Produkte > ZXM
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| ZXMP6A16KQTC | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS, 41V to 60V TO252 2.5K | auf Bestellung 52500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXMP6A16KQTC | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252 T&R 2.5K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXMP6A16KTC | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXMP6A16KTC | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMP6A16KTC - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.2 A, 0.085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 9.76W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 2588 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXMP6A16KTC | Diodes Inc./Zetex | MOSFETs P-Chan 60V MOSFET (UMOS) Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXMP6A16KTC | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXMP6A16KTC | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXMP6A16KTC | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Chan 60V MOSFET (UMOS) | auf Bestellung 3265 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXMP6A16KTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 5.4A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 13688 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXMP6A16KTC | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 3804 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXMP6A16KTC | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXMP6A16KTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 5.4A TO252-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V | auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXMP6A16KTC | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMP6A16KTC - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.2 A, 0.085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 9.76W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 2588 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXMP6A16KTC | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXMP6A17 | SOT-223 | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| ZXMP6A17D | N/A | auf Bestellung 145 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| ZXMP6A17DN8 | ZETEX | 06+; | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXMP6A17DN8QTC | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 2.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 72500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXMP6A17DN8QTC | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 2.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 75000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXMP6A17DN8QTC | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 2.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXMP6A17DN8QTC | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R 2.5K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXMP6A17DN8QTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.7A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.25W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXMP6A17DN8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.7A 8SO Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637pF @ 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 1.81W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 9193 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXMP6A17DN8TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 2.7A 8-Pin SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXMP6A17DN8TA | Diodes Incorporated | MOSFETs Dl 60V P-Chnl UMOS | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXMP6A17DN8TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.7A 8SO Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637pF @ 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 1.81W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 8500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXMP6A17DN8TA | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ZXMP6A17DN8TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 2.7A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXMP6A17DN8TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 2.7A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXMP6A17DN8TC | auf Bestellung 9356 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ZXMP6A17DN8TC | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 2.7A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 224645 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXMP6A17DN8TC | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 2.7A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 224645 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXMP6A17E6 | Diodes Incorporated | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXMP6A17E6 | ZETEX | 06+; | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXMP6A17E6QTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 6-Pin SOT-26 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXMP6A17E6QTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 2.3A SOT26 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-26 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 5853 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXMP6A17E6QTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMP6A17E6QTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.1 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1217 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXMP6A17E6QTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 6-Pin SOT-26 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXMP6A17E6QTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 6-Pin SOT-26 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXMP6A17E6QTA | Diodes Incorporated | MOSFETs 60V P-Ch Enh Mode 1.1W 3A 637pF 17.7nC | auf Bestellung 1505 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXMP6A17E6QTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 2.3A SOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXMP6A17E6QTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 6-Pin SOT-26 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXMP6A17E6QTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMP6A17E6QTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.1 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: SOT-26 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1217 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXMP6A17E6QTA-52 | Diodes Zetex | 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXMP6A17E6TA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMP6A17E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 13803 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXMP6A17E6TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 6-Pin SOT-26 T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXMP6A17E6TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 6-Pin SOT-26 T/R | auf Bestellung 469 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 469 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXMP6A17E6TA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.4A; 1.1W; SOT26 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.4A Power dissipation: 1.1W Case: SOT26 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 3154 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXMP6A17E6TA | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Ch 60 Volt 3.0A | auf Bestellung 121294 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXMP6A17E6TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 6-Pin SOT-26 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXMP6A17E6TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 2.3A SOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2158 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXMP6A17E6TA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMP6A17E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 13553 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXMP6A17E6TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 6-Pin SOT-26 T/R | auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXMP6A17E6TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 6-Pin SOT-26 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXMP6A17E6TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 6-Pin SOT-26 T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXMP6A17E6TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 6-Pin SOT-26 T/R | auf Bestellung 469 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 469 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXMP6A17E6TA Produktcode: 22302
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Lieblingsprodukt
| Zetex | Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: SOT-23-6 Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V Drain-Strom Id, A: 3 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,125 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 670/15,1 Montage: SMD ZCODE: 8541 29 00 90 | Produkt ist nicht verfügbar
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| ZXMP6A17E6TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 2.3A SOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 1900 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXMP6A17E6TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 2.3A 6-Pin SOT-26 T/R | auf Bestellung 54000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXMP6A17E6TA 6A17 Produktcode: 122665
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Lieblingsprodukt
| Diodes | Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: SOT-26 Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В Drain-Strom Id, A: 3 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,125 Ом Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 637/15,1 Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| ZXMP6A17E6TA-52 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT26 T&R Packaging: Bulk Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXMP6A17E6TA-52 | Diodes Zetex | 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXMP6A17E6TC | auf Bestellung 29900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ZXMP6A17G | Diodes Incorporated | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXMP6A17G | ZETEX | 06+; | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXMP6A17GQTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 565 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXMP6A17GQTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 3A SOT223 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-223-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 737000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXMP6A17GQTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXMP6A17GQTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMP6A17GQTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.096 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 318 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXMP6A17GQTA | Diodes Incorporated | MOSFETs 60V P-Ch Enh FET 20Vgs 2W 125mOhm | auf Bestellung 1853 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXMP6A17GQTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 565 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXMP6A17GQTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 3A SOT223 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-223-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA | auf Bestellung 737486 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXMP6A17GQTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXMP6A17GQTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMP6A17GQTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.096 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 318 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXMP6A17GQTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXMP6A17GQTA-52 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT223 T&R Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXMP6A17GQTA-52 | Diodes Zetex | 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXMP6A17GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 3A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V | auf Bestellung 664 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXMP6A17GTA | Diodes Incorporated | MOSFETs 60V P-Chnl UMOS | auf Bestellung 1155 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXMP6A17GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 3A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXMP6A17GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXMP6A17GTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMP6A17GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.125 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 8742 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXMP6A17GTA | Diodes | MOSFET P-CH 60V 3A SOT-223 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXMP6A17GTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMP6A17GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.125 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 8207 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXMP6A17GTA******* | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ZXMP6A17GTA-52 | Diodes Zetex | 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXMP6A17GTA-52 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT223 T&R Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXMP6A17GTAPBF | auf Bestellung 17950 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ZXMP6A17GTC | Diodes Incorporated | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| ZXMP6A17GTC | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXMP6A17KTC | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMP6A17KTC - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.6 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.17W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 1150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXMP6A17KTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 4.4A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V | auf Bestellung 12624 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXMP6A17KTC | Diodes Incorporated | MOSFETs ENHANCE MODE MOSFET 60V P-CHANNEL | auf Bestellung 1697 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXMP6A17KTC | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 3397 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXMP6A17KTC | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| ZXMP6A17KTC | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXMP6A17KTC - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.6 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.17W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 1150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXMP6A17KTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 4.4A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V | auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ZXMP6A17KTC | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 3397 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ZXMP6A17N8TC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 2.7A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| ZXMP6A17N8TC | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET,P-CHANNEL 60V, -3.4A/-2.8A | auf Bestellung 3699 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
