Produkte > BSC
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| BSC072N04LDATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 40V | auf Bestellung 19089 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC072N04LDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC072N08NS5 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET > 60-80V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC072N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | N-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 74 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2100 @ 40, Qg, нКл = 29 @ 10 В, Rds = 7,20 мОм @ 37 A, 10 B , Ugs(th) = 3,8 B @ 36 мкА, Р, Вт = 2,5 (Ta), 69 (Tc), Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PG-TDSON-8-7 Од Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC072N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 74A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 1842 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC072N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 74A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 40 V | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC072N08NS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC072N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 7200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 69W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm | auf Bestellung 10262 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC072N08NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 74A; 69W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 74A Power dissipation: 69W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.2mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC072N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 74A 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC072N08NS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC072N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 7200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 69W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm | auf Bestellung 10262 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC072N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 74A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 1842 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC072N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 74A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 40 V | auf Bestellung 30211 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC072N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 80V 74A TDSON-8 | auf Bestellung 16574 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC072N3S | INFINEON | auf Bestellung 1298 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSC074N15NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 114A TSON-8-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 136µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 75 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC074N15NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 114A 8-Pin TSON EP T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC074N15NS5ATMA1 | Infineon | N-Channel 150V 114A TSON-8-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC074N15NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 114A 8-Pin TSON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC074N15NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 114A 8-Pin TSON EP T/R | auf Bestellung 4924 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC074N15NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 114A TSON-8-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 136µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 75 V | auf Bestellung 143 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC074N15NS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | auf Bestellung 4006 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC074N15NS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC074N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 7400 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 114A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 214W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 333 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC074N15NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 114A 8-Pin TSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC074N15NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 114A 8-Pin TSON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC074N15NS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC074N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 7400 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 114A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 333 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC074N15NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 114A 8-Pin TSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC076N04NDATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | auf Bestellung 2999 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC076N04NDATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC076N04NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 7000 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7000µohm Verlustleistung, p-Kanal: 65W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7000µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 65W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC076N04NDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC076N04NDATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.3W (Ta), 65W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC076N04NDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC076N04NDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC076N04NDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 8881 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC076N04NDATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950pF @ 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 2.3W (Ta), 65W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 4460 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC076N04NDATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC076N04NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 7000 µohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7000µohm Verlustleistung, p-Kanal: 65W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7000µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 65W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 46 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC076N04NDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC076N04NDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC076N04NDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 65000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC076N06NS3 G | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC076N06NS3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3 | auf Bestellung 3368 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC076N06NS3 G | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 4900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC076N06NS3 G | Infineon | auf Bestellung 580 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSC076N06NS3G | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,6mOhm; 75A; 69W; -55°C ~ 150°C; BSC076N06NS3GATMA1 BSC076N06NS3 G TBSC076n06ns3 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSC076N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 4925 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC076N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3 | auf Bestellung 5887 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC076N06NS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC076N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 7600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 69W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm | auf Bestellung 47030 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC076N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 4925 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC076N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 160000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC076N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V | auf Bestellung 32453 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC076N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 35000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC076N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 35000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC076N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC076N06NS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC076N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 7600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 47142 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC076N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 160000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC077N12NS3 G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 120V 98A 8TDSON | auf Bestellung 34970 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC077N12NS3 G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 120V 98A 8TDSON | auf Bestellung 34970 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC077N12NS3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 120V 98A TDSON-8 OptiMOS 3 | auf Bestellung 7639 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC077N12NS3 G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 120V 98A 8TDSON | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC077N12NS3 G | Infineon | auf Bestellung 110000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSC077N12NS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC077N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 98 A, 7700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 98A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 139W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm | auf Bestellung 6005 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC077N12NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 1651 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC077N12NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 1651 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC077N12NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 120V 13.4/98A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 98A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 60 V | auf Bestellung 1093 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC077N12NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 120V 98A TDSON-8 OptiMOS 3 | auf Bestellung 6075 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC077N12NS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC077N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 98 A, 7700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 98A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 139W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm | auf Bestellung 6005 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC077N12NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC077N12NS3GATMA1 | Infineon | MOSFET N-CH 120V 13.4/98A TDSON-8 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC077N12NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC077N12NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 120V 13.4/98A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 98A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 60 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC077N12NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC077N12NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 18289 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC079N03LSC G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 14A TDSON-8 | auf Bestellung 3643 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC079N03LSCG | Infineon technologies | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSC079N03LSCGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 34V 14A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC079N03LSCGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC079N03LSCGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 6600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 5843 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC079N03LSCGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 34V 14A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC079N03LSCGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 34V 14A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 8635 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC079N03LSCGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 34V 14A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC079N03LSCGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 14A/50A TDSON | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC079N03LSCGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 34V 14A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC079N03LSCGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC079N03LSCGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 6600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 5843 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC079N03LSCGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 34V 14A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 4611 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC079N03LSCGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 34V 14A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 4630 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC079N03LSCGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 14A/50A TDSON | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC079N03LSCGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 34V 14A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC079N03S | INF | 09+ | auf Bestellung 10822 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC079N03S G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 14.6A TDSON-8 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC079N03SG | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 14.6A/40A TDSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 60W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 40A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta), 40A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC079N03SG | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 14.6A 8-Pin TDSON EP | auf Bestellung 9619 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC079N03SG | infineon | 07+ | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC079N03SG | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 14.6A/40A TDSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 60W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 40A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta), 40A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Bulk | auf Bestellung 9619 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC079N03SG | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC079N03SG - BSC079N03 12V-300V NCHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC079N03SGAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC079N10NS G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 100A TDSON-8 OptiMOS 2 | auf Bestellung 5105 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC079N10NSG | Infineon technologies | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSC079N10NSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 13.4A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC079N10NSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC079N10NSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH >=100V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC079N10NSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC079N10NSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 13.4A 8TDSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Vgs (Max): ±20V | auf Bestellung 4701 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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