Produkte > SI7
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| SI7211-B-00-IBR | Silicon Labs | Description: SENSOR HALL EFFECT ANALOG TO92-3 Part Status: Active Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Supply (Max): 5.5mA (Typ) Sensing Range: ±20mT Technology: Hall Effect Bandwidth: 7kHz Voltage - Supply: 2.25V ~ 5.5V Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Axis: Single Mounting Type: Through Hole Output Type: Analog Voltage Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2577 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7211-B-00-IBR | Silicon Labs | Description: SENSOR HALL EFFECT ANALOG TO92-3 Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Axis: Single Mounting Type: Through Hole Output Type: Analog Voltage Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Supply (Max): 5.5mA (Typ) Sensing Range: ±20mT Technology: Hall Effect Bandwidth: 7kHz Voltage - Supply: 2.25V ~ 5.5V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7211-B-00-IV | Silicon Labs | Description: SENSOR HALL EFFECT ANALOG SOT23 Packaging: Strip Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Output Type: Analog Voltage Mounting Type: Surface Mount Axis: Single Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Voltage - Supply: 2.25V ~ 5.5V Bandwidth: 7kHz Technology: Hall Effect Sensing Range: ±20mT Current - Supply (Max): 5.5mA (Typ) Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active | auf Bestellung 1017 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7211-B-00-IV | SILICON LABS | Description: SILICON LABS - SI7211-B-00-IV - Hall-Effekt-Sensor, Magnetischer Positionssensor, SOT-23, 3 Pin(s), 2.25 V, 5.5 V Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor Ausgangsstrom: - MSL: MSL 2 - 1 Jahr Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 2.25 Bauform - Sensor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.5 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7211-B-00-IV | Silicon Labs | Board Mount Hall Effect/Magnetic Sensors Linear output Hall effect magnetic sensor with analog output | auf Bestellung 33743 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7211-B-00-IVR | SILICON LABS | Description: SILICON LABS - SI7211-B-00-IVR - Hall-Effekt-Sensor, SOT-23, 3 Pin(s), 2.25 V, 5.5 V, -40 °C tariffCode: 85423990 Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor euEccn: NLR rohsCompliant: YES Sensortyp: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 2 - 1 Jahr Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.25V Sensorgehäuse/-bauform: SOT-23 Bauform - Sensor: SOT-23 SVHC: To Be Advised Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Si721x Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 125°C | auf Bestellung 7182 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7211-B-00-IVR | Silicon Labs | Description: SENSOR HALL EFFECT ANALOG SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Output Type: Analog Voltage Mounting Type: Surface Mount Axis: Single Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Voltage - Supply: 2.25V ~ 5.5V Bandwidth: 7kHz Technology: Hall Effect Sensing Range: ±20mT Current - Supply (Max): 5.5mA (Typ) Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active | auf Bestellung 39538 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7211-B-00-IVR | Silicon Labs | Board Mount Hall Effect/Magnetic Sensors Linear output Hall effect magnetic sensor with analog output | auf Bestellung 22631 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7211-B-00-IVR | Silicon Labs | Description: SENSOR HALL EFFECT ANALOG SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Output Type: Analog Voltage Mounting Type: Surface Mount Axis: Single Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Voltage - Supply: 2.25V ~ 5.5V Bandwidth: 7kHz Technology: Hall Effect Sensing Range: ±20mT Current - Supply (Max): 5.5mA (Typ) Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7211-B-00-IVR | SILICON LABS | Description: SILICON LABS - SI7211-B-00-IVR - Hall-Effekt-Sensor, SOT-23, 3 Pin(s), 2.25 V, 5.5 V, -40 °C tariffCode: 85423990 Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor euEccn: NLR rohsCompliant: YES Sensortyp: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 2 - 1 Jahr Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.25V Sensorgehäuse/-bauform: SOT-23 Bauform - Sensor: SOT-23 SVHC: To Be Advised Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Si721x Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 125°C | auf Bestellung 7182 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7212-B-00-IV | SILICON LABS | Description: SILICON LABS - SI7212-B-00-IV - Hall-Effekt-Sensor, Magnetischer Positionssensor, SOT-23, 3 Pin(s), 1.71 V, 5.5 V Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor Ausgangsstrom: - MSL: MSL 2 - 1 Jahr Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 1.71 Bauform - Sensor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.5 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7212-B-00-IV | Silicon Labs | Description: SENSOR HALL EFFECT PWM SOT23-3 Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Supply (Max): 560µA (Typ) Sensing Range: ±20mT Technology: Hall Effect Bandwidth: 300Hz Voltage - Supply: 1.71V ~ 5.5V Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Axis: Single Mounting Type: Surface Mount Output Type: PWM Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Strip | auf Bestellung 322 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7212-B-00-IV | Silicon Labs | Board Mount Hall Effect/Magnetic Sensors Linear output magnetic sensor with 250 Hz PWM output | auf Bestellung 266 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7212-B-00-IVR | Silicon Labs | Description: SEN HALL EFFECT PWM SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Output Type: PWM Mounting Type: Surface Mount Axis: Single Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Voltage - Supply: 1.71V ~ 5.5V Bandwidth: 300Hz Technology: Hall Effect Sensing Range: ±20mT Current - Supply (Max): 560µA (Typ) Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active | auf Bestellung 3398 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7212-B-00-IVR | SILICON LABS | Description: SILICON LABS - SI7212-B-00-IVR - HALL EFFECT SENSOR IC tariffCode: 85423990 MSL: MSL 2 - 1 Jahr euEccn: NLR hazardous: false usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7212-B-00-IVR | Silicon Labs | Description: SEN HALL EFFECT PWM SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Output Type: PWM Mounting Type: Surface Mount Axis: Single Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Voltage - Supply: 1.71V ~ 5.5V Bandwidth: 300Hz Technology: Hall Effect Sensing Range: ±20mT Current - Supply (Max): 560µA (Typ) Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7212-B-00-IVR | Silicon Labs | Board Mount Hall Effect/Magnetic Sensors Linear output magnetic sensor with 250 Hz PWM output | auf Bestellung 2157 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7212DN | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI7212DN-T1-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8 | auf Bestellung 2602 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7212DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A PPAK 1212 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual | auf Bestellung 14310 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7212DN-T1-E3 | VISHAY | 09+ | auf Bestellung 3015 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7212DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A PPAK 1212 FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 1.3W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7212DN-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8 | auf Bestellung 8313 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7212DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI7212DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.03 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 2663 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7212DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8 | auf Bestellung 2544 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7212DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A PPAK 1212 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual | auf Bestellung 24564 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7212DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7212DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI7212DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.03 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 2663 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7212DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A PPAK 1212 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7212DN-T1-GE3 | auf Bestellung 351000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI7213-B-00-IV | Silicon Labs | Board Mount Hall Effect / Magnetic Sensors Linear output magnetic sensor with sent output | auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7213-B-00-IV | Silicon Labs | Description: SENSOR HALL EFFECT SENT SOT23-3 | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7213-B-00-IVR | Silicon Labs | Description: SENSOR HALL EFFECT SENT SOT23-3 | auf Bestellung 3416 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7213-B-00-IVR | Silicon Labs | Board Mount Hall Effect/Magnetic Sensors Linear output magnetic sensor with open drain output | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7213-B-00-IVR | Silicon Labs | Description: SENSOR HALL EFFECT SENT SOT23-3 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| Si7214-B-00-IV | Silicon Labs | Board Mount Hall Effect/Magnetic Sensors Linear output magnetic sensor with 100 Hz PWM output | auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7214-B-00-IVR | Silicon Labs | Description: SENSOR HALL EFFECT PWM SOT23-3 | auf Bestellung 1933 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7214-B-00-IVR | Silicon Labs | Board Mount Hall Effect/Magnetic Sensors Linear output magnetic sensor with 100 Hz PWM output | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7214-B-00-IVR | Silicon Labs | Description: SENSOR HALL EFFECT PWM SOT23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7214DN | VISHAY | 09+ | auf Bestellung 108 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7214DN-T1-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET DUAL N-CH 30V (D-S) HIGH EFFICIENCY | auf Bestellung 2981 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7214DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 1212-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7214DN-T1-E3 | VISHAY | 09+ | auf Bestellung 126 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7214DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 1212-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7214DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 1212-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7214DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V 6.4A 2.6W 40mohm @ 10V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| Si7215-B-00-IV | Silicon Labs | Board Mount Hall Effect/Magnetic Sensors Linear output Hall effect magnetic sensor with open drain output | auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| Si7215-B-00-IV | Silicon Labs | Description: SENSOR HALL EFFECT SENT SOT23-3 Features: BIST Packaging: Strip Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Output Type: SENT Mounting Type: Surface Mount Axis: Single Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Voltage - Supply: 3.3V ~ 26.5V Bandwidth: 1kHz Technology: Hall Effect Resolution: 13 b Sensing Range: ±20mT Current - Supply (Max): 1.7mA (Typ) Supplier Device Package: SOT-23-3 | auf Bestellung 307 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| Si7215-B-00-IVR | Silicon Labs | Description: SENSOR HALL EFFECT SENT SOT23-3 Features: BIST Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Output Type: SENT Mounting Type: Surface Mount Axis: Single Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Voltage - Supply: 3.3V ~ 26.5V Bandwidth: 1kHz Technology: Hall Effect Resolution: 13 b Sensing Range: ±20mT Current - Supply (Max): 1.7mA (Typ) Supplier Device Package: SOT-23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| Si7215-B-00-IVR | Silicon Labs | Description: SENSOR HALL EFFECT SENT SOT23-3 Features: BIST Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Output Type: SENT Mounting Type: Surface Mount Axis: Single Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Voltage - Supply: 3.3V ~ 26.5V Bandwidth: 1kHz Technology: Hall Effect Resolution: 13 b Sensing Range: ±20mT Current - Supply (Max): 1.7mA (Typ) Supplier Device Package: SOT-23-3 | auf Bestellung 2959 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| Si7215-B-00-IVR | Silicon Labs | Board Mount Hall Effect/Magnetic Sensors Linear output Hall effect magnetic sensor with open drain output | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| Si7216-B-00-IV | Silicon Labs | Board Mount Hall Effect/Magnetic Sensors Linear output Hall effect magnetic sensor with analog output | auf Bestellung 299 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7216-B-00-IVR | Silicon Labs | Description: SENSOR HALL EFFECT ANALOG SOT23 | auf Bestellung 2676 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7216-B-00-IVR | Silicon Labs | Board Mount Hall Effect/Magnetic Sensors Linear output Hall effect magnetic sensor with analog output | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7216-B-00-IVR | Silicon Labs | Description: SENSOR HALL EFFECT ANALOG SOT23 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7216DN-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI7216DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 20.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual | auf Bestellung 11219 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7216DN-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI7216DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212 Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 20.8W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7216DN-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7216DN-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 | auf Bestellung 1267 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7216DN-T1-E3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI7216DN-T1-E3 - DUAL N CHANNEL MOSFET, 40V POWERPAK Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 6 Rds(on)-Messspannung Vgs: 20 MSL: MSL 1 - Unlimited Verlustleistung Pd: 2.5 Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7216DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7216DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 | auf Bestellung 15746 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7216DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI7216DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 6 A, 6 A, 0.025 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm Verlustleistung, p-Kanal: 20.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 20.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2364 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7216DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212 Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 20.8W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 4539 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7216DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 20.8W | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7216DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7216DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI7216DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 6 A, 6 A, 0.025 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm Verlustleistung, p-Kanal: 20.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 20.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 2364 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7217-B-01-IV | Silicon Labs | Description: SENSOR HALL EFFECT ANALOG SOT23 Features: BIST Packaging: Strip Package / Case: SC-74A, SOT-753 Output Type: Analog Voltage Mounting Type: Surface Mount Axis: Single Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Voltage - Supply: 2.25V ~ 5.5V Bandwidth: 7kHz Technology: Hall Effect Sensing Range: ±20mT Current - Supply (Max): 5.5mA (Typ) Supplier Device Package: SOT-23-5 | auf Bestellung 578 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7217-B-01-IV | Silicon Labs | Board Mount Hall Effect/Magnetic Sensors Linear output Hall effect magnetic sensor with analog output | auf Bestellung 314 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| Si7217-B-01-IVR | Silicon Labs | Board Mount Hall Effect/Magnetic Sensors Linear output Hall effect magnetic sensor with analog output | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| Si7217-B-01-IVR | Silicon Labs | Description: SENSOR HALL EFFECT ANALOG SOT23 Supplier Device Package: SOT-23-5 Current - Supply (Max): 5.5mA (Typ) Sensing Range: ±20mT Technology: Hall Effect Bandwidth: 7kHz Voltage - Supply: 2.25V ~ 5.5V Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Axis: Single Mounting Type: Surface Mount Output Type: Analog Voltage Package / Case: SC-74A, SOT-753 Features: BIST Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7218DN-T1-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V 24A 23W | auf Bestellung 4292 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7218DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7218DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8 | auf Bestellung 712 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7218DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7218DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V 24A 23W 25mohm @ 10V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7220DN | VISHAY | 09+ | auf Bestellung 73 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7220DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.4A PPAK 1212 Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 1.3W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7220DN-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 3.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7220DN-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 | auf Bestellung 13362 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7220DN-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 3.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI7220DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.4A PPAK 1212 Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 1.3W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2142 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7220DN-T1-E3 | VISHAY | 09+ | auf Bestellung 5303 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7220DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI7220DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.048 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 3263 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7220DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.4A PPAK 1212 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual | auf Bestellung 63000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7220DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 3.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7220DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI7220DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.048 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 3263 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7220DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 3.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7220DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.4A PPAK 1212 Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 1.3W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 64267 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7220DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 | auf Bestellung 24661 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7222DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A 1212-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7222DN-T1-E3 | VISHAY | 09+ | auf Bestellung 1174 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7222DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A 1212-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7222DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7222DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7222DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI7222DW-T1-E3 | auf Bestellung 2580 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI7223DN-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI7223DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.022 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm Verlustleistung, p-Kanal: 23W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 23W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
