Produkte > IPA
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IPA65R110CFDXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31.2A; 34.7W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 31.2A Power dissipation: 34.7W Case: TO220FP On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Technology: CoolMOS™ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA65R110CFDXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA65R110CFDXKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 31.2A; 34.7W; TO220FP; 150ns Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 650V Drain current: 31.2A Power dissipation: 34.7W Case: TO220FP Mounting: THT Gate charge: 118nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: 20V Reverse recovery time: 150ns Technology: CoolMOS™ | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA65R110CFDXKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V | auf Bestellung 113 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA65R110CFDXKSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA65R125C7 | Infineon Technologies | Description: IPA65R125 - 650V AND 700V COOLMO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk | auf Bestellung 412 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA65R125C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS | auf Bestellung 160 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA65R125C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO220-FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | auf Bestellung 269 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA65R150CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 22.4A TO220FP-3 | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 375-379 Tag (e) |
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| IPA65R150CFDXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220 Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA65R150CFDXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 22.4A TO220FP-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA65R150CFDXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA65R150CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.4 A, 0.135 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 22.4 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 34.7 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 34.7 Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.135 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA65R150CFDXKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V | auf Bestellung 490 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA65R150CFDXKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_LEGACY | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA65R190C6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 20.2A TO220FP-3 CoolMOS C6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA65R190C6 | Infineon | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPA65R190C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA65R190C7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS | auf Bestellung 463 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA65R190C7 | Infineon Technologies | Description: IPA65R190 - 650V AND 700V COOLMO Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V | auf Bestellung 424 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA65R190C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA65R190C7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA65R190C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 8 A, 0.168 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 30W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm | auf Bestellung 679 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA65R190C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA65R190C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 69 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA65R190C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 13500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA65R190C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 8A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA65R190C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 69 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA65R190C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA65R190C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA65R190C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS | auf Bestellung 155 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA65R190C7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Kind of package: tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA65R190C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA65R190C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA65R190CFD | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 17.5A TO220FP CoolMOS CFD2 | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA65R190CFD | Infineon | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPA65R190CFDXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 594 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA65R190CFDXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 730µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA65R190CFDXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 594 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA65R190CFDXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17.5A; 34W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Drain-source voltage: 650V Drain current: 17.5A Power dissipation: 34W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Kind of package: tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA65R190CFDXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA65R190CFDXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA65R190CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 34W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 77 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA65R190CFDXKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V | auf Bestellung 554 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA65R190CFDXKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA65R190CFDXKSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | auf Bestellung 390 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA65R190CFDXKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 17.5A; 34W; TO220FP; 120ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Drain-source voltage: 650V Drain current: 17.5A Power dissipation: 34W Case: TO220FP Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 68nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 120ns | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA65R190DEXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET Part Status: Obsolete Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA65R190DEXKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPA65R190DEXKSA1 - MOSFET N-CHANNEL 650V 8A TC TO-220-3 TU tariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA65R190E6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 20.2A TO220FP-3 CoolMOS E6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA65R190E6 | Infineon Technologies | Description: IPA65R190 - 650V AND 700V COOLMO Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA65R190E6XKSA1 | Infineon | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA65R190E6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA65R190E6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 34W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm | auf Bestellung 417 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA65R190E6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA65R190E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA65R190E6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA65R190E6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 34W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20.2A Power dissipation: 34W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 428 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA65R1K0CE | Infineon | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPA65R1K0CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 220000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA65R1K0CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA65R1K0CEXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 7.2A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V | auf Bestellung 1451 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA65R1K0CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA65R1K0CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA65R1K0CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA65R1K0CEXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA65R1K0CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7.2 A, 0.86 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 68W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm | auf Bestellung 208 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA65R1K0CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | auf Bestellung 944 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA65R1K0CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA65R1K5CE | Infineon technologies | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPA65R1K5CE | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA65R1K5CEXKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPA65R1K5CEXKSA1 - IPA65R1K5 - 650V, N-CHANEL POWER MOSFET, tariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 668 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA65R1K5CEXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA65R1K5CEXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 5.2A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA65R1K5CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs Y | auf Bestellung 178 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA65R225C7 | Infineon Technologies | Description: IPA65R225 - 650V AND 700V COOLMO Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V | auf Bestellung 1360 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA65R225C7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS | auf Bestellung 327 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA65R225C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS | auf Bestellung 479 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA65R225C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA65R225C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 476 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA65R225C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220-FP Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V | auf Bestellung 419 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA65R225C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 419 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA65R225C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 1850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA65R225C7XKSA1 | Infineon | Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP IPA65R225C7XKSA1 TIPA65r225c7 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IPA65R225C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220-FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA Power Dissipation (Max): 29W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA65R225C7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA65R225C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.199 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 29W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 86 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA65R225C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 860 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA65R280C6 | Infineon Technologies | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6 Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA65R280C6 | Infineon | auf Bestellung 2380 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPA65R280C6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS C6 | auf Bestellung 1318 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA65R280C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA65R280C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS C6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA65R280C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 1750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA65R280C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA65R280C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA65R280C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 1750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA65R280E6 | Infineon technologies | auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPA65R280E6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS E6 | auf Bestellung 122 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA65R280E6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 32W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 13.8A Power dissipation: 32W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 89 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA65R280E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA65R280E6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-FP Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V | auf Bestellung 158 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPA65R280E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA65R280E6XKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPA65R280E6XKSA1 - IPA65R280 - 650V, N-CHANEL POWER MOSFET, tariffCode: 85412900 euEccn: NLR hazardous: false rohsCompliant: YES productTraceability: No rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 204 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA65R280E6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_LEGACY | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPA65R280E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |