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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI7211-B-00-IBRSilicon LabsDescription: SENSOR HALL EFFECT ANALOG TO92-3
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Supply (Max): 5.5mA (Typ)
Sensing Range: ±20mT
Technology: Hall Effect
Bandwidth: 7kHz
Voltage - Supply: 2.25V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Axis: Single
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Analog Voltage
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2577 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.42 EUR
10+2.63 EUR
25+2.19 EUR
50+2.14 EUR
100+1.95 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7211-B-00-IBRSilicon LabsDescription: SENSOR HALL EFFECT ANALOG TO92-3
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Axis: Single
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Analog Voltage
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Supply (Max): 5.5mA (Typ)
Sensing Range: ±20mT
Technology: Hall Effect
Bandwidth: 7kHz
Voltage - Supply: 2.25V ~ 5.5V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7211-B-00-IVSilicon LabsDescription: SENSOR HALL EFFECT ANALOG SOT23
Packaging: Strip
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Output Type: Analog Voltage
Mounting Type: Surface Mount
Axis: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.25V ~ 5.5V
Bandwidth: 7kHz
Technology: Hall Effect
Sensing Range: ±20mT
Current - Supply (Max): 5.5mA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
auf Bestellung 1017 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.83 EUR
10+2.95 EUR
25+2.46 EUR
50+2.4 EUR
100+2.19 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7211-B-00-IVSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI7211-B-00-IV - Hall-Effekt-Sensor, Magnetischer Positionssensor, SOT-23, 3 Pin(s), 2.25 V, 5.5 V
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.25
Bauform - Sensor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7211-B-00-IVSilicon LabsBoard Mount Hall Effect/Magnetic Sensors Linear output Hall effect magnetic sensor with analog output
auf Bestellung 33743 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.26 EUR
10+1.86 EUR
100+1.63 EUR
600+1.58 EUR
1200+1.51 EUR
2700+1.49 EUR
5100+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7211-B-00-IVRSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI7211-B-00-IVR - Hall-Effekt-Sensor, SOT-23, 3 Pin(s), 2.25 V, 5.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Sensortyp: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.25V
Sensorgehäuse/-bauform: SOT-23
Bauform - Sensor: SOT-23
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Si721x Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 7182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7211-B-00-IVRSilicon LabsDescription: SENSOR HALL EFFECT ANALOG SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Output Type: Analog Voltage
Mounting Type: Surface Mount
Axis: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.25V ~ 5.5V
Bandwidth: 7kHz
Technology: Hall Effect
Sensing Range: ±20mT
Current - Supply (Max): 5.5mA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
auf Bestellung 39538 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.67 EUR
7+3.08 EUR
10+2.87 EUR
25+2.59 EUR
50+2.42 EUR
100+2.25 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7211-B-00-IVRSilicon LabsBoard Mount Hall Effect/Magnetic Sensors Linear output Hall effect magnetic sensor with analog output
auf Bestellung 22631 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.4 EUR
10+1.81 EUR
100+1.74 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.61 EUR
3000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7211-B-00-IVRSilicon LabsDescription: SENSOR HALL EFFECT ANALOG SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Output Type: Analog Voltage
Mounting Type: Surface Mount
Axis: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.25V ~ 5.5V
Bandwidth: 7kHz
Technology: Hall Effect
Sensing Range: ±20mT
Current - Supply (Max): 5.5mA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7211-B-00-IVRSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI7211-B-00-IVR - Hall-Effekt-Sensor, SOT-23, 3 Pin(s), 2.25 V, 5.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Sensortyp: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.25V
Sensorgehäuse/-bauform: SOT-23
Bauform - Sensor: SOT-23
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Si721x Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 7182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7212-B-00-IVSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI7212-B-00-IV - Hall-Effekt-Sensor, Magnetischer Positionssensor, SOT-23, 3 Pin(s), 1.71 V, 5.5 V
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.71
Bauform - Sensor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7212-B-00-IVSilicon LabsDescription: SENSOR HALL EFFECT PWM SOT23-3
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Supply (Max): 560µA (Typ)
Sensing Range: ±20mT
Technology: Hall Effect
Bandwidth: 300Hz
Voltage - Supply: 1.71V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Axis: Single
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: PWM
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Strip
auf Bestellung 322 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.2 EUR
11+1.94 EUR
12+1.84 EUR
25+1.73 EUR
50+1.65 EUR
300+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7212-B-00-IVSilicon LabsBoard Mount Hall Effect/Magnetic Sensors Linear output magnetic sensor with 250 Hz PWM output
auf Bestellung 266 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.95 EUR
10+1.86 EUR
25+1.65 EUR
300+1.48 EUR
600+1.43 EUR
1200+1.36 EUR
2700+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7212-B-00-IVRSilicon LabsDescription: SEN HALL EFFECT PWM SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Output Type: PWM
Mounting Type: Surface Mount
Axis: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 1.71V ~ 5.5V
Bandwidth: 300Hz
Technology: Hall Effect
Sensing Range: ±20mT
Current - Supply (Max): 560µA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
auf Bestellung 3398 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.28 EUR
11+1.92 EUR
25+1.8 EUR
50+1.71 EUR
100+1.64 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7212-B-00-IVRSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI7212-B-00-IVR - HALL EFFECT SENSOR IC
tariffCode: 85423990
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7212-B-00-IVRSilicon LabsDescription: SEN HALL EFFECT PWM SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Output Type: PWM
Mounting Type: Surface Mount
Axis: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 1.71V ~ 5.5V
Bandwidth: 300Hz
Technology: Hall Effect
Sensing Range: ±20mT
Current - Supply (Max): 560µA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7212-B-00-IVRSilicon LabsBoard Mount Hall Effect/Magnetic Sensors Linear output magnetic sensor with 250 Hz PWM output
auf Bestellung 2157 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.95 EUR
10+1.86 EUR
25+1.65 EUR
100+1.58 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.36 EUR
3000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7212DN
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7212DN-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 2602 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7212DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
auf Bestellung 14310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.02 EUR
10+4.18 EUR
100+3.32 EUR
500+2.81 EUR
1000+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7212DN-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 3015 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7212DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A PPAK 1212
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.26 EUR
6000+2.18 EUR
9000+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7212DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 8313 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.65 EUR
10+3.03 EUR
100+2.07 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.55 EUR
3000+1.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7212DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7212DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2663 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7212DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 2544 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.65 EUR
10+2.98 EUR
100+2.07 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.54 EUR
3000+1.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7212DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
auf Bestellung 24564 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.11 EUR
10+2.62 EUR
100+1.77 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7212DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7212DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7212DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2663 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7212DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.15 EUR
6000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7212DN-T1-GE3
auf Bestellung 351000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7213-B-00-IVSilicon LabsBoard Mount Hall Effect / Magnetic Sensors Linear output magnetic sensor with sent output
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7213-B-00-IVSilicon LabsDescription: SENSOR HALL EFFECT SENT SOT23-3
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.74 EUR
10+3.03 EUR
25+2.62 EUR
50+2.26 EUR
100+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7213-B-00-IVRSilicon LabsDescription: SENSOR HALL EFFECT SENT SOT23-3
auf Bestellung 3416 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7213-B-00-IVRSilicon LabsBoard Mount Hall Effect/Magnetic Sensors Linear output magnetic sensor with open drain output
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7213-B-00-IVRSilicon LabsDescription: SENSOR HALL EFFECT SENT SOT23-3
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7214-B-00-IVSilicon LabsBoard Mount Hall Effect/Magnetic Sensors Linear output magnetic sensor with 100 Hz PWM output
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7214-B-00-IVRSilicon LabsDescription: SENSOR HALL EFFECT PWM SOT23-3
auf Bestellung 1933 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.5 EUR
11+2.03 EUR
25+1.75 EUR
50+1.52 EUR
100+1.38 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7214-B-00-IVRSilicon LabsBoard Mount Hall Effect/Magnetic Sensors Linear output magnetic sensor with 100 Hz PWM output
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7214-B-00-IVRSilicon LabsDescription: SENSOR HALL EFFECT PWM SOT23-3
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SI7214DNVISHAY09+
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SI7214DN-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET DUAL N-CH 30V (D-S) HIGH EFFICIENCY
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SI7214DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 1212-8
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SI7214DN-T1-E3VISHAY09+
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SI7214DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 1212-8
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SI7214DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 1212-8
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SI7214DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 6.4A 2.6W 40mohm @ 10V
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Si7215-B-00-IVSilicon LabsBoard Mount Hall Effect/Magnetic Sensors Linear output Hall effect magnetic sensor with open drain output
auf Bestellung 34 Stücke:
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Si7215-B-00-IVSilicon LabsDescription: SENSOR HALL EFFECT SENT SOT23-3
Features: BIST
Packaging: Strip
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Output Type: SENT
Mounting Type: Surface Mount
Axis: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 3.3V ~ 26.5V
Bandwidth: 1kHz
Technology: Hall Effect
Resolution: 13 b
Sensing Range: ±20mT
Current - Supply (Max): 1.7mA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-23-3
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.65 EUR
15+1.43 EUR
25+1.33 EUR
50+1.27 EUR
100+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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Si7215-B-00-IVRSilicon LabsDescription: SENSOR HALL EFFECT SENT SOT23-3
Features: BIST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Output Type: SENT
Mounting Type: Surface Mount
Axis: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 3.3V ~ 26.5V
Bandwidth: 1kHz
Technology: Hall Effect
Resolution: 13 b
Sensing Range: ±20mT
Current - Supply (Max): 1.7mA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-23-3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7215-B-00-IVRSilicon LabsDescription: SENSOR HALL EFFECT SENT SOT23-3
Features: BIST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Output Type: SENT
Mounting Type: Surface Mount
Axis: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 3.3V ~ 26.5V
Bandwidth: 1kHz
Technology: Hall Effect
Resolution: 13 b
Sensing Range: ±20mT
Current - Supply (Max): 1.7mA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-23-3
auf Bestellung 2959 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.65 EUR
15+1.43 EUR
25+1.33 EUR
50+1.27 EUR
100+1.21 EUR
500+1.08 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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Si7215-B-00-IVRSilicon LabsBoard Mount Hall Effect/Magnetic Sensors Linear output Hall effect magnetic sensor with open drain output
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Si7216-B-00-IVSilicon LabsBoard Mount Hall Effect/Magnetic Sensors Linear output Hall effect magnetic sensor with analog output
auf Bestellung 299 Stücke:
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SI7216-B-00-IVRSilicon LabsDescription: SENSOR HALL EFFECT ANALOG SOT23
auf Bestellung 2676 Stücke:
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SI7216-B-00-IVRSilicon LabsBoard Mount Hall Effect/Magnetic Sensors Linear output Hall effect magnetic sensor with analog output
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SI7216-B-00-IVRSilicon LabsDescription: SENSOR HALL EFFECT ANALOG SOT23
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7216DN-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.98 EUR
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SI7216DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
auf Bestellung 11219 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.96 EUR
10+2.53 EUR
100+1.73 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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SI7216DN-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7216DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 20.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.12 EUR
6000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7216DN-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7216DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 1267 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.96 EUR
10+2.56 EUR
100+1.73 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.32 EUR
3000+1.25 EUR
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SI7216DN-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI7216DN-T1-E3 - DUAL N CHANNEL MOSFET, 40V POWERPAK
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 20
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7216DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI7216DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 15746 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.25 EUR
10+2.59 EUR
100+1.83 EUR
500+1.25 EUR
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SI7216DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7216DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 6 A, 6 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 20.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2364 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI7216DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 20.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4539 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.27 EUR
10+2.75 EUR
100+1.87 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7216DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 20.8W
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7216DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7216DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7216DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 6 A, 6 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 20.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2364 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7217-B-01-IVSilicon LabsDescription: SENSOR HALL EFFECT ANALOG SOT23
Features: BIST
Packaging: Strip
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Analog Voltage
Mounting Type: Surface Mount
Axis: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.25V ~ 5.5V
Bandwidth: 7kHz
Technology: Hall Effect
Sensing Range: ±20mT
Current - Supply (Max): 5.5mA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-23-5
auf Bestellung 578 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.88 EUR
10+2.99 EUR
25+2.49 EUR
50+2.43 EUR
100+2.21 EUR
500+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7217-B-01-IVSilicon LabsBoard Mount Hall Effect/Magnetic Sensors Linear output Hall effect magnetic sensor with analog output
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.86 EUR
10+2.98 EUR
100+2.18 EUR
600+1.9 EUR
1200+1.69 EUR
2700+1.63 EUR
5100+1.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7217-B-01-IVRSilicon LabsBoard Mount Hall Effect/Magnetic Sensors Linear output Hall effect magnetic sensor with analog output
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7217-B-01-IVRSilicon LabsDescription: SENSOR HALL EFFECT ANALOG SOT23
Supplier Device Package: SOT-23-5
Current - Supply (Max): 5.5mA (Typ)
Sensing Range: ±20mT
Technology: Hall Effect
Bandwidth: 7kHz
Voltage - Supply: 2.25V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Axis: Single
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Analog Voltage
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Features: BIST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7218DN-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 24A 23W
auf Bestellung 4292 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7218DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7218DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8
auf Bestellung 712 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7218DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7218DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 24A 23W 25mohm @ 10V
Produkt ist nicht verfügbar
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SI7220DNVISHAY09+
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7220DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3.4A PPAK 1212
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7220DN-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 3.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7220DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 13362 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.69 EUR
10+3.89 EUR
100+3.09 EUR
500+2.64 EUR
1000+2.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7220DN-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 3.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7220DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3.4A PPAK 1212
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.6 EUR
10+4.99 EUR
100+3.5 EUR
500+2.87 EUR
1000+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7220DN-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 5303 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7220DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7220DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.048 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7220DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3.4A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
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SI7220DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 3.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
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SI7220DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7220DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.048 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
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SI7220DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 3.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
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SI7220DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3.4A PPAK 1212
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
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5+4.84 EUR
10+3.11 EUR
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1000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SI7220DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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SI7222DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6A 1212-8
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SI7222DN-T1-E3VISHAY09+
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SI7222DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6A 1212-8
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SI7222DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8
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SI7222DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8
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SI7222DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8
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SI7222DW-T1-E3
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SI7223DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7223DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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