2111 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.48 EUR
10+5.55 EUR
100+4.13 EUR
500+3.58 EUR
1000+3.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB108N15N3 GInfineon
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB108N15N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 83A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 75 V
auf Bestellung 5233 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.96 EUR
10+5.91 EUR
50+4.61 EUR
100+4.19 EUR
500+3.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB108N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+7.45 EUR
38+4.51 EUR
100+3.25 EUR
500+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB108N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB108N15N3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Case: PG-TO263-3
On-state resistance: 10.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 214W
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 83A
Gate-source voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB108N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB108N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+3.49 EUR
500+3.26 EUR
1000+3.01 EUR
10000+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 186 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB108N15N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 83A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 75 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+3.21 EUR
3000+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB108N15N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB108N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 83 A, 0.0108 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
auf Bestellung 629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.65 EUR
45+5.25 EUR
100+3.8 EUR
500+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB108N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB108N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB108N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.56 EUR
38+4.47 EUR
100+3.17 EUR
500+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB108N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB108N15N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB108N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 83 A, 0.0108 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
auf Bestellung 629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.8 EUR
500+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB108N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB10N03INFINEONTO-263
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB10N03Linfineon07+ to-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB10N03L E3045AINFINEONTO-263
auf Bestellung 885 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB10N03LBinfineonto-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB10N03LBInfineon TechnologiesMOSFET N-KANAL POWER MOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB10N03LBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1639 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB10N03LB GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1639 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB10N03LBGInfineon TechnologiesMOSFET N-Channel MOSFET 20-200V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB110N06L GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 78A TO-263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 94µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 78A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB110N06LGinfineon
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB110N20N3LFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 61A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 61A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB110N20N3LFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB110N20N3LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0098 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.52 EUR
19+12.28 EUR
50+10.47 EUR
200+9.62 EUR
500+8.76 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB110N20N3LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+6.16 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB110N20N3LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 736 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+12.35 EUR
20+8.52 EUR
100+6.43 EUR
500+5.9 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB110N20N3LFATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >150 - 400V
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.18 EUR
10+9.29 EUR
100+7.83 EUR
500+7.39 EUR
1000+6.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB110N20N3LFATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB110N20N3LFATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB110N20N3LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB110N20N3LFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB110N20N3LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0098 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.52 EUR
19+12.28 EUR
50+10.47 EUR
200+9.62 EUR
500+8.76 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB110N20N3LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 736 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+16.78 EUR
15+11.59 EUR
50+10.7 EUR
100+8.68 EUR
200+8.52 EUR
500+7.51 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB110N20N3LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 736 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+12.33 EUR
20+8.32 EUR
100+6.19 EUR
500+5.58 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB110N20N3LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB110N20N3LFATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB110P06LMInfineonMOSFET P-CH 60V 100A TO263-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB110P06LMInfineon TechnologiesInfineon TRENCH 40<-<100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB110P06LMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 558 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+7.44 EUR
34+5.01 EUR
50+4.47 EUR
100+3.38 EUR
500+2.71 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB110P06LMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB110P06LMATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 100A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 5.55mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 281 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500 pF @ 30 V
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.14 EUR
10+6.74 EUR
50+5.27 EUR
100+4.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB110P06LMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 762 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.75 EUR
28+6.19 EUR
50+4.61 EUR
100+4.38 EUR
200+4.03 EUR
500+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB110P06LMATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB110P06LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 0.011 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
auf Bestellung 1226 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6.1 EUR
200+5.19 EUR
500+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB110P06LMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.01 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB110P06LMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.01 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB110P06LMATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Channel
auf Bestellung 6704 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.97 EUR
10+5.21 EUR
100+4.74 EUR
500+4.46 EUR
1000+3.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB110P06LMATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 5.55mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 281 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB110P06LMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB110P06LMATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 558 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+7.45 EUR
34+5.13 EUR
50+4.65 EUR
100+3.58 EUR
500+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB110P06LMATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB110P06LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 0.011 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
auf Bestellung 1226 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.52 EUR
31+7.62 EUR
50+6.1 EUR
200+5.19 EUR
500+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB110P06LMATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB114N03L GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 30A D2PAK-2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB114N03L GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB114N03L GINFTO-263
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB117N20NFDInfineon technologies
auf Bestellung 559 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB117N20NFDInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 84A D2PAK-2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB117N20NFDATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB117N20NFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 84 A, 0.0103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS FD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2873 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.09 EUR
20+11.85 EUR
50+8.62 EUR
200+8.51 EUR
500+8.41 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB117N20NFDATMA1InfineonMOSFET N-CH 200V 84A D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB117N20NFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+11.47 EUR
22+7.78 EUR
25+7.45 EUR
50+6.64 EUR
100+5.2 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB117N20NFDATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 84A D2PAK-2
auf Bestellung 2431 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.92 EUR
10+10.26 EUR
25+9.92 EUR
100+7.79 EUR
250+7.72 EUR
500+7.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB117N20NFDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 84A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 84A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB117N20NFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1445 Stücke:
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15+11.47 EUR
22+7.95 EUR
25+7.74 EUR
50+7.01 EUR
100+5.64 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB117N20NFDATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB117N20NFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 84 A, 0.0103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS FD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2768 Stücke:
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16+15.99 EUR
18+12.97 EUR
21+10.22 EUR
50+9.13 EUR
100+8.03 EUR
250+7.95 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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IPB117N20NFDATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 84A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 84A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 273 Stücke:
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12+7.64 EUR
13+6.65 EUR
16+5.53 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB117N20NFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+6.08 EUR
500+5.68 EUR
1000+5.25 EUR
10000+4.82 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB117N20NFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 273420 Stücke:
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107+6.08 EUR
500+5.68 EUR
1000+5.25 EUR
10000+4.82 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB117N20NFDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 84A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 84A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB11N03LAInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 30A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1358 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB11N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 30A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1358 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB11N03LAGinfineon07+ to-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB11N06LGinfineon07+ to-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB120N03S4L03ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
195+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB120N03S4L03ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB120N03S4L03ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(20V 40V)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB120N03S4L03ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
244+2.64 EUR
500+2.36 EUR
1000+2.12 EUR
10000+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 244 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB120N04S3-02Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB120N04S3-02Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB120N04S3-02Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB120N04S302ATMA1Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB120N04S4-01Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2
auf Bestellung 698 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.94 EUR
10+3.52 EUR
100+3.17 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB120N04S4-02Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2
auf Bestellung 856 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.37 EUR
10+4.14 EUR
100+2.92 EUR
500+2.45 EUR
1000+2.26 EUR
2000+2.12 EUR
5000+1.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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