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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRLBA1304Infineon / IRMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLBA1304Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 185A SUPER-220
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SUPER-220™ (TO-273AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 110A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-273AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLBA1304 Transistor
Produktcode: 59934
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLBA1304P
Produktcode: 104502
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8542399000
8542 39 90 00
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLBA1304PInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 185A SUPER-220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SUPER-220™ (TO-273AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 110A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-273AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLBA1304PInfineonMOSFET N-CH 40V 185A SUPER-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLBA1304PBFInfineon / IRMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLBA1304PPBF
Produktcode: 125791
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLBA1304PPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 185A SUPER-220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SUPER-220™ (TO-273AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 110A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-273AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLBA3803Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 179A SUPER-220
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: SUPER-220™ (TO-273AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 71A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 179A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: Super-220™
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLBA3803Infineon / IRMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLBA3803
auf Bestellung 3300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLBA3803VishayMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLBA3803PInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 179A SUPER-220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SUPER-220™ (TO-273AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 71A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 179A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-273AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLBA3803PBFInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLBA3803PPBF (Transistor)
Produktcode: 57906
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLBD59N04EIRLBD59N04E Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLBD59N04EPBFInfineon / IRMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLBD59N04ETRLPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 59A TO263-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-6, D2PAK (5 Leads + Tab), TO-263BA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-5
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLBD59N04ETRLPInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLBL1304Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 185A SUPER D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: Super D2-Pak
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Super D2-Pak
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7660 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLC034NBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 55V 28A DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLC2502CDVInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLC3813EBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH WAFER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLC8256EDInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH WAFER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLC8259EDInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH WAFER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLD014(MFET,N-CH,LL,1.3W,60V,1.7A,HEXDIP) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLD014Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLD014Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLD014PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-Pin HVMDIP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLD014PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRLD014PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.2 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 5272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
126+1.99 EUR
159+1.46 EUR
216+1 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLD014PBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 1,7 А, Ptot, Вт = 1,3, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 400 @ 25, Qg, нКл = 8,4 @ 5 В, Rds = 200 мОм @ 1 A, 5 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкA,... Транзистори Корпус: DIP-4 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLD014PBF
Produktcode: 37496
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLD014PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
151+1.12 EUR
152+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 151 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLD014PBFVishay / SiliconixMOSFETs HVMDIP 60V 1.7A N-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLD014PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLD014PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 1655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+1.92 EUR
116+1.43 EUR
145+1.11 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLD014PBF(MFET,N-CH,LL,1.3W,60V,1.7A,HEXDIP) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLD014PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 1655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.49 EUR
144+1.18 EUR
500+1 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLD024Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLD024Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLD024SiliconixTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 10V; 140mOhm; 2,5A; 1,3W; -55°C ~ 175°C; IRLD024 TIRLD024
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLD024Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLD024PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLD024PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLD024PBFVishay / SiliconixMOSFETs HVMDIP 60V 2.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.8 EUR
10+2.53 EUR
100+2.23 EUR
250+2.12 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.99 EUR
2500+1.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLD024PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLD024PBFMOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLD024PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRLD024PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.1 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLD024PBF
Produktcode: 104736
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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: HVMDIP-4
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 2,5 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,1 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 870/18
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
Produkt ist nicht verfügbar
2+0.92 EUR
10+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLD110Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRLD110PBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLD110Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 600mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLD110PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 1A 4DIP Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLD110PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 2232 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+2.5 EUR
96+1.78 EUR
112+1.48 EUR
250+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLD110PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRLD110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.54 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
auf Bestellung 740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+4.2 EUR
79+2.95 EUR
108+1.99 EUR
500+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLD110PBF
Produktcode: 30512
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLD110PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+2.57 EUR
93+1.8 EUR
109+1.46 EUR
250+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLD110PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 2232 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+2.5 EUR
96+1.74 EUR
112+1.43 EUR
250+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLD110PBFVishay / SiliconixMOSFETs HVMDIP 100V 1A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2702 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.93 EUR
10+2.2 EUR
100+1.82 EUR
250+1.73 EUR
2500+1.57 EUR
10000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLD110PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 600mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.93 EUR
10+3.17 EUR
100+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLD110PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
233+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 233 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLD110PBF 
auf Bestellung 3080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLD120
Produktcode: 107905
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLD120Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLD120PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRLD120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.3 A, 0.27 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 1152 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.34 EUR
85+2.76 EUR
112+1.92 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLD120PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLD120PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+1.74 EUR
123+1.38 EUR
250+1.34 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.05 EUR
2500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLD120PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLD120PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLD120PBFVishay SemiconductorsMOSFETs HVMDIP 100V 1.3A N-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLD120PBFТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLD120PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.67 EUR
105+1.62 EUR
106+1.58 EUR
139+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLD120PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+2.49 EUR
100+1.67 EUR
124+1.3 EUR
250+1.24 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.92 EUR
2500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLD120PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+2.13 EUR
104+1.61 EUR
105+1.52 EUR
106+1.46 EUR
126+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLD120PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 131 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLF120International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 100V 5.3A 3-Pin TO-39
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLF120Infineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLF120PBFInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLF120SCXInfineon TechnologiesInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLF120SCXInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 100V 5.3A 3-Pin TO-205AF
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLF130IR
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLF130AIR
auf Bestellung 4890 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLG5 310X220X0.25TDK CorporationDescription: RF ABSORB SHEET 12.205"X8.661"
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLG5 310X220X0.5TDK CorporationDescription: RF ABSORB SHEET 12.205"X8.661"
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLG5AB 300X200X0.25TDK CorporationDescription: RF ABSORB SHEET 11.811"X7.874"
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLG5AB 300X200X0.5TDK CorporationDescription: RF ABSORB SHEET 11.811"X7.874"
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLH5030TR
Produktcode: 99530
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: PQFN5*6
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 88 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 9,9 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5185/94
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+2.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLH5030TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5185 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLH5030TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; 3.6W; PQFN5X6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: PQFN5X6
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.6W
Drain current: 13A
Drain-source voltage: 100V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLH5030TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.49 EUR
36+4.83 EUR
38+4.38 EUR
50+3.95 EUR
100+3.57 EUR
250+3.18 EUR
500+2.77 EUR
1000+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLH5030TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5185 pF @ 50 V
auf Bestellung 7440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.28 EUR
10+4.08 EUR
50+3.14 EUR
100+2.83 EUR
500+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLH5030TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLH5030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 9000 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 3.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
auf Bestellung 3236 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.08 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLH5030TRPBFInfineonMOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLH5030TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.49 EUR
36+4.72 EUR
38+4.21 EUR
50+3.74 EUR
100+3.3 EUR
250+2.86 EUR
500+2.44 EUR
1000+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLH5030TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5185 pF @ 50 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLH5030TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLH5030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 9000 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 3.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
auf Bestellung 3236 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+7.95 EUR
49+4.81 EUR
100+3.08 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLH5030TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 44nC
auf Bestellung 3268 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.84 EUR
10+3.61 EUR
100+2.57 EUR
500+2.14 EUR
1000+2.07 EUR
2000+1.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLH5034TR2
Produktcode: 99531
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: PQFN5*6
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 100 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,2 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4730/82
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLH5034TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A 5X6 PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4730 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLH5034TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3527 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+1.92 EUR
96+1.77 EUR
110+1.51 EUR
200+1.4 EUR
1000+1.27 EUR
2000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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