Produkte > IPS
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IPS60R280PFD7SAKMA1 | Infineon | CoolMOS MOSFET N-Channel Enhancement Mode 650V 12A IPS60R280PFD7SAKMA1 IPS60R280PFD7S TIPS60r280pfd7s Anzahl je Verpackung: 2 Stücke | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IPS60R280PFD7SAKMA1 | Infineon Technologies | Description: CONSUMER PG-TO251-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 656 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO251-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 180µA Power Dissipation (Max): 51W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS60R280PFD7SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPS60R280PFD7SAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS60R280PFD7SAKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPS60R280PFD7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.233 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 51W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233ohm | auf Bestellung 198 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPS60R280PFD7SAKMA1 | Infineon Technologies | Description: CONSUMER PG-TO251-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 51W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 180µA Supplier Device Package: PG-TO251-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 656 pF @ 400 V | auf Bestellung 13500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPS60R2K1CEAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | auf Bestellung 2876 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPS60R2K1CEAKMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPS60R2K1CEAKMA1 - IPS60R2K1 COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 60140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPS60R2K1CEAKMA1 | Infineon Technologies | Description: CONSUMER Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO251-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tj) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS60R360PFD7S | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS60R360PFD7SAKMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO251-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO251-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS60R360PFD7SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | auf Bestellung 10500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPS60R360PFD7SAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | auf Bestellung 931 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPS60R360PFD7SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | auf Bestellung 11950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPS60R360PFD7SAKMA1 | Infineon | Mosfet, N-Ch, 600V, 10A IPS60R360PFD7SAKMA1 IPS60R360PFD7S TIPS60r360pfd7s Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IPS60R360PFD7SAKMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPS60R360PFD7SAKMA1 - IPS60R360PFD7S 600V COOLMOS PFD7 SUPERJ tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 832 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPS60R360PFD7SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | auf Bestellung 10582 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPS60R3K4CEAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 4-Pin(3+Tab) TO-251 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS60R3K4CEAKMA1 | Infineon Technologies | Description: CONSUMER Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO251-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tj) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube FET Type: N-Channel | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS60R3K4CEAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | auf Bestellung 2779 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPS60R400CEAKMA1 | Infineon Technologies | Description: CONSUMER Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO251-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA Power Dissipation (Max): 112W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.7A (Tj) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS60R400CEAKMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPS60R400CEAKMA1 - CONSUMER tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1483 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPS60R400CEAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | auf Bestellung 1480 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS60R400CEAKMA1 | Infineon Technologies | Description: CONSUMER Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.7A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 112W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA Supplier Device Package: PG-TO251-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPS60R460CEAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS60R460CEAKMA1 | Infineon Technologies | Description: CONSUMER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS60R460CEAKMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPS60R460CEAKMA1 - IPS60R460 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPS60R600PFD7SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS60R600PFD7SAKMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO251-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO251-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS60R600PFD7SAKMA1 | Infineon | Mosfet, N-Ch, 600V, 6A IPS60R600PFD7SAKMA1 IPS60R600PFD7S TIPS60r600pfd7s Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IPS60R600PFD7SAKMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPS60R600PFD7SAKMA1 - IPS60R600PFD7S 600V COOLMOS PFD7 SUPERJ tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 13500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPS60R600PFD7SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS60R600PFD7SAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | auf Bestellung 104 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPS60R650CEAKMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPS60R650CEAKMA1 - IPS60R650 COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1403 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPS60R650CEAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | auf Bestellung 1490 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS60R650CEAKMA1 | Infineon Technologies | Description: CONSUMER Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO251-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Power Dissipation (Max): 82W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tj) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS60R800CE | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS60R800CEAKMA1 | Infineon Technologies | Description: CONSUMER Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 373 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-TO251-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tj) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS60R800CEAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | auf Bestellung 1276 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPS60R800CEAKMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPS60R800CEAKMA1 - CONSUMER tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPS60R800CEAKMA1 | Infineon Technologies | Description: CONSUMER Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA Supplier Device Package: PG-TO251-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 373 pF @ 100 V | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPS65R1K0CE | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS65R1K0CEAKMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 4.3A TO251 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Supplier Device Package: TO-251 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS65R1K0CEAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube | auf Bestellung 1487 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPS65R1K0CEAKMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 4.3A TO251 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-251 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak Packaging: Tube | auf Bestellung 1898 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPS65R1K0CEAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 4.3A IPAK-3 | auf Bestellung 3102 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS65R1K0CEAKMA2 | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | auf Bestellung 1208 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPS65R1K0CEAKMA2 | Infineon Technologies | Description: CONSUMER | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS65R1K0CEAKMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS65R1K4C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 3.2A IPAK-3 | auf Bestellung 1203 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS65R1K4C6AKMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 3.2A TO251-3 | auf Bestellung 1576 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS65R1K4C6AKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 3.2A IPAK-3 | auf Bestellung 1543 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS65R1K5CEAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 3.1A IPAK-3 | auf Bestellung 2273 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS65R1K5CEAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube | auf Bestellung 1347 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS65R1K5CEAKMA1 | Rochester Electronics, LLC | Description: MOSFET N-CH 650V 3.1A TO251 | auf Bestellung 79057 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 1251 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS65R1K5CEAKMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 3.1A TO251 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS65R400CEAKMA1 | Infineon Technologies | Description: CONSUMER Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO251-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA Power Dissipation (Max): 118W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.2435A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS65R400CEAKMA1 | Infineon Technologies | Description: CONSUMER Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO251-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA Power Dissipation (Max): 118W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.2435A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Bulk | auf Bestellung 10500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPS65R400CEAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | auf Bestellung 1321 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS65R400CEAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube | auf Bestellung 1445 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPS65R600E6AKMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO251-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA Supplier Device Package: PG-TO251-3-11 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS65R600E6AKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS65R650CEAKMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 10.1A TO251-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.1A, 10V Power Dissipation (Max): 86W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA Supplier Device Package: PG-TO251-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS65R650CEAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | auf Bestellung 1488 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPS65R950C6 | Infineon Technologies | Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS65R950C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 4.5A IPAK-3 | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS65R950C6AKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 4.5A IPAK-3 | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS65R950C6AKMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 4.5A TO251-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO251-3-11 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak Packaging: Bulk | auf Bestellung 488448 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPS65R950C6AKMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 4.5A TO251-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO251-3-11 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS7071G | Infineon / IR | Power Switch ICs - Power Distribution | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS7071GPBF | Infineon Technologies | Description: IC PWR SWITCH N-CHANNEL 1:1 8SO Rds On (Typ): 80mOhm Output Configuration: High Side Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Switch Type: General Purpose Interface: On/Off Number of Outputs: 1 Mounting Type: Surface Mount Output Type: N-Channel Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Features: Auto Restart Packaging: Tube Part Status: Obsolete Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature Supplier Device Package: 8-SOIC Ratio - Input:Output: 1:1 Current - Output (Max): 1.5A Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required Voltage - Load: 6V ~ 35V Input Type: Non-Inverting | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS7071GPBF | International Rectifier | Інтелектуальні силові ключі (IPS) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS7071GTRPBF | Infineon / IR | Power Switch ICs - Power Distribution IR_HSS-LSS-GATEDRIVER | auf Bestellung 3881 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS7071GTRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IPS7071GTRPBF - Leistungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 5.5V, 5A, 0.11 Ohm, SOIC-8 Durchlasswiderstand: 0.11 Überhitzungsschutz: Ja Strombegrenzung: 5 MSL: MSL 2 - 1 Jahr Betriebstemperatur, min.: -40 Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High Leistungsschaltertyp: High-Side Eingangsspannung: 5.5 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SOIC Betriebstemperatur, max.: 150 Anzahl der Ausgänge: 1 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS7071GTRPBF | Infineon Technologies | Description: IC PWR SWITCH N-CHANNEL 1:1 8SO Features: Auto Restart Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Output Type: N-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: On/Off Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Output Configuration: High Side Rds On (Typ): 80mOhm Input Type: Non-Inverting Voltage - Load: 6V ~ 35V Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required Current - Output (Max): 1.5A Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: 8-SOIC Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS7071GTRPBF | International Rectifier | SOIC-8, -40...150°C Інтелектуальні силові ключі (IPS) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS7071GTRPBF | Infineon Technologies | Current Limit SW 1-IN 1-OUT -0.3V to 5.5V 1.5A 8-Pin SOIC T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS7071GTRPBF | Infineon Technologies | Description: IC PWR SWITCH N-CHANNEL 1:1 8SO Part Status: Obsolete Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature Supplier Device Package: 8-SOIC Ratio - Input:Output: 1:1 Current - Output (Max): 1.5A Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required Voltage - Load: 6V ~ 35V Output Configuration: High Side Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Switch Type: General Purpose Interface: On/Off Number of Outputs: 1 Mounting Type: Surface Mount Output Type: N-Channel Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Features: Auto Restart Packaging: Tape & Reel (TR) Input Type: Non-Inverting Rds On (Typ): 80mOhm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS7071GTRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IPS7071GTRPBF - Leistungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 5.5V, 5A, 0.11 Ohm, SOIC-8 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS7081 | IPS7081 Микросхемы Управления электропитанием | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPS7081 | Infineon / IR | Power Switch ICs - Power Distribution | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS7081/PBF | IR | 07+ SMD-28 | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS7081PBF | IR | auf Bestellung 8800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPS7081PBF | Infineon / IR | Gate Drivers 75V 1A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS7081PBF | International Rectifier | TO-220AB Інтелектуальні силові ключі (IPS) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS7081PBF(IC) Produktcode: 99864
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Lieblingsprodukt
| Verschiedene Bauteile > Other components 3 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPS7081R | Infineon / IR | Power Switch ICs - Power Distribution | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS7081RPBF | International Rectifier | TO-252 (DPAK) Інтелектуальні силові ключі (IPS) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS7081RPBF | Infineon / IR | Power Switch ICs - Power Distribution 75V 1A OTHER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS7081RPBF Produktcode: 79537
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Lieblingsprodukt
| IC > IC Netzteile | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPS7081RTRLPBF | Infineon / IR | Power Switch ICs - Power Distribution INT Low Side Switch 70mOhm 5A 3V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS7081RTRLPBF | Infineon Technologies | Description: IC SWITCH IPS 1CH HI SIDE DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Output Configuration: High Side Rds On (Typ): 55mOhm Input Type: Non-Inverting Voltage - Load: 6V ~ 35V Current - Output (Max): 2.3A Supplier Device Package: DPAK-5 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS7081RTRRPBF | Infineon / IR | Power Switch ICs - Power Distribution INT Low Side Switch 70mOhm 5A 3V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS7081S | Infineon / IR | Power Switch ICs - Power Distribution | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS7081SPBF | IR | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPS7081SPBF | International Rectifier | D_PAK Інтелектуальні силові ключі (IPS) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS7081SPBF | Infineon / IR | Gate Drivers 75V 1A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS7081STRLPBF | Infineon Technologies | Description: IC SWITCH IPS 1CH HI SIDE D2PAK Supplier Device Package: D2Pak (SMD-220 5-Lead) Current - Output (Max): 2.3A Voltage - Load: 6V ~ 35V Input Type: Non-Inverting Rds On (Typ): 55mOhm Output Configuration: High Side Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Number of Outputs: 1 Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS7081STRLPBF | Infineon / IR | Power Switch ICs - Power Distribution INT High Side Switch 70mOhm 5A 3V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPS7081STRRPBF | Infineon / IR | Power Switch ICs - Power Distribution INT PWR High Side 70mOhm 5A 3V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
