Produkte > IPD
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
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| IPD30N06S4L-23 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 30A DPAK-2 OptiMOS-T2 | auf Bestellung 92 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD30N06S4L23ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD30N06S4L23ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 30A DPAK-2 OptiMOS-T2 | auf Bestellung 1290 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD30N06S4L23ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET | auf Bestellung 7455 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD30N06S4L23ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD30N06S4L23ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD30N06S4L23ATMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD30N06S4L23ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 5767 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD30N06S4L23ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD30N06S4L23ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO252-31 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2594 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD30N06S4L23ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD30N06S4L23ATMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD30N06S4L23ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 5767 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD30N06S4L23ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD30N06S4L23ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO252-31 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD30N06S4L23ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD30N08S2-22 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS | auf Bestellung 2369 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD30N08S222ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD30N08S222ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS | auf Bestellung 1304 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD30N08S222ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD30N08S222ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1742 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD30N08S222ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD30N08S2L-21 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS | auf Bestellung 17856 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD30N08S2L-21 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD30N08S2L21ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2387 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD30N08S2L21ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 17500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD30N08S2L21ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 4979 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD30N08S2L21ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD30N08S2L21ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 30 A, 0.0159 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0159ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 869 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD30N08S2L21ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS | auf Bestellung 36630 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD30N08S2L21ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2387 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD30N08S2L21ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD30N08S2L21ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD30N08S2L21ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 30 A, 0.0159 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0159ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 869 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD30N08S2L21ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 18962 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD30N08S2L21ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD30N10S3L-34 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 30A DPAK-2 OptiMOS-T | auf Bestellung 2976 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD30N10S3L34ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD30N10S3L34ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0258 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0258ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 12786 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD30N10S3L34ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 29µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1976 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 21443 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD30N10S3L34ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 29µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1976 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD30N10S3L34ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD30N10S3L34ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 30A DPAK-2 OptiMOS-T | auf Bestellung 2788 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD30N10S3L34ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(75V 120V( | auf Bestellung 87 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD30N10S3L34ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(75V 120V( Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 29µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1976 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 886 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD30N10S3L34ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; N; 100V; 30A; 57W; DPAK; automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: N Drain-source voltage: 100V Drain current: 30A Power dissipation: 57W Case: DPAK Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 31mΩ Mounting: SMD Gate charge: 31nC Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD30N10S3L34ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(75V 120V( Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 29µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1976 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD30N12S3L31ATMA1 | Infineon Technologies | OptiMOS -T Power-Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD30N12S3L31ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD30N12S3L31ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 30 A, 0.026 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD30N12S3L31ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL_100+ Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 29µA Power Dissipation (Max): 57W Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V | auf Bestellung 1718 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD30N12S3L31ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD30N12S3L31ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 30 A, 0.026 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 4012 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD30N12S3L31ATMA1 | Infineon Technologies | OptiMOS -T Power-Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD30N12S3L31ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-CHANNEL 100+ | auf Bestellung 3563 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD30N12S3L31ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL_100+ Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 29µA Power Dissipation (Max): 57W Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: N-Channel | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD30N12S3L31ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(120V 300V) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 29µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD30N12S3L31ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(120V 300V) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD320N20N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 200V 34A DPAK-2 OptiMOS 3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD320N20N3 G | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD320N20N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD320N20N3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V | auf Bestellung 9523 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD320N20N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD320N20N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 7330 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD320N20N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET >150 - 400V | auf Bestellung 9511 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD320N20N3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD320N20N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD320N20N3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD320N20N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 136W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm | auf Bestellung 189 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD320N20N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD320N20N3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; N; 200V; 34A; 136W; PG-TO252-3 Polarisation: N Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Drain-source voltage: 200V Drain current: 34A Gate charge: 29nC Gate-source voltage: 20V Power dissipation: 136W Technology: MOSFET Case: PG-TO252-3 Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD320N20N3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 200V 34A DPAK-2 OptiMOS 3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD320N20N3GBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3 Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD320N20N3GBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD33CN10N G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 27A DPAK-2 OptiMOS 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD33CN10NG | infineon | 07+ to-252/d-pak | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD33CN10NGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1858 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD33CN10NGATMA1 | Infineon | MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3 Діоди та діодні збірки | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD33CN10NGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD33CN10NGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD33CN10NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET >80 - 100V | auf Bestellung 1843 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD33CN10NGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD33CN10NGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD33CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 27 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 58W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 216 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD33CN10NGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD33CN10NGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 29µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V | auf Bestellung 27832 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD33CN10NGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD33CN10NGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD33CN10NGATMA1 Produktcode: 195321
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| Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IPD33CN10NGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD33CN10NGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1858 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD33CN10NGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 29µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V | auf Bestellung 27500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD33CN10NGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD33CN10NGBUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 29µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD350N06L | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| IPD350N06L G | Infineon | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IPD350N06L G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 29A DPAK-2 | auf Bestellung 1300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD350N06LG | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD350N06LG | infineon | 07+ to-252/d-pak | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD350N06LGBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 28µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 30 V | auf Bestellung 28940 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD350N06LGBTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 6978 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD350N06LGBTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 20A Pulsed drain current: 116A Power dissipation: 68W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 | auf Bestellung 2096 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD350N06LGBTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 6978 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD350N06LGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH 40<-<100V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD350N06LGBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 28µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 30 V | auf Bestellung 27500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD350N06LGBTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD350N06LGBUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 28µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD35N10S3L-26 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IPD35N10S3L-26 | Infineon Technologies | Description: IPD35N10 - 75V-100V N-CHANNEL AU | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 331 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |